原田俊太 (Shunta Harada) - マイポータル

Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate

Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane

Materials Science in Semiconductor Processing 175 108264-108264 2024年6月査読有り
Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth

Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth 631 127609-127609 2024年4月査読有り
Effect of Solution Components on Solvent Inclusion in SiC Solution Growth

Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Yuma Fukami, Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Crystal Growth & Design 24(4) 1806-1817 2024年2月2日査読有り
Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective

Masashi KatoShunta, HaradaHitoshi Sakane

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 020804-020804 2024年1月15日査読有り
Data-driven automated control algorithm for floating-zone crystal growth derived by reinforcement learning

Yusuke Tosa, Ryo Omae, Ryohei Matsumoto, Shogo Sumitani, Shunta Harada

Scientific Reports 13(1) 2023年12月査読有り最終著者責任著者
Non-destructive identification of edge-component burgers vector of threading dislocations in SiC wafers by birefringence imaging

Shunta Harada, Yasutaka Matsubara, Kenta Murayama

Diamond and Related Materials 138 2023年10月査読有り筆頭著者責任著者
Machine learning for semiconductor process simulation described by coupled partial differential equations

Rikuya Sato, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Advanced theory and simulations 2023年6月15日査読有り
Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions

Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Yifan Dang, Yuma Fukami, Hisaki Takemoto, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 23(5) 3393-3401 2023年5月査読有り
Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces

Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

Journal of Alloys and Compounds 934 167915 2023年2月10日査読有り最終著者責任著者
Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation

Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Toshiki Mii, Masashi Kato

APPLIED PHYSICS EXPRESS 16(2) 021001 2023年2月査読有り筆頭著者責任著者
Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC

Yifan Dang, Xinbo Liu, Can Zhu, Yuma Fukami, Shuyang Ma, Huiqin Zhou, Xin Liu, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Toru Ujihara

Crystal Growth and Design 23(2) 1023-1032 2023年2月1日査読有り
Development of High-Resolution Nuclear Emulsion Plates for Synchrotron X-Ray Topography Observation of Large-Size Semiconductor Wafers

Shunta Harada, Taketo Nishigaki, Nobuko Kitagawa, Kotaro Ishiji, Kenji Hanada, Atsushi Tanaka, Kunihiro Morishima

Journal of Electronic Materials 52(5) 2951-2956 2023年査読有り筆頭著者責任著者
Analysis of carrier lifetime in a drift layer of 1.2-kV class 4H–SiC devices toward complete suppression of bipolar degradation

Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato

Materials Science in Semiconductor Processing 153 107126 2023年1月査読有り
Prediction of operating dynamics in floating-zone crystal growth using Gaussian mixture model

R. Omae, S. Sumitani, Y. Tosa, S. Harada

Science and Technology of Advanced Materials: Methods 2(1) 294-301 2022年12月31日査読有り最終著者責任著者
Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation

Masashi Kato, Ohga Watanabe, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Shunta Harada

Scientific Reports 12(1) 18790 2022年12月査読有り最終著者
非弾性Ｘ線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定

原田俊太, 小坂直輝, 筒井智嗣, 田中克志, 田川美穂, 宇治原徹

SPring-8/SACLA利用研究成果集 10(6) 521-523 2022年12月査読有り筆頭著者責任著者
Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation

Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato

Scientific Reports 12(1) 13542 2022年12月査読有り筆頭著者責任著者
Observation of in-plane shear stress fields in off-axis SiC wafers by birefringence imaging

Shunta Harada, Kenta Murayama

Journal of Applied Crystallography 55 1029-1032 2022年8月1日査読有り筆頭著者責任著者
A Transfer Learning-Based Method for Facilitating the Prediction of Unsteady Crystal Growth

Yifan Dang, Kentaro Kutsukake, Xin Liu, Yoshiki Inoue, Xinbo Liu, Shota Seki, Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Advanced Theory and Simulations 5(9) 2200204 2022年7月査読有り
Optimization of Flow Distribution by Topological Description and Machine Learning in Solution Growth of SiC

Masaru Isono, Shunta Harada, Kentaro Kutsukake, Tomoo Yokoyama, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Advanced Theory and Simulations 5(9) 2200302 2022年7月査読有り責任著者

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MISC

101

品質管理へのAI活用の現状と展望 : 外観検査・棚卸しの自動化を例に—「AIによる品質管理とAIの品質保証」特集号

炭谷翔悟, 西田陽良, 原田俊太

システム・制御・情報 = Systems, control and information : システム制御情報学会誌 66(5) 161-166 2022年
シミュレーションに基づく結晶成長プロセスインフォマティクス : 溶液法SiCを例に—Process informatics using simulation data for crystal growth : Application to solution growth of SiC—特集機械学習・AIは結晶成長研究をいかに変えるか?

沓掛健太朗, 角岡洋介, 郁万成, 黨一帆, 原田俊太, 宇治原徹

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 49(1) 1-8 2022年
大口径SiCバルク結晶成長における主要技術とプロセス・インフォマティクスの活用—Technologies for large-diameter SiC crystal growth and application of process informatics—特集ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線

宇治原徹, 朱燦, 角岡洋介, 古庄智明, 鈴木皓己, 沓掛健太朗, 高石将輝, 郁万成, 黨一帆, 磯野優 …

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 48(3) 1-8 2021年
機械学習を活用したSiC高品質結晶成長条件のデザイン

原田俊太, 林宏益, 角岡洋介, 朱燦, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 宇治原徹

まてりあ 59(3) 145-152 2020年
機械学習を用いたSiC溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討

鳴海大翔, 林宏益, 角岡洋介, 角岡洋介, 安藤圭理, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 宇治原徹 …

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th ROMBUNNO.S2.10 2019年3月6日
SiC溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

原田俊太, 原田俊太, 朱燦, 遠藤友樹, 小泉晴比古, 鳴海大翔, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹 …

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th ROMBUNNO.S2.7 2019年3月6日
機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測

JIANG Yiqun, JIANG Yiqun, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 畑佐豪記, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.11p‐70A‐5 2019年2月25日
機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定

樋口雄介, 角岡洋介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 原田俊太, 田川美穂, 田川美穂, 宇治原徹 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.9p‐W321‐8 2019年2月25日
機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用(結晶成長におけるCPS実現を目指して)

宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 角岡洋介, 角岡洋介, ZHU Can, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 田川美穂 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.9p‐W321‐6 2019年2月25日
大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定

宇治原徹, 宇治原徹, 宇治原徹, 角岡洋介, 角岡洋介, 遠藤友樹, ZHU Can, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.11p‐70A‐4 2019年2月25日
3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立

海野高天, ZHU Can, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹, 宇治原徹

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.11p‐70A‐2 2019年2月25日
制約付きバッチベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

長田圭一, 長田圭一, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.10a‐W321‐7 2019年2月25日
機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用

安藤圭理, 林宏益, 角岡洋介, 角岡洋介, 鳴海大翔, 朱燦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 原田俊太, 松井孝太 …

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th 2019年
High-speed prediction of computational fluid dynamics simulation in crystal growth

Tsunooka Yosuke, Kokubo Nobuhiko, Hatasa Goki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

CRYSTENGCOMM 20(41) 6546-6550-6550 2018年11月7日
SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化

角岡洋介, 鳴海大翔, 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月
Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping

Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Fujie Fumihiro, Ohara Junji, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

APPLIED PHYSICS EXPRESS 11(11) 2018年11月
Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing

Shiyu Xiao, Ryoya Suzuki, Hideto Miyake, Shunta Harada, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth 502 41-44 2018年11月
Observation of carrier recombination in single Shockley stacking faults and at partial dislocations in 4H-SiC

Kato Masashi, Katahira Shinya, Ichikawa Yoshihito, Harada Shunta, Kimoto Tsunenobu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 124(9) 2018年9月7日
ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

長田圭一, 長田圭一, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐221C‐10 2018年9月5日
SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化

沓掛健太朗, 角岡洋介, 角岡洋介, 角岡洋介, 長田圭一, 長田圭一, 安藤圭理, 安藤圭理, LIN Hongyi, LIN Hongyi …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20p‐221C‐9 2018年9月

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講演・口頭発表等

386

窒化ガリウム結晶中の純粋な貫通らせん転位の非破壊での識別

原田俊太, 川瀬道夫, 瀬尾圭介, 松原康高, 水谷誠也, 水谷優也, 水谷誠二, 村山健太

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
エピタキシャル成長前SiC基板へのH+注入効果

加藤正史, 渡邉王雅, 原田俊太, 坂根仁

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
4H-SiCへのプラズマ処理による水素導入

リトウ, 坂根仁, 原田俊太, 黒川康良, 加藤正史

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
4H-SiC溶液成長シミュレーションの機械学習における転移学習によるデータ数削減

甘原, 党一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

第52回結晶成長国内会議 2023年12月6日
SiC溶液成⾧における実験者の知識を利用したスケールアップのための最適化手法の構築

霜田大貴, 鈴木晧己, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

第52回結晶成長国内会議 2023年12月5日
DNA修飾ナノ粒子の結晶成⾧における粒子間相互作用に対するPEG添加の影響

小島憧子, 張力東, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 塚本勝男, 田川美穂

第52回結晶成長国内会議 2023年12月4日
Exploring Phonon Localization in TitaniumChromium Oxides with Modulated Crystallographic Shear Structures

S. Harada, T. Hattori, M. Inden, S. Sugimoto, M. Itoh, M, Tagawa, T. Ujihara

ICMaSS2023 2023年12月2日
Optimization of experimental conditions using machine learning for large-diameter crystal growth in solution growth of SiC

Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Numerical Analysis of Macrostep Instability focusing on Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth

Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Effect of Solvent Properties on Growth Process in SiC Solution Growth

Li Juanheng, Huiqin Zhou, Xin Liu, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, d Toru, Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
First-principles analysis of the mechanism of formation of large macrosteps by additive elements in solution growth of SiC

Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Effect of macrostep height and solution flow on formation of solvent inclusion in SiC solution growth

Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation

PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Effects of Sodium Chloride and Deuterium Oxide on Crystal Growth of DNAFunctionalized Nanoparticles

Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

ICMaSS 2023 2023年12月2日
Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth

Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

ICMaSS 2023 2023年12月2日
エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果

渡邉王雅, 原田俊太, 坂根仁, 加藤正史

先進パワー半導体分科会第 10 回講演会 2023年12月1日
偏光顕微鏡法と X 線トポグラフィ法による SiC 基板中の貫通転位のマルチモーダル解析

原田俊太, 松原康高, 川瀬道夫, 瀬尾圭介, 水谷誠也, 水谷優也, 水谷誠二, 村山健太

先進パワー半導体分科会第 10 回講演会 2023年12月1日
SiCパワーデバイスの研究開発は結晶欠陥と共に：SiCウェハー欠陥評価技術の進展

原田俊太

第11回SPring-8次世代先端デバイス研究会 2023年11月29日招待有り
製造プロセスの制御への強化学習の応用ー浮遊帯域溶融法による結晶成長を例に

原田俊太

半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第3回「DX と AI がもたらす半導体基板製造の革新」 2023年11月24日招待有り
ベイズ超解像を用いた X 線光電子分光測定高速化プログラムの開発

原田俊太, 辻森皓太, 木下慎一郎

第 59 回 X 線分析討論会 2023年10月22日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

日刊工業新聞30面 “拓く研究人”

2015年9月 - 2015年9月その他

共同研究・競争的資金等の研究課題

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2022年4月 - 2025年3月

宇治原徹, 沓掛健太朗, 原田俊太, 烏山昌幸, 河村貴宏, 岡野泰則
深層視覚運動学習による単結晶育成自動化の方法論の確立とその実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2024年3月

原田俊太
ベイズ超解像を用いた走査透過電子顕微鏡法による軽元素原子の可視化

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

原田俊太
強化学習を利用した素形材製造プロセスの自動化

永井科学技術財団永井素形材融合分野奨励金 2021年4月 - 2022年3月
インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2020年7月 - 2022年3月

宇治原徹
結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2021年3月

宇治原徹
酸化物のマルチモルフィズムと特異な構造物性の材料科学

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2018年4月 - 2021年3月

原田俊太
SiC積層欠陥制御によるパワーデバイス特性劣化の抑制

2. 池谷科学技術振興財団研究助成金 2019年4月 - 2020年3月
酸化物結晶の周期構造制御による熱伝導制御材料の創製

豊秋奨学会研究助成 2018年9月 - 2019年8月
バルクSiC結晶中の積層欠陥のアクティブ制御

文部科学省科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2017年4月 - 2019年3月

原田俊太
高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2014年4月 - 2017年3月

宇治原徹
高品質・低抵抗SiC結晶の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2013年4月 - 2017年3月

亀井一人
ＳｉＣ積層欠陥制御によるバルク量子井戸熱電半導体の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

原田俊太
無転位ＳｉＣ結晶の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2011年4月 - 2014年3月

宇治原徹
溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援 2011年8月 - 2013年3月

原田俊太
溶液成長法によるSiC結晶の欠陥自己修復メカニズムの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(スタートアップ) 2011年9月 - 2012年3月
特異な空孔規則配列を伴うシリサイド半導体のナノ構造制御と熱電特性

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2008年 - 2010年

原田俊太
SiCパワーデバイスにおける通電劣化抑制法の開発

日本板硝子材料工学助成会研究助成金

産業財産権

特許第7162937号熱流体状態演算装置

原田俊太, ▲高▼石将輝, 小山幸典, 宇治原徹
特許第6968408号炭化ケイ素単結晶の製造方法

原田俊太, 宇治原徹, 畑佐豪記, 村山健太
特開2021-153128 結晶欠陥評価方法及び結晶欠陥評価装置

原田俊太, 村山健太, 上田将之, 河田旺, 炭谷翔悟
特許第6685469号炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法

古庄智明, 田中貴規, 黒岩丈晴, 宇治原徹, 原田俊太, 村山健太
特許第6671716号熱伝導率可変デバイス

宇治原徹, 中村彩乃, 原田俊太, 青柳健大
特開2020-033231 結晶成長条件の決定方法

朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
特許第7162874号結晶成長条件の決定方法

朱燦, 遠藤友樹, 原田俊太, 宇治原徹
特開2019-019037 炭化ケイ素単結晶の製造方法

原田俊太, 宇治原徹, 畑佐豪記, 村山健太
WO2018-180013 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法

古庄智明, 田中貴規, 黒岩丈晴, 宇治原徹, 原田俊太, 村山健太
特許第6296394号 3C-SiC単結晶およびその製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 関和明
特許第6259740号炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典
特許第6122265号結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦, 長岡美津也
特許第6122265号結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦, 長岡美津也
特開2017-065977 SiC単結晶

宇治原徹, 原田俊太, 村山健太
特許第6069758号ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦
特許第6069757号ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 関和明
特許第6069758号 SiC単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 関和明
特許第6069757号 SiC単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 関和明
特開2016-216688 熱伝導率可変デバイス

宇治原徹, 中村彩乃, 原田俊太, 青柳健大
特許第5991556号太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

宇治原徹, 桑原真人, 原田俊太, 志村大樹, 市橋史朗

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社会貢献活動

基盤産業支援セミナー

講師

あいち産業科学技術総合センター「結晶の分析・評価」～シンクロトロン光によって見えるもの～ 2017年12月 - 2017年12月

メディア報道

名大、分光測定時間を5分の1にベンチャー設立で普及へ

日本経済新聞社 NIKKEI Tech Foresight https://www.nikkei.com/prime/tech-foresight/article/DGXZQOUC141GA0U3A910C2000000 2023年9月22日インターネットメディア
分光測定の時間を短縮できる解析プログラムを開発名古屋大学

MEITEC fabcross for エンジニア https://engineer.fabcross.jp/archeive/230908_nagoya-uac.html 2023年9月8日インターネットメディア
名大，分光分析の高速化を実現するプログラムを開発

オプトロニクス社 OPTRONICS ONLINE https://optronics-media.com/news/20230907/82946/ 2023年9月7日インターネットメディア
分光分析の高速化を実現する解析プログラムを開発～X線光電子分光測定の測定時間を従来の約1/5に～

株式会社バイオインパクト日本の研究.com https://research-er.jp/articles/view/125667 2023年9月7日インターネットメディア
名大、Ｘ線光電子分光の測定時間20分の1に信頼性試験など効率向上

日刊工業新聞社日刊工業新聞 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00685032 2023年9月6日インターネットメディア
名大など、ウエハー製造にAI 結晶成長工程を自動化

日本経済新聞社日経テックフォーサイト https://www.nikkei.com/prime/tech-foresight/article/DGXZQOUC2140P0R20C23A7000000 2023年7月28日インターネットメディア
名大など、自動化アルゴリズム開発結晶成長のプロセス制御

日刊工業新聞社日刊工業新聞電子版 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00679272?gnr_footer=0071666/ 2023年7月13日インターネットメディア
結晶成長のプロセス制御名大など自動化アルゴリズム

日刊工業新聞社日刊工業新聞 24面 2023年7月13日新聞・雑誌
製造プロセスの自動化へ、AI制御アルゴリズム開発

アイティメディア株式会社 EE Times Japan https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2307/11/news059.html 2023年7月11日インターネットメディア
名大ら，製造プロセスのAI制御アルゴリズムを開発

株式会社オプトロニクス社 OPTRONICS ONLINE https://optronics-media.com/news/20230711/81924/ 2023年7月11日インターネットメディア
製造プロセスの自動化へ、AI制御アルゴリズム開発結晶成長装置の試作機を開発中

アイティメディア株式会社 EE Times Japan 2023年7月11日インターネットメディア
名古屋工業大学などがSiCの欠陥拡張抑制、長期信頼性向上

株式会社日経BP 日経XTECH 2022年10月4日新聞・雑誌
SiCパワー半導体結晶欠陥水素イオン注入で抑制

株式会社科学新聞社科学新聞 4面 2022年9月30日新聞・雑誌
SiC信頼性水素イオンで向上電気特性劣化を抑制

産業新聞社日刊産業新聞 9ページ 2022年9月27日新聞・雑誌
SiCの信頼性向上イオン注入で欠陥抑制

産業タイムズ社電子デバイス産業新聞 3面 2022年9月22日新聞・雑誌
水素イオンでSiCパワー半導体の欠陥拡張を抑制、名工大などが発見

マイナビ TECH+（テックプラス） 2022年9月6日インターネットメディア
SiCパワー半導体劣化抑制技術を開発

電気新聞産業・技術 2022年9月6日新聞・雑誌
名大など半導体ウエハーの転移・ひずみ分布可視化パワー半導体後押し

電波新聞社日刊電波新聞 10ページ 2022年8月5日
丁寧に不良解析

日刊工業新聞社日刊工業新聞 17面 2022年7月8日新聞・雑誌
NEDO/ウエハー内面の転移・ひずみ/分布可視化に成功/名大などと共同で

産業新聞社日刊産業新聞 9ページ 2022年7月6日

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原田俊太

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