久保俊晴 (Toshiharu Kubo) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院しくみ領域准教授

学位: 博士（工学）(慶應義塾大学)
Doctor(Engineering)(Keio University)

研究者番号: 10422338
J-GLOBAL ID: 200901037517336334
researchmap会員ID: 5000066820

外部リンク: http://www.geocities.jp/egawa_lab/

研究キーワード

電子デバイス

研究分野

経歴

2018年4月 - 現在

名古屋工業大学, 大学院しくみ領域, 准教授
2010年4月 - 2018年3月

名古屋工業大学, 助教
2008年12月 - 2010年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 大学等非常勤研究員
2005年10月 - 2008年12月

東京大学, 大学院工学系研究科, 大学等非常勤研究員

学歴

1999年4月 - 2005年5月

慶應義塾大学, 理工学研究科, 基礎理工学専攻
1995年4月 - 1999年3月

慶應義塾大学, 理工学部, 物理情報工学科

委員歴

2018年4月 - 現在

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 委員
2014年4月 - 現在

応用物理学会応用電子物性分科会, 幹事
2016年10月 - 2018年11月

日本応用物理学会, IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
2016年10月 - 2017年11月

日本応用物理学会, IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
2010年11月 - 2011年3月

実行委員

受賞

2017年3月

ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award, ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

論文

Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer

Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 38(9) 2023年9月1日
Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films

Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Applied Physics Express 14(11) 116503 2021年10月29日査読有り
Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer

PradipDalapati, KosukeYamamoto, ToshiharuKubo, TakashiEgawa, MakotoMiyoshi

Optik 245 167691 2021年7月24日査読有り
High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure ﬁeld-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Journal of Vacuum Science & Technology B 37(4) 041205-1-041205-4 2019年7月19日査読有り
Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition

Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Physica B 571 210-212 2019年7月18日査読有り
Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures

Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 34(5) 055014-1-055014-6 2019年4月6日査読有り
Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces

Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa, Mitsuaki Shimizu

Semiconductor science and Technology 34(2) 025009-1-025009-7 2019年1月9日査読有り
Device characteristics and MIS interface evaluation of Al₂O₃/AlGaInN/AlGaN MIS HFET

Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 2019年
Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

Jpn. J. Appl. Phys. 57(1) 01AD04-1-01AD04-5 2017年12月11日査読有り
Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing

Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 32(12) 125016-1-125016-5 2017年11月20日査読有り
Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa, Mitsuaki Shimizu

MICROELECTRONIC ENGINEERING 178 182-185 2017年6月査読有り
Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 32(6) 065012-1-065012-5 2017年5月22日査読有り
Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique

Makoto Miyoshi, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(1) 2017年1月査読有り
Influence of AlN nucleation layer on vertical breakdown characteristics for GaN‐on‐Si

J. J. Freedsman, A. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Kubo, T. Egawa

physica status solidi (a) 213(2) 424-428 2015年11月23日査読有り
Analysis of post-deposition annealing effects on insulator/semiconductor interface of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates

Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Extended Abstracts of 2015 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2015年9月27日査読有り
Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors

Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

APPLIED PHYSICS LETTERS 107(7) 2015年8月査読有り
Normally-oﬀ AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge compensation δ-doped GaN cap layer (共著)

Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa

Applied Physics Express 8(2) 026502-1-026502-4 2015年2月査読有り
Effects of process temperature during atomic layer deposition using water and ozone as oxidants on current–voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates (共著)

Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, Takashi Egawa

Japanease Journal of Applied Physics 54(2) 020301-1-020301-4 2015年1月21日査読有り
Low Ohmic-Contact Resistance in Recessed-Gate Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMT with delta-Doped GaN Cap Layer

A. Wakejima, A. Ando, A. Watanabe, K. Inoue, T. Kubo, T. Nagai, N. Kato, Y. Osada, R. Kamimura, T. Egawa

2015 73RD ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC) 59-60 2015年査読有り
Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals (共著)

Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

Materials Research Express 2(1) 015602-1-015602-8 2015年1月査読有り

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MISC

触媒金属凝集を利用した転写フリーグラフェンFETの作製

久保俊晴

新東技報 (42) 2024年
電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価

久保俊晴, 三木隆太郎, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 124(278(ED2024 20-38)) 2024年
緩衝層として歪超格子層およびAlGaN遷移層を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTの電気特性評価

三木隆太郎, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 124(278(ED2024 20-38)) 2024年
厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製

加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス

久保俊晴, 小池貴也, 神谷俊輝, 江川孝志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性

久保俊晴, 三木隆太郎, 江川孝志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価

加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(41(ED2023 1-9)) 2023年
ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果

久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(288(ED2023 14-37)) 2023年
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェン膜の作製

加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.2 3327-3327 2022年8月26日
AlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるリセス構造形成後表面処理の効果

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.2 2873-2873 2022年8月26日
高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス

小池貴也, 林航希, 早藤綾佑, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(271(ED2022 24-48)) 2022年
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(271(ED2022 24-48)) 2022年
Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ

久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 2426-2426 2021年2月26日
ALDにより成膜したSiO₂/Al₂O₃2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 121(259(ED2021 15-36)) 2021年
ALD により成膜したSiO₂/Al₂O₃ 2 層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 1901-1901 2020年8月26日
ALDにより成膜したSiO₂/Al₂O₃2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 120(254(ED2020 1-26)) 2020年
極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェンFETの作製

久保俊晴, 江川孝志, 三好実人

村田学術振興財団年報 (34) 2020年
転写フリーグラフェンFETの電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, DORJDAGVA B., 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
ALDにより成膜したSiO₂/Al₂O₃2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価—Estimation of device characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO₂/Al₂O₃ double insulators fabricated by ALD—レーザ・量子エレクトロニクス

横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(304) 37-40 2019年11月
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼす Ni 金属触媒の結晶性の効果

小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3873-3873 2019年9月4日

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講演・口頭発表等

Si基板上GaN縦型デバイスにおける温度特性評価

青野良哉, 中島匠馬, 近藤立也, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2025年11月20日
Fabrication of transfer-free graphene FETs utilizing the catalyst metal agglomeration technique with fine Ni patterns

Toshiharu Kubo, Naoyuki Sasada, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日招待有り
厚いNiパターンに沿った凝集現象を用いて形成されたサファイア基板上転写フリーグラフェンの電気特性

笹田尚志, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月7日
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2021年11月25日電子情報通信学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月21日日本応用物理学会
Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ

久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日日本応用物理学会
転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II

高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日日本応用物理学会
Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD

Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

ISPlasma2021 2021年3月8日日本応用物理学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日電子情報通信学会
ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日日本応用物理学会
転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日日本応用物理学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日日本応用物理学会
Estimation of electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double-layer insulators fabricated by atomic layer deposition

Shunichi Yokoi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

ISPlasma2020 2020年3月8日 JSAP
Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs

Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

ISPlasma2020 2020年3月8日 JSAP
Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅱ

吉田信輝, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
Al2O3/AlInGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価

藤田紘空, ビスワスディバリン, 鳥居直生, 吉田貴広, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2

Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
Estimation of post-deposition annealing effects on electrical properties of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

S. Yokoi, T. Kubo, T. Egawa

SSDM2019 2019年9月2日 JSAP

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

絶縁膜/GaN界面の電子準位

その他の研究制度 2010年4月 - 現在
極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

久保俊晴, 三好実人
Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発

民間財団等内藤科学技術振興財団助成金 2020年6月 - 2021年3月
極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製

民間財団等村田財学術振興財団第35回学術助成金 2019年4月 - 2020年3月
低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発

受託研究（一般受託研究） 2017年4月 - 2020年3月

江川孝志
GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究

株式会社アルバック共同研究（国内共同研究） 2016年4月 - 2017年3月
新しいグラフェン合成プロセスの開発とエネルギー利用効率化への展開

民間財団等東燃ゼネラル石油研究奨励・奨学財団研究助成 2016年4月 - 2017年3月
高Al組成AlGaNの表面特性

その他の研究制度 2008年12月 - 2010年3月
中性子照射による炭素化合物の特性改良

その他の研究制度 2005年10月 - 2008年12月
グラファイトの電気伝導に関する研究

その他の研究制度 1998年4月 - 2005年10月

産業財産権

2017-20109 ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜

座間秀昭, 小林忠正, 久保俊晴, 江川孝志
2015-212450 グラフェンデバイスおよびその製造方法

三好実人, 久保俊晴, 江川孝志

久保俊晴

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委員歴

受賞

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MISC

講演・口頭発表等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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