劉玉懐 (Yuhuai Liu) - マイポータル

基本情報

学位: 博士（理学）(中国科学アカデミー)

J-GLOBAL ID: 200901043115990429
researchmap会員ID: 6000008973

外部リンク: http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/9955ece6076dd17b72ba51c466c9bc44.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2003年 - 2007年

三重大学工学部研究員
2003年 - 2007年

三重大学, 工学部
2007年

- 東北大学金属材料研究所助教授
2007年

- Institute for Materials Research, Tohoku University Assistant Professor
2000年 - 2003年

徳島大学サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー研究員
2000年 - 2003年

Satellite Venture Business Laboratory, The University of Tokushima Researcher
1999年 - 2000年

中国科学アカデミー半導体研究所研究員
1999年 - 2000年

Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences Researcher
東北大学金属材料研究所電子材料物性学研究部門, 助教

学歴

受賞

2009年

東北大学金属材料研究所第１１７回講演会優秀ポスター賞
2009年

東北大学金属材料研究所第１１７回講演会優秀ポスター賞
1999年

中国科学院大恒光学賞
1999年

Dahen Optics Awards of Chinese Academy of Sciences

MISC

Grating Fabrication on Nitrides Grown by MOVPE for DFB Lasers

M. Nakao, T. Kimura, Y. Liu, S-Y. Ji, T. Matsuoka

phys. stat. sol. (c), 2009年
MOVPE growth of InN: a comparison between a horizontal and a vertical reactor

Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Taka-aki Shimada, Masaki Hirata, Masaki Wakaba, Masashi Nakao, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 S381-S384 2009年
Grating Fabrication on Nitrides Grown by MOVPE for DFB Lasers

M. Nakao, T. Kimura, Y. Liu, S-Y. Ji, T. Matsuoka

phys. stat. sol. (c), 2009年
MOVPE growth of InN: a comparison between a horizontal and a vertical reactor

Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Taka-aki Shimada, Masaki Hirata, Masaki Wakaba, Masashi Nakao, Shi-Yang Ji, Takashi Matsuoka

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 S381-S384 2009年
Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethy ethylediamine tetraacetic acid complexes with ammonia

Yu-Huai Liu, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura, Nobuyoshi Nambu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6 5(6) 1522-+ 2008年
Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethy ethylediamine tetraacetic acid complexes with ammonia

Yu-Huai Liu, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura, Nobuyoshi Nambu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6 5(6) 1522-+ 2008年
Reaction route of GaN powder formation via sintering gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes in ammonia

Yu-Huai Liu, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura, Nobuyoshi Nambu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(12) 7693-7698 2007年12月
Reaction route of GaN powder formation via sintering gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes in ammonia

Yu-Huai Liu, Shinya Koide, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Atsushi Nakamura, Nobuyoshi Nambu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(12) 7693-7698 2007年12月
Synthesis of III-nitride microcrystals using metal-EDTA complexes

Y. H. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, A. Nakamura, N. Nambu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2346-+ 2007年
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets

K. Nakao, D. B. Li, Y. H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2383-+ 2007年
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE

K. Tsujisawa, S. Kishino, Y. H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata, M. Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2252-+ 2007年
Synthesis of III-nitride microcrystals using metal-EDTA complexes

Y. H. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, A. Nakamura, N. Nambu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2346-+ 2007年
Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets

K. Nakao, D. B. Li, Y. H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2383-+ 2007年
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE

K. Tsujisawa, S. Kishino, Y. H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata, M. Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2252-+ 2007年
Fabrication of thick AlN film by low pressure hydride vapor phase epitaxy

Yu-Huai Liu, Tomoaki Tanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mutsuhiro Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1479-1482 2006年
N-type conductivity control of AlGaN with high Al mole fraction

Takuya Katsuno, Yuhuai Liu, Dabing Li, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1435-1438 2006年
Enhanced emission efficiency of InGaN films with Si doping

Da-Bing Li, Yu-Huai Liu, Takuya Katsuno, Keisuke Nakao, Kazuya Nakamura, Masakazu Aoki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1944-1948 2006年
金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成

小出晋也, 中村和哉, 劉玉懐, 三宅秀人, 平松和政, 中村淳, 南部信義

信学技報 106(45,46) 39-44 2006年
Fabrication of thick AlN film by low pressure hydride vapor phase epitaxy

Yu-Huai Liu, Tomoaki Tanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mutsuhiro Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1479-1482 2006年
N-type conductivity control of AlGaN with high Al mole fraction

Takuya Katsuno, Yuhuai Liu, Dabing Li, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1435-1438 2006年

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講演・口頭発表等

Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (1) ~ The Growth Mechanisms ~

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2) ~ Towards the Dense Films under High-Temperature Growth ~

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (3) ~ Temperature Dependence on Structure Properties ~

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (4) ~ Optical and Electrical Properties ~

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
Progresses in GaN Growth on ZnO Substrate

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
Influence of V/III ratio on surface morphologies and optical properties of MOVPE-grown InGaN epitaxial layers

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
InN薄膜成長用基板結晶LaBGeO5の単結晶育成

第57回応用物理学会春季講演会 2010年
m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
InGaN のMOVPE 成長におけるV/III 比の依存性

第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (1) ~ The Growth Mechanisms ~

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
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Progresses in GaN Growth on ZnO Substrate

The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010年
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第57回応用物理学会春季講演会 2010年
m面GaN基板上でのInGaN薄膜の歪緩和

第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
MOVPE法によるGaNテンプレート上へのInGaNエピタキシャル成長

第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
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第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年

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所属学協会

Works(作品等)

光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発

2009年 - 2010年
窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発

2009年 - 2010年
光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発

2009年 - 2010年
窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発

2009年 - 2010年

共同研究・競争的資金等の研究課題

光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発

その他の研究制度 2009年 - 2009年
窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発

先端技術開発研究 2009年 - 2009年
Development of InGaN growth technology on nonpolar M-plane GaN for optical fiber communications with semiconductor laser

The Other Research Programs 2009年 - 2009年
Key technologies for high-efficiency solar cells using nitride semiconductors

0103 (Japanese Only) 2009年 - 2009年
温度安定性に優れた光通信用ＩｎＮ半導体レーザの研究

ＪＳＴ戦略的創造研究推進制度（研究チーム型）（戦略的基礎研究推進事業：ＣＲＥＳＴ） 2006年
Temperature roubust InN semiconductor laser for optical communications

JST Basic Research Programs (Core Research for Evolutional Science and Technology :CREST) 2006年
Crystal growth of III-nitride semiconductor materials

The Other Research Programs
窒化物半導体材料の結晶成長

官民連帯共同研究