MISC

1999年

Growth Mechanism during Si Epitaxy by Photo Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures

Jpn. J. Appl. Phys

Katsuya Abe
Tatsuro Watahiki Akira
Yamada Makoto Konagai

巻: 38
号: 6A
開始ページ: 3622
終了ページ: 3627
DOI: 10.1143/JJAP.38.3622

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DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.38.3622
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/110003907375

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DOI : 10.1143/JJAP.38.3622
ISSN : 0021-4922
ISSN : 1347-4065
CiNii Articles ID : 110003907375

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