MISC

1999年

GaAs Single Electron Transistors Fabricated by Selective Area MOUPE and Their Application to Single Electron Logic Circuits

Japanese Journal of Applied Physics

巻: 38
号: 1B
開始ページ: 415
終了ページ: 417
DOI: 10.1143/JJAP.38.415

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DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.38.415
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/110003955712

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DOI : 10.1143/JJAP.38.415
ISSN : 0021-4922
ISSN : 1347-4065
CiNii Articles ID : 110003955712

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