論文

査読有り
2014年10月

Recent progress in integration of III–V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth

J. Phys. D: Appl. Phys.
  • Tomioka, Katsuhiro
    • ,
  • Fukui Takashi
巻
47
号
39
開始ページ
364001
終了ページ
記述言語
英語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
DOI
10.1088/0022-3727/47/39/394001
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/39/394001
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000341772000003&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.1088/0022-3727/47/39/394001
  • ISSN : 0022-3727
  • eISSN : 1361-6463
  • Web of Science ID : WOS:000341772000003
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