田中保宣 (Yasunori Tanaka) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター副研究センター長

J-GLOBAL ID: 200901090626309485
researchmap会員ID: 0000030473

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=Y72950186

研究分野

論文

Evaluation of silicon- and carbon-face SiO2/SiC MOS interface quality based on scanning nonlinear dielectric microscopy

Norimichi Chinone, Alpana Nayak, Ryoji Kosugi, Yasunori Tanaka, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Yasuo Cho

APPLIED PHYSICS LETTERS 111(6) 2017年8月
Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers

T. Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata

Superlattices and Microstructures 99 197-201 2016年11月査読有り
Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

N. Chinone, R. Kosugi, Y. Tanaka, S. Harada, H. Okumura, Y. Cho

MICROELECTRONICS RELIABILITY 64 566-569 2016年9月
Self-aligned formation of the trench bottom shielding region in 4H-SiC trench gate MOSFET

Takahito Kojima, Shinsuke Harada, Yusuke Kobayashi, Mitsuru Sometani, Keiko Ariyoshi, Junji Senzaki, Manabu Takei, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 2016年4月査読有り
3.3-kV-Class 4H-SiC MeV-Implanted UMOSFET With Reduced Gate Oxide Field

Shinsuke Harada, Yusuke Kobayashi, Keiko Ariyoshi, Takahito Kojima, Junji Senzaki, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 37(3) 314-316 2016年3月
Two-dimensional local deep level transient spectroscopy imaging using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy

N. Chinone, Y. Cho, R. Kosugi, Y. Tanaka, S. Harada, H. Okumura

ISTFA 2016: CONFERENCE PROCEEDINGS FROM THE 42ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS 441-445 2016年査読有り
Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs

Y. Kobayashi, T. Yokozeki, T. Yokozeki, T. Matsuda, T. Matsuda, S. Mitomo, S. Mitomo, K. Murata, K. Murata, M. Hachisuka, Y. Kaneko, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata

Materials Science Forum 858 868-871 2016年1月1日
Proposal of local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy and 2-dimensional imaging of trap distribution in SiO2/SiC interface

Norimichi Chinone, Ryoji Kosugi, Yasunori Tanaka, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Yasuo Cho

PROCEEDINGS OF THE 2016 IEEE 23RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA) 360-364 2016年
Influence of growth pressure on filling 4H-SiC trenches by CVD method

Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Ryoji Kosugi, Shingo Saito, Yuuki Sakuma, Yasunori Tanaka, Sadafumi Yoshida, Hiroaki Himi, Hajime Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(1) 2016年1月査読有り
Experimental Demonstration of SiC Screen Grid Vertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low C-rss

Koji Yano, Tsuvoshi Ishikawa, Yasunori Tanaka, Tsutomu Yatsuo, M. Yamamoto

2016 28TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 487-490 2016年査読有り
Filling 4H-SiC trench towards selective epitaxial growth by adding HCl to CVD process

Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Ryoji Kosugi, Shingo Saito, Yuuki Sakuma, Yasunori Tanaka, Sadafumi Yoshida, Hiroaki Himi, Hajime Okumura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8(6) 2015年6月査読有り
Systematic investigation on in-plane anisotropy of surface and buried channel mobility of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors on Si-, a-, and m-face 4H-SiC

K. Ariyoshi, R. Iijima, S. Harada, K. Kojima, J. Senzaki, Y. Tanaka, K. Takao, T. Shinohe

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(10) 2015年3月査読有り
Development of Ultrahigh-Voltage SiC Devices

Kenji Fukuda, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Tadayoshi Deguchi, Tomonori Mizushima, Kensuke Takenaka, Hiroyuki Fujisawa, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Yoshiyuki Yonezawa, Tomohisa Kato, Shuji Katakami, Manabu Arai, Manabu Takei, Shinichiro Matsunaga, Kazuto Takao, Takashi Shinohe, Toru Izumi, Toshihiko Hayashi, Syuuji Ogata, Katsunori Asano, Hajime Okumura, Tsunenobu Kimoto

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(2) 396-404 2015年2月
Effects of interface state density on 4H-SiC n-channel field-effect mobility

Hironori Yoshioka, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(8) 2014年2月査読有り
Accurate characterization of interface state density of SiC MOS structures and the impacts on channel mobility

Hironori Yoshioka, Takashi Nakamura, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura, Tsunenobu Kimoto

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 418-+ 2014年査読有り
Threshold voltage instability of SiC-MOSFETs on various crystal faces

Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada, Keiko Ariyoshi, Takahito Kojima, Yasunori Tanaka, Hajinne Okumura

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 521-+ 2014年査読有り
Nitridation effects of gate oxide on channel properties of SiC trench MOSFETs

K. Ariyoshi, S. Harada, J. Senzaki, T. Kojima, K. Kojima, Y. Tanaka, T. Shinohe

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 615-618 2014年査読有り
Reliability Improvement and Optimization of Trench Orientation of 4H-SiC Trench-Gate Oxide

T. Kojima, S. Harada, K. Ariyoshi, J. Senzaki, M. Takei, Y. Yonezawa, Y. Tanaka, H. Okumura

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 537-540 2014年査読有り
Development of Ultrahigh Voltage SiC Power Devices

Kenji Fukuda, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Yoshiyuki Yonezawa, Tadayoshi Deguchi, Shuji Katakami, Hitoshi Ishimori, Shinji Takasu, Manabu Arai, Kensuke Takenaka, Hiroyuki Fujisawa, ManabuTakei, Kazushi Matsumoto, Naoyuki Ohse, Mina Ryo, Chiharu Ota, Kazuto Takao, Makoto Mizukami, Tomohisa Kato, Toru Izumi, Toshihiko Hayashi, Koji Nakayama, Katsunori Asano, Hajime Okumura, Tsunenobu Kimoto

2014 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-HIROSHIMA 2014 - ECCE-ASIA) 3440-3446 2014年
Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT

Tomonori Mizushima, Kensuke Takenaka, Hiroyuki Fujisawa, Tomohisa Kato, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Naoki Kumagai, Shinichiro Matsunaga, Tadayoshi Deguchi, Manabu Arai, Tetsuo Hatakeyama, Youichi Makifuchi, Tsuyoshi Araoka, Naoyuki Oose, Takashi Tsutsumi, Mitsuru Yoshikawa, Katsumi Tatera, Atsushi Tanaka, Syuji Ogata, Koji Nakayama, Toshihiko Hayashi, Katsunori Asano, Masayuki Harashima, Yukio Sano, Eisuke Morisaki, Manabu Takei, Masaaki Miyajima, Hiroshi Kimura, Akihiro Otsuki, Yoshiyuki Yonezawa, Kenji Fukuda, Hajime Okumura, Tsunenobu Kimoto

2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD) 277-280 2014年

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MISC

Effects of interface state density on 4H-SiC n-channel field-effect mobility (vol 104, 083516, 2014)

Hironori Yoshioka, Junji Senzaki, Atsushi Shimozato, Yasunori Tanaka, Hajime Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(10) 2015年3月
SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 (シリコン材料・デバイス)

先﨑純寿, 下里淳, 田中保宣, 奥村元

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 81-86 2013年6月18日
SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 (第20回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)

矢野浩司, 八尾勉, 田中保宣

SIデバイスシンポジウム講演論文集 (20) 29-34 2007年
700-V 1.0-m Omega center dot cm(2) buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)

Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akio Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 27(11) 908-910 2006年11月
埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価

田中保宣, 高塚章夫, 岡本光央, 荒井和雄, 八尾勉, 矢野浩司

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006(47) 89-93 2006年10月24日
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広, 加藤真, 下里淳

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(157) 1-4 2005年6月23日
産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

福田憲司, 原田信介, 岡本光央, 小杉亮治, 先崎純寿, 田中保宣, 児島一聡, 八尾勉, 高尾和人, 安達和広, 加藤真, 下里淳

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 105(154) 1-4 2005年6月23日
Reverse characteristics of pn diodes on 4H-SiC(000-1) C and (11-20) face

Y Tanaka, K Fukuda, K Arai, K Kojima, T Suzuki, T Yatsuo

APPLIED PHYSICS LETTERS 84(10) 1774-1776 2004年3月
N-channel MOSFETs fabricated on homoepitaxy-grown 3C-SiC films

KK Lee, Y Ishida, T Ohshima, K Kojima, Y Tanaka, T Takahashi, H Okumura, K Arai, T Kamiya

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 24(7) 466-468 2003年7月
Fabrication of 1.4-kV mesa-type p(+)-n diodes with avalanche breakdown and without forward degradation on high-quality 6H-SiC substrate

Y Tanaka, S Nishizawa, K Fukuda, K Arai, T Ohno, N Oyanagi, T Suzuki, T Yatsuo

APPLIED PHYSICS LETTERS 83(2) 377-379 2003年7月
The electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on cubic silicon carbide

T Ohshima, KK Lee, Y Ishida, K Kojima, Y Tanaka, T Takahashi, M Yoshikawa, H Okumura, K Arai, T Kamiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42(6B) L625-L627 2003年6月
Electrical activation of the ion-implanted phosphorus in 4H-SiC by excimer laser annealing

Y Tanaka, H Tanoue, K Arai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 93(10) 5934-5936 2003年5月
放射線・レーザー複合場における結晶成長ダイナミクスとその応用に関する研究

小林直人, 長谷川雅考, 田中保宣, 小倉政彦, 大久保雅隆, 山田家和勝, 竹内大輔

国立機関原子力試験研究成果報告書 40 2001年
4H-SiCへの硫黄イオン注入によるn型層の形成

田中保宣, 小林直人, 奥村元, 長谷川雅考, 小倉政彦, 吉田貞史, 田上尚男

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 47th(1) 2000年
4H-SiCイオン注入層の表面モフォロジー

田中保宣, 小林直人, 奥村元, 長谷川雅考, 小倉政彦, 吉田貞史, 田上尚男

応用物理学会学術講演会講演予稿集 60th(1) 1999年
4H-SiCへのp型不純物注入層の欠陥及び電気特性評価

田中保宣, 鈴木良一, 大平俊行, 奥村元, 西沢伸一, 小林直人, 長谷川雅考, 小倉政彦, 田上尚男

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 46th(1) 1999年
6H-SiCへのGa,C共注入効果

田中保宣, 小林直人, 長谷川雅考, 小倉政彦, 吉田貞史, 奥村元, 田上尚男, 西島俊二, 林伸行

応用物理学会学術講演会講演予稿集 59th(1) 1998年

田中保宣

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