久保俊晴 (Toshiharu Kubo) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院しくみ領域准教授

学位: 博士（工学）(慶應義塾大学)
Doctor(Engineering)(Keio University)

研究者番号: 10422338
J-GLOBAL ID: 200901037517336334
researchmap会員ID: 5000066820

外部リンク: http://www.geocities.jp/egawa_lab/

研究キーワード

電子デバイス

研究分野

経歴

2018年4月 - 現在

名古屋工業大学, 大学院しくみ領域, 准教授
2010年4月 - 2018年3月

名古屋工業大学, 助教
2008年12月 - 2010年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 大学等非常勤研究員
2005年10月 - 2008年12月

東京大学, 大学院工学系研究科, 大学等非常勤研究員

学歴

1999年4月 - 2005年5月

慶應義塾大学, 理工学研究科, 基礎理工学専攻
1995年4月 - 1999年3月

慶應義塾大学, 理工学部, 物理情報工学科

委員歴

2018年4月 - 現在

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 委員
2014年4月 - 現在

応用物理学会応用電子物性分科会, 幹事
2016年10月 - 2018年11月

日本応用物理学会, IWN2018(金沢)実行委員会・現地実行委員
2016年10月 - 2017年11月

日本応用物理学会, IWUMD2017(福岡)実行委員会・寄付/展示委員
2010年11月 - 2011年3月

実行委員

受賞

2017年3月

ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Best Presentation Award, ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 Committee

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

論文

Improved field-effect mobility in transfer-free graphene films synthesized via the metal agglomeration technique using high-crystallinity Ni catalyst films

Toshiharu Kubo, Akira Takahashi, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Applied Physics Express 14 116503 2021年10月29日査読有り
Bias-controlled photocurrent generation process in GaN-based ultraviolet p–i–n photodetectors fabricated with a thick Al2O3 passivation layer

PradipDalapati, KosukeYamamoto, ToshiharuKubo, TakashiEgawa, MakotoMiyoshi

Optik 245 167691 2021年7月24日査読有り
High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure ﬁeld-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Journal of Vacuum Science & Technology B 37 041205-1-041205-4 2019年7月19日査読有り
Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition

Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Physica B 571 210-212 2019年7月18日査読有り
Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures

Debaleen Biswas, Naoki Torii, Hirotaka Fujita, Takahiro Yoshida, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 34 055014-1-055014-6 2019年4月6日査読有り
Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces

Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa, Mitsuaki Shimizu

Semiconductor science and Technology 34 025009-1-025009-7 2019年1月9日査読有り
Impacts of oxidants in atomic layer deposition method on Al2O3/GaN interface properties

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

Jpn. J. Appl. Phys. 57 01AD04-1-01AD04-5 2017年12月11日査読有り
Electrical characteristics and interface properties of ALD-HfO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs fabricated with post-deposition annealing

Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 32 125016-1-125016-5 2017年11月20日査読有り
Understanding of frequency dispersion in C-V curves of metal-oxide-semiconductor capacitor with wide-bandgap semiconductor

Noriyuki Taoka, Toshiharu Kubo, Toshikazu Yamada, Takashi Egawa, Mitsuaki Shimizu

MICROELECTRONIC ENGINEERING 178 182-185 2017年6月査読有り
Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates

T. Kubo, M. Miyoshi, T. Egawa

Semiconductor Science and Technology 32 065012-1-065012-5 2017年5月22日査読有り
Self-forming graphene/Ni patterns on sapphire utilizing the pattern-controlled catalyst metal agglomeration technique

Makoto Miyoshi, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(1) 2017年1月査読有り
Influence of AlN nucleation layer on vertical breakdown characteristics for GaN‐on‐Si

J. J. Freedsman, A. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Kubo, T. Egawa

physica status solidi (a) 213(2) 424-428 2015年11月23日査読有り
Transfer-free graphene synthesis on sapphire by catalyst metal agglomeration technique and demonstration of top-gate field-effect transistors

Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Yukinori Arima, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

Applied Physics Letters 2015年8月17日査読有り
Effects of process temperature during atomic layer deposition using water and ozone as oxidants on current–voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on Si substrates (共著)

Toshiharu Kubo, Joseph J. Freedsman, Yusuke Yoshida, Takashi Egawa

Japanease Journal of Applied Physics 54 020301-1-020301-4 2015年1月21日査読有り
Normally-oﬀ AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge compensation δ-doped GaN cap layer (共著)

Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa

Applied Physics Express 8 026502-1-026502-4 2015年1月20日査読有り
Study on transfer-free graphene synthesis process utilizing spontaneous agglomeration of catalytic Ni and Co metals (共著)

Makoto Miyoshi, Masaya Mizuno, Kazuya Banno, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

Materials Research Express 2(1) 015602-1-015602-8 2015年1月査読有り
Electrical properties of GaN-based metal–insulator–semiconductor structures with Al2O3 deposited by atomic layer deposition using water and ozone as the oxygen precursors (共著)

Toshiharu Kubo, Joseph J Freedsman, Yasuhiro Iwata, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 29(4) 045004-1-045004-6 2014年2月20日査読有り
Transfer-free graphene synthesis on insulating substrates via agglomeration phenomena of catalytic nickel films (共著)

Kazuya Banno, Masaya Mizuno, Kazuhisa Fujita, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Tetsuo Soga

Applied Physics Letters 103(8) 082112-1-082112-4 2013年8月21日査読有り
High drain current density E-mode Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT on Si with enhanced power device figure-of-merit ( 4 x 10^8 V^2 ohm^-1 cm^-2) (共著)

Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

IEEE Transactions on Electron Devices 60(10) 3079-3083 2013年8月15日査読有り
Analyses of hetero-interface trapping properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon with thick buffer layers (共著)

Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Applied Physics Letters 101 013506-1-013506-4 2012年6月6日査読有り

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講演・口頭発表等

ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2021年11月25日電子情報通信学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

戸田圭太郎, 久保俊晴, 江川孝志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月21日日本応用物理学会
Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ

久保俊晴, 吉田信輝, 江川孝志

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日日本応用物理学会
転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II

高橋明空, 芝南々子, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日日本応用物理学会
Estimation of Electrical Properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 Double Insulators Fabricated by ALD

Shunichi Yokoi, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

ISPlasma2021 2021年3月8日日本応用物理学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日電子情報通信学会
ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日日本応用物理学会
転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日日本応用物理学会
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日日本応用物理学会
Estimation of electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double-layer insulators fabricated by atomic layer deposition

Shunichi Yokoi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

ISPlasma2020 2020年3月8日 JSAP
Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs

Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

ISPlasma2020 2020年3月8日 JSAP
Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅱ

吉田信輝, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす成膜後熱処理の効果

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
Al2O3/AlInGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価

藤田紘空, ビスワスディバリン, 鳥居直生, 吉田貴広, 久保俊晴, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
触媒金属凝集法を用いて作製した転写フリー多層膜グラフェンの光応答特性の評価2

Dorjdagva Bilguun, 小林幹, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日日本応用物理学会
Estimation of post-deposition annealing effects on electrical properties of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

S. Yokoi, T. Kubo, T. Egawa

SSDM2019 2019年9月2日 JSAP
Effects of forming gas annealing depending on gate electrode materials in ALD-Al2O3/AlGaN MIS-HEMT

Nobuki Yoshida, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

TWHM2019 2019年8月26日 JSAP
Reduction in ohmic contact resistance for AlGaN-channel HFETs with a quaternary AlGaInN barrier layer

S. Saito, D. Hosomi, K. Furuoka, H. Chen, T. Kubo, T. Egawa, M. Miyoshi

TWHM2019 2019年8月26日 JSAP
Device characteristics and MIS interface evaluation of Al2O3/AlGaInN/AlGaN MISHFET

Saki Saito, Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

CSW2019 2019年5月19日 JSAP

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

絶縁膜/GaN界面の電子準位

その他の研究制度 2010年4月 - 現在
極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月
Si基板上GaNパワーデバイスの性能を向上させるゲート構造用絶縁膜の開発

民間財団等内藤科学技術振興財団助成金 2020年6月 - 2021年3月
極微細金属パターン付き基板を用いた高性能グラフェン FET の作製

民間財団等村田財学術振興財団第35回学術助成金 2019年4月 - 2020年3月
低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発

受託研究（一般受託研究） 2017年4月 - 2020年3月

江川孝志
GaN-HEMTを高出力化するゲート絶縁膜プロセス開発に関する共同研究

株式会社アルバック共同研究（国内共同研究） 2016年4月 - 2017年3月
新しいグラフェン合成プロセスの開発とエネルギー利用効率化への展開

民間財団等東燃ゼネラル石油研究奨励・奨学財団研究助成 2016年4月 - 2017年3月
高Al組成AlGaNの表面特性

その他の研究制度 2008年12月 - 2010年3月
中性子照射による炭素化合物の特性改良

その他の研究制度 2005年10月 - 2008年12月
グラファイトの電気伝導に関する研究

その他の研究制度 1998年4月 - 2005年10月

産業財産権

2017-20109 ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜

座間秀昭, 小林忠正, 久保俊晴, 江川孝志
2015-212450 グラフェンデバイスおよびその製造方法

三好実人, 久保俊晴, 江川孝志