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2008年1月17日

新規Sm(III)錯体の深赤色発光特性

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ
  • 川井 秀記
  • ,
  • 趙 晨
  • ,
  • 鶴岡 真一
  • ,
  • 吉田 孝彦
  • ,
  • 長谷川 靖哉
  • ,
  • 河合 壯

107
453
開始ページ
77
終了ページ
80
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

種々の新規なサマリウム錯体を合成し、その赤色発光特性について検討を行った。配位子を配位することにより、長波長域の644nmの発光が著しく増加した。磁気双極子遷移(598nm)に対する電気双極子遷移(644nm)の発光強度比は、ビピリジン(bpy),フェナントロリン(phen)を配位させたものに比べて、トリフェニルホスフィンオキシド(TPPO)を配位させたものが高い値を示した。このような発光特性は、新規Sm錯体の配位数と非対称的な構造によるものと考えられる。このSm錯体の深赤色発光は、白色発光ダイオードの演色性を高める有力な材料となり得る。

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110006613755
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10060775
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • CiNii Articles ID : 110006613755
  • CiNii Books ID : AN10060775
  • identifiers.cinii_nr_id : 9000006652648

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