TDGL方程式に基づく臨界電流密度Jcのシミュレーションや独自のピン止めモデリングによって人工ピンの最適設計を行った．ナノ複合・ヘテロエピ薄膜作製が容易なPLD法を用いて基板上にREBa2Cu3Ox超伝導薄膜を形成した．ピン止め点となる自己組織化ナノロッドやナノドットのサイズや空間分布を制御するために，混合ターゲット法やSurface-modifiedターゲット法，LTG法等を用いた．その結果，巨視的ピン止め力として32 GN/m3（77K），1800 GN/m3（4.2K）を得た．これは世界記録となる値である．また，ゼロ磁場Jcは理論値の30％程度と極めて高い値になることも示した．