Piotr PŁOTKA (Piotr Plotka) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属財団法人半導体研究振興会主任研究員

学位: 博士（工学）(グダニスク工科大学)

J-GLOBAL ID: 200901079148802991
researchmap会員ID: 5000066856

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

MISC

240-325-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy

Piotr Płotka, Jun-Ichi Nishizawa, Toru Kurabayashi, Hiroki Makabe

IEEE Transactions on Electron Devices 50(4) 867-873 2003年4月
240-325-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer

IEEE Transaction on Electron Devices 50(4) 867-873 2003年
Self-limiting growth of GaAs with doping by molecular layer epitaxy using triethyl gallium

NISHIZAWA J, KURABAYASHI T, PLOTKA P, KIKUCHI H, HAMANO T

Journal of Crystal Growth 244(3/4) 236-242 2002年
Ballistic and tunneling GaAs static induction transisters: Nano-devices for TH₂ electronics

NISHIZAWA J, PLOTKA P, KURABAYASHI T

IEEE Transactions on Electron Devices 49(7) 1102-1111 2002年
Self-limiting growth of GaAs with doping by molecular layer epitaxy using triethyl gallium

Journal of Crystal Growth 244(3/4) 236-242 2002年
Ballistic and tunneling GaAs static induction transisters: Nano-devices for TH2 electronics

IEEE Transactions on Electron Devices 49(7) 1102-1111 2002年
Light emission from tunnelling mode GaAs static induction transistor

J Nishizawa, P Plotka, T Kurabayashi

IEE PROCEEDINGS-CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS 146(1) 27-30 1999年2月
Low resistance contacts with chemical vapor deposited tungsten on GaAs growth by molecular layer epitaxy

OYAMA Y, PLOTKA P, MATSUMOTO F, KURABAYASHI T, HAMANO T, KIKUCHI H, NISHIZAWA J

Journal of Electro chemical Society 146(1) 131-136 1999年
Light emission from tunneling mode GaAs static induction transistor

IEE Proceedings-circuits, Devices, Systems 146(1) 27-30 1999年
Low resistance contacts with chemical vapor deposited tungsten on GaAs growth by molecular layer epitaxy

Journal of Electro chemical Society 146(1) 131-136 1999年
Ideal static induction transistor, implemented with molecular layer epitaxy.

PLOTKA P, KURABAYASHI T, OYAMA Y, NISHIZAWA J

Applical Surface Science 82/83 91-96 1994年
Ideal static induction transistor, implemented with molecular layer epitaxy

Applical Surface Science 82/83 91-96 1994年

共同研究・競争的資金等の研究課題

GaAs semiconductor devices

1990年
‐