2012年9月14日
直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法
電子情報通信学会ソサイエティ大会エレクトロニクス講演論文集2、C-12-43
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トリプルウェルCMOSプロセスを使い、p-wellの側面をn-wellで、底面を高加速イオン注入したdeep n-well (dn-well) で取り囲み、p基板と回路や太陽電池をp-n接合分離する方法を新たに提案し、直列接続で1.3Vを初めて実現した。