堀口 文男

J-GLOBALへ         更新日: 17/03/02 10:27
 
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研究者氏名
堀口 文男
 
ホリグチ フミオ
eメール
f-horitoyo.jp
所属
東洋大学
部署
総合情報学部 総合情報学科
職名
教授,東洋大学 総合情報学部 総合情報学科
学位
工学博士(東京工業大学大学院電子システム専攻)
科研費研究者番号
00408965

研究分野

 
 

学歴

 
 
   
 
東京工業大学大学院総合理工学研究科  
 
 
   
 
東京工業大学工学部電子工学科  
 

委員歴

 
 
 - 
現在
2004/5~2007/5 電子情報通信学会 シリコン・材料・デバイス研究会 委員長
 

受賞

 
 
2012/9 電子情報通信学会 平成23年度エレクトロニクスレター論文賞
 
 
2002/10 (社)発明協会 地方発明表彰「高速動作マイクロプロセッサ」登録番号JP2642346
 
 
1981/4 電子情報通信学会 学術奨励賞
 

論文

 
A Comprehensive Model for Write Disturbance in Resistive Memory Composed of Cross-Point Array
浅尾 吉昭、堀口 文男
IEICE Trans. Electron.   E100-C(3) 329-339   2017年   [査読有り]
浅尾 吉昭、堀口 文男
IEICE Trans. Electron.   E99.C(1) 128   2016年1月   [査読有り]
オンチップ太陽電池のダイナミック電圧・電流制御
堀口 文男
信学論(C)   J97-C(2) 77-78   2014年2月   [査読有り]
オンチップ太陽電池の並列直列接続を3つのMOSトランジスタで瞬時に変更できる方法を初めて提案している.同一チップ上のリングオシレータにより電源電圧を0.5Vから0.9Vと1.18Vにダイナミックに変更できることを実証し、照明条件や負荷条件に応じて最適な電圧・電流構成に制御できることを明らかにした.
堀口 文男
Transaction on Electron Devices IEEE   59(6) 1580-1584   2012年6月   [査読有り]
直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法
堀口 文男、塚越 亨,富樫英樹
信学論(C)   J94-C(5) 136-137   2011年5月   [査読有り]
通常のバルクCMOSで用いられるトリプルウェルCMOSプロセスを用いて、p-n接合太陽電池を直列接続し、CMOS回路の基板電圧とは独立に、0.9V~1.3Vを発生させる方法を初めて提案した.これにより、同一チップ上のリングオシレータが単一の太陽電池以上の動作電圧で動作できることを明らかにした。

書籍等出版物

 
Information Technology I, Chapter12 Dynamic Random Access Memory, Nanotechnology
堀口 文男
Willy-VCH   2008年5月   
エンジニアのための哲学・倫理
堀口 文男、神田 雄一 菊地 章太 中川 良隆 石原 次郎 植田 佳典 井上 貴也 千葉工業大学 榎本眞三 日立製作所 牧 英夫
実教出版   2007年2月   

講演・口頭発表等

 
直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法 [招待有り]
堀口 文男、東洋大学大学院工学研究科 塚越 亨、同 富樫英樹
電子情報通信学会ソサイエティ大会エレクトロニクス講演論文集2、C-12-43   2012年9月14日   
トリプルウェルCMOSプロセスを使い、p-wellの側面をn-wellで、底面を高加速イオン注入したdeep n-well (dn-well) で取り囲み、p基板と回路や太陽電池をp-n接合分離する方法を新たに提案し、直列接続で1.3Vを初めて実現した。
Integration of Series-Connected On-Chip Solar Battery in a Triple-Well CMOS LSI
堀口 文男
ESSDERC 2011   2011年9月14日   
Advanced memory concepts for DRAM and nonvolatile memories [招待有り]
堀口 文男
ESSDERC 2005   2005年9月   

競争的資金等の研究課題

 
大容量多層メモリ回路技術の開発
科学研究費 基盤研究(C)(一般)
研究期間: 2009年 - 2011年    代表者: 堀口 文男
MRAMの多層化
研究期間: 2005年 - 2008年

特許

 
特開2015-018942 : 半導体装置
堀口文男
特許5780629 : 半導体装置
堀口文男

その他

 
2009年
VLSI設計技術に関する集中講義
ベトナム 国家ホーチミン大学 大学院において、VLSI設計技術について集中講義を行った。
2009年
東洋大学 全学FD委員
2007年
東洋大学 コンピュテーショナル工学科主任
2004年
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会、委員長
2004年
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 電子・情報技術戦略調査委員会(ストレージ・メモリ技術戦略検討ワーキンググループ) 委員
メモリの動向について、まとめる。