MISC

1999年

Low resistance contacts with chemical vapor deposited tungsten on GaAs growth by molecular layer epitaxy

Journal of Electro chemical Society

巻: 146
号: 1
開始ページ: 131
終了ページ: 136
DOI: 10.1149/1.1391575

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DOI: https://doi.org/10.1149/1.1391575
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/80010877672

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ISSN : 0013-4651
CiNii Articles ID : 80010877672

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