論文

査読有り
2019年7月19日

High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

Journal of Vacuum Science & Technology B
  • Daiki Hosomi
    • ,
  • Keita Furuoka
    • ,
  • Heng Chen
    • ,
  • Saki Saito
    • ,
  • Toshiharu Kubo
    • ,
  • Takashi Egawa
    • ,
  • Makoto Miyoshi
巻
37
号
開始ページ
041205-1
終了ページ
041205-4
記述言語
英語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
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