パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(011)-2°off基板上にGeナノドットを形成し,その上からワイドギャップのSiCキャップ層を堆積し,SiC/Ge・SiCドット/Si_<1-x>C_x構造を作製した.その後水素ラジカルを照射することで界面に存在する未結合手を終端し,発光効率が向上しないか試みた.しかしフォトルミネッセンスの測定をした結果,水素がより多く取り込まれると考えられる低温照射されたサンプルにおいて発光強度が弱くなった.