特許権 周期表第１３族金属窒化物結晶の製造方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 有田陽二, 佐藤讓 出願番号 0002 出願日 2005年1月27日 特許番号/登録番号 特願2005-020263 登録日 発行日 2005年1月27日
