MISC

2002年

Self-limiting growth of GaAs with doping by molecular layer epitaxy using triethyl gallium

Journal of Crystal Growth

NISHIZAWA J
KURABAYASHI T
PLOTKA P
KIKUCHI H
HAMANO T

巻: 244
号: 3/4
開始ページ: 236
終了ページ: 242
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01663-9

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01663-9
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/80015541351

ID情報

DOI : 10.1016/S0022-0248(02)01663-9
ISSN : 0022-0248
CiNii Articles ID : 80015541351

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