論文

査読有り
2015年

Photoresponse of p-type silicon emitter array

2015 28TH INTERNATIONAL VACUUM NANOELECTRONICS CONFERENCE (IVNC)
  • Hidetaka Shimawaki
  • ,
  • Masayoshi Nagao
  • ,
  • Bunpei Masaoka
  • ,
  • Yoichiro Neo
  • ,
  • Hidenori Mimura
  • ,
  • Fujio Wakaya
  • ,
  • Mikio Takai

開始ページ
200
終了ページ
201
記述言語
英語
掲載種別
研究論文(国際会議プロシーディングス)
出版者・発行元
IEEE

Photoassisted electron emission from p-type silicon field emitter array with sub-micron gate aperture under illumination of blue laser pulses is investigated. The FEA device is designed to minimize the photogeneration of slow electrons outside the depletion layer. We present the optical response studies of the device by laser pulses.


リンク情報
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000380410500077&DestApp=WOS_CPL

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