小太刀明子 (Akiko Kotachi) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学理工学総合研究センター客員研究員

J-GLOBAL ID: 200901065274210837
researchmap会員ID: 5000066119

研究キーワード

研究分野

経歴

2001年 - 現在

慶應義塾大学理工学研究科
2001年

-current Keio University School of Integrated
1988年 - 1997年

富士通株式会社
1988年 - 1997年

Fujitsu Ltd.
Design Engineering

学歴

受賞

1997年

The Photopolymer Sceince and Technology Award
1997年

The Photopolymer Science and Technology Award

MISC

Effects of Coexistent Electrolytes and Surfaces of Substrates on Film Growth of Alkaline Earth Metal Carbonates

Third International Symposium on Biomimetic Materials Processing 2003年
Formation of silicate-mediated CaCO3 Films

Chem. Lett. 32(9) 820-821 2003年
Effects of Coexistent Electrolytes and Surfaces of Substrates on Film Growth of Alkaline Earth Metal Carbonates

Third International Symposium on Biomimetic Materials Processing 2003年
Formation of silicate-mediated CaCO3 Films

Akiko Kotachi, Takashi Miura, Hiroaki Imai

Chem. Lett. 32(9) 820-821 2003年
アダマンチルアクリレートポリマを用いたArFエキシマレジスト(3)－新保護基「2-メチル-2-アダマンチル」－

第43回応用物理学関連連合講演会講演予稿集No.2 27a-ZW-6 1996年
アダマンチルアクリレートポリマを用いたArFエキシマレジスト(2)

第43回応用物理学関連連合講演会講演予稿集No.2 27a-ZW-5 1996年
アダマンチルアクリレートポリマを用いたArFエキシマレジスト(1)

第43回応用物理学関連連合講演会講演予稿集No.2 27a-ZW-4 1996年
A novel polymer for a 193-nm resist

Koji Nozaki, Keiji Watanabe, Ei Yano, Akiko Kotachi, Satoshi Takechi, Isamu Hanyu

Journal of Photopolymer Science and Technology 9(3) 509-522 1996年
Impact of 2-methyl-2-adamantyl group used for 193-nm single-layer resist

Satoshi Takechi, Makoto Takahashi, Akiko Kotachi, Koji Nozaki, Ei Yano, Isamu Hanyu

Journal of Photopolymer Science and Technology 9(3) 475-488 1996年
A novel polymer for a 193-nm resist

Koji Nozaki, Keiji Watanabe, Ei Yano, Akiko Kotachi, Satoshi Takechi, Isamu Hanyu

Journal of Photopolymer Science and Technology 9(3) 509-522 1996年
Impact of 2-methyl-2-adamantyl group used for 193-nm single-layer resist

Satoshi Takechi, Makoto Takahashi, Akiko Kotachi, Koji Nozaki, Ei Yano, Isamu Hanyu

Journal of Photopolymer Science and Technology 9(3) 475-488 1996年
Si-containing Positive Resist for ArF Excimer Laser Lithography

KOTACHI A, TAKECHI S, HANYU I

J. Photopolym. Sci. Tech. 8(4) 615-622 1995年
Si含有化学増幅ポジ型レジストの材料(2)－ArF露光特性－

第42回応用物理学関連連合講演会 1995年
Si-Containing Posi-tive Resist for ArF Excimer Laser Lithography

KOTACHI A.

J. Photopolym. Sci. Technol. 8(4) 615-622 1995年
Si-Containing Polymethacrylate as Chemically Amplified Positive Resist

Proceedings 10th international conference on photopolymers 107 1994年
Si-Containing Polymethacrylate as Chemically Amplified Positive Resist

Proceedings 10th international conference on photopolymers 107 1994年
Si含有ポジ型レジストの材料(1)－ポリメタクリレート系樹脂

第54回応用物理学会学術講演回講演予稿集No.2 27a-SHF-2 1993年
Si含有ポリ（α-CF3）アクリレートによる電子線ポジ型レジストの検討

第51回応用物理学会学術講演会講演予稿集第2分冊28aP-PC-4 1990年

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ウェットプロセスによるダイレクトパターニングに関する研究

2001年 - 2004年
Study of direct patterning by all wet process

2001年 - 2004年

産業財産権

もっとみる