2017年
分子性導体α"型ET塩の金属絶縁体転移における強磁場効果
日本物理学会講演概要集
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- 巻
- 72
- 号
- 0
- 開始ページ
- 1833
- 終了ページ
- 1833
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1833
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
<p>分子性導体α"-(BEDT-TTF)_2_RbCo(SCN)_4_は低温で金属絶縁体転移をすることが知られている。本研究では相転移温度近傍で50 Tの強磁場を印加することにより顕著な電気抵抗の変化を観測した。抵抗値の変化を磁場の2乗でフィッティングしたところ、金属的な挙動に戻るまで150 Tほど必要であると推測された。発表ではさらに強磁場での測定を行うための技術開発についても述べる予定である。</p>
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1833
- CiNii Articles ID : 130006709704