柳沢英人 (Hideto Yanagisawa) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 北見工業大学工学部電気電子工学科助手

学位: 博士(工学)(北見工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901082156916662
researchmap会員ID: 1000002800

研究キーワード

2

研究分野

1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

MISC

21

Electrical properties of HfO2 thin insulating film prepared by anodic oxidation

H Yanagisawa, M Kamijyo, S Shinkai, K Sasaki, Y Abe, M Yamane

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(8) 5284-5287 2002年8月
Electrical properties of HfO₂ thin insulating film prepared by anodic oxidation

Jpn. J. Appl. Phys. 41(8), 5284-5287 2002年
Preparation of a contact system with a single - oriented (III)Al overlayer by inter posing a thin ZrN/Zr bilayered barrier applicable to sub-0.25-μm design rule

Jpn. J. Appl. Phys. 40(6A), 4193-4194 2001年
Realization of Cu(III) single - oriented state on SiO₂ by annealing Cu-Zr film and the thermal stability of Cu-Zr/ZrN/Zr/Si contact system

Jpn. J. Appl. Phys 40(7), 4661-4665 2001年
Preparation of a contact system with a single - oriented (III)Al overlayer by inter posing a thin ZrN/Zr bilayered barrier applicable to sub-0.25-μm design rule

Jpn. J. Appl. Phys. 40(6A), 4193-4194 2001年
Realization of Cu(III) single - oriented state on SiO₂ by annealing Cu-Zr film and the thermal stability of Cu-Zn/ZrN/Zr/Si contact system

Jpn. J. Appl. Phys 40(7), 4661-4665 2001年
Study on preparation conditions of single-oriented(002)Zr thin films on n-(001)Si

Jpn. J. Appl. Phys. 39(7A) 4110-4114 2000年
Single-oriented growth of((]G0003[))Cu film on thin ZrN/Zr bilayered film for ULSI metallization

Jpn. J. Appl. Phys. 39(10) 5987-5991 2000年
Initial silicide formation process of single oriented (002) Hf film on Si and its diffusion barrier property

Jpn. J. Appl. Phys. 37(4A) 2002-2006 1998年
Study on preparation conditions of high-quality ZrN thin films using a Low-temperature process (共著)

Jpn. J. Appl. Phys 37(10) 5714-5718 1998年
CuTi-Cu₃Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu₃Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用

電子情報通信学会論文誌 J-79-C-(]G0002[)(2) 57-63 1996年
Al-Si間におけるAl₃Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について

電子情報通信学会論文誌 J79-C-II(5) 170-175 1996年
Preparation of the CuTi-Cu₃Ti compound alloy films and their application as a diffusion barrier to the Cu/CuTi-Cu₃Ti/TiN/Si contact systems

Trans.IEICE,Japan J-79-C-(]G0002[)(2) 57-63 1996年
Diffusion barrier effects of Al₃Zr/Zr bilayered films interposed between Al and Si

Trans. IEICE Japan. J79-C-II(5) 170-175 1996年
Al₃Zr金属間化合物膜の結晶化過程とその電気的特性について

柄沢元, 柳沢英人, 佐々木克孝, 野矢厚

電子情報通信学会論文誌 J78-C-II(2) 93-95 1995年
オージェ電子分光分析によるAl₃Zr/Zr/Siコンタクト系における界面固相反応の検討

電子情報通信学会論文誌 J78-C-II(3) 99-106 1995年
Crystallization process and properties of Al₃Zr inter-metallic compound film.

J78-C-II(2) 93-95 1995年
Auger electron spectroscopy study on the solid-phase reactions in Al₃Zr/Zr/Si contact systems

J78-C-II(3) 99-106 1995年
Surface oxidation behavior of tin film caused by depositing srtio3film

Yoshio Abe, Midori Kawamura, Hideto Yanagisawa, Katsutaka Sasaki

Japanese Journal of Applied Physics 34(12) L1678-L1681 1995年
スパイラル形方向性結合器の実験的検討

電子情報通信学会論文誌 J72-C-I(9) 1989年

もっとみる

所属学協会

2

共同研究・競争的資金等の研究課題

2