2008年1月17日
新規Sm(III)錯体の深赤色発光特性
電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ
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- 巻
- 107
- 号
- 453
- 開始ページ
- 77
- 終了ページ
- 80
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
種々の新規なサマリウム錯体を合成し、その赤色発光特性について検討を行った。配位子を配位することにより、長波長域の644nmの発光が著しく増加した。磁気双極子遷移(598nm)に対する電気双極子遷移(644nm)の発光強度比は、ビピリジン(bpy),フェナントロリン(phen)を配位させたものに比べて、トリフェニルホスフィンオキシド(TPPO)を配位させたものが高い値を示した。このような発光特性は、新規Sm錯体の配位数と非対称的な構造によるものと考えられる。このSm錯体の深赤色発光は、白色発光ダイオードの演色性を高める有力な材料となり得る。
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110006613755
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10060775
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110006613755
- CiNii Books ID : AN10060775
- identifiers.cinii_nr_id : 9000006652648