2020年11月26日 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 電子情報通信学会11月研究会 横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志 記述言語 日本語 会議種別 口頭発表（一般） 主催者 電子情報通信学会 開催地 オンライン
