末光 眞希

J-GLOBALへ         更新日: 18/02/06 03:03
 
アバター
研究者氏名
末光 眞希
 
スエミツ マキ
eメール
suemitsucir.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/9c4e281152d391d104350f462d63976b.html
所属
東北大学
部署
電気通信研究所 情報デバイス研究部門 固体電子工学研究室
職名
教授
学位
工学博士(東北大学)

研究分野

 
 

委員歴

 
2011年4月
 - 
2013年3月
応用物理学会  理事
 
2006年4月
 - 
2012年3月
日本応用物理学会・JJAP編集委員会  JJAP編集運営委員
 
2010年6月
 - 
2011年7月
Japanese Journal of Applied Physics  Special Issue, Guest Chief Editor
 
2006年8月
 - 
2007年11月
第34回アモルファスセミナー  組織委員長
 
2014年4月
 - 
2016年3月
応用物理学会  東北支部長
 

受賞

 
2017年9月
応用物理学会 応物フェロー
 
2016年8月
IAAM IAAMメダル
 
2011年11月
日本表面科学会 平成23年度日本表面科学会論文賞
受賞者: Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Atsushi Konno, Yuzuru Narita, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Takashi Ito, Kanji Yasui, Hideki Nakazawa, Tetsuo Endoh
 
2011年3月
応用物理学会欧文誌刊行委員会 2011年度APEX/JJAP編集貢献賞
 
2005年11月
日本真空協会 第30回熊谷記念真空科学論文賞 Si(100)上ゲルマン吸着に伴う水素移動とGe/Si原子交換の観察
受賞者: 村田威史、末光眞希
 
多重内部反射フーリエ変換赤外分光法および昇温脱離法を組合わせることにより、Si表面上の水素を通してSi表面上のゲルマン吸着過程を詳細に解明すると共に、Ge/Si系で急峻なヘテロ界面を形成するための指針を与えた。固体表面上の水素の挙動は表面科学や真空工学の基礎概念を構築するうえで非常に重要であり、これらの成果は表面科学および真空工学に対して大きく貢献すると評価された。

論文

 
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon
Maki Suemitsu
ISEG-2017      2017年11月   [招待有り]
Recent Progress in the Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC/Si Substrates
Maki Suemitsu
2016 MRS Spring Meeting & Exhibit      2016年3月   [査読有り][招待有り]
Recent progress in epitaxial graphene on bulk and thin film SiC crystals
Maki Suemitsu
IEFM 2015      2015年11月   [査読有り][招待有り]
Epitaxial graphene formation on SiC and on Si substrates
Maki Suemitsu
PSS2015      2015年9月   [査読有り][招待有り]

Misc

 
窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの開発研究
末光 眞希
工業材料   61(7) 43-46   2013年7月
末光眞希
第13回薄膜基礎講座      2010年10月
Maki Suemitsu and Toshimi Abe
Topics in Applied Physics   117 83-96   2010年8月
末光眞希
日本真空協会   53(2)    2010年2月
3C-SiC上エピタキシャルグラフェン形成とSi上デバイス応用
末光眞希
応用電子物性分科会研究会予稿      2009年7月

書籍等出版物

 
グラフェンの機能と応用展望(普及版)
末光眞希
シーエムシー出版   2015年9月   ISBN:978-4-7813-1030-5
量子力学基礎
末光眞希、枝松圭一 (担当:共著, 範囲:第1~第5章)
朝倉書店   2007年1月   
Graphene: Synthesis and Applications
Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu, Akira Satou, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Maxim Ryzhii, and Victor Ryzhii (担当:共著, 範囲:Electronic and Photonic Applications for Ultrahigh-Frequency Graphene-Based Devices)
CRCPress   2011年10月   ISBN:978-1-43986-187-5
グラフェンの最先端技術と拡がる応用
末光眞希 (監修 尾辻泰一) (担当:共著, 範囲:第3章グラフェンの合成技術と応用展開 6.SiC基板上のエピタキシャルグラフェン成長)
(株)フロンティア出版   2012年7月   ISBN:9784902410242
グラフェンが拓く材料の新領域
末光眞希 (担当:共著, 範囲:第一章第4節エピタキシャルグラフェン法)
株式会社 エヌ・ティー・エス   2012年6月   ISBN:978-4-86469-035-5

講演・口頭発表等

 
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon
末光眞希
ISEG-2017   2017年11月22日   
Gas-Source Epitaxial Growth of 3C-Sic on Si Substrates and Formation of Epitaxial Graphene Thereon in Search for the Electronic and Photonic Device Applications
Maki Suemitsu
ICMAT 2017   2017年6月18日   
Growth of SiC thin film on Si substrates and formation of epitaxial graphene thereon
末光眞希
基礎科学セミナー   2017年3月2日   
Si基板上エピタキシャルグラフェン技術
末光眞希
東北大学電気通信研究所-早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構 研究会   2016年12月15日   
Formation of grapheneon Si substrates
Maki Suemitsu
Global Graphene Forum   2016年8月23日   

競争的資金等の研究課題

 
Si基板上グラフェンとデバイス
その他の研究制度
研究期間: 2007年10月 - 現在
Si系半導体薄膜のガスソース分子線エピタキシー法による成長
その他の研究制度
研究期間: 1985年4月 - 現在

特許

 
2356229 : Method for fabricating a SiC film and a method for fabricating a SiC multi-layered film structure

社会貢献活動

 
シリコン基板上に「グラフェン」薄膜
【その他】  河北新報  2008年7月24日
四角い極細チューブ物質発見 ナノデバイスへの応用も 東北大と東北工大
【その他】  朝日新聞  2005年4月16日
四角い断面極小チューブ 東北大グループ、金属酸化物を合成
【その他】  河北新報  2005年3月29日

その他

 
2007年10月   グラフェン・オン・シリコン革新材料プロセスデバイス技術の開拓
超高速電子材料として注目を集めるグラフェンをシリコン基板上に形成し、その革新性を実証する。
2007年10月   フィルムディスプレイ用途多結晶Si薄膜の大気圧プラズマCVDに関する研究
大気圧プラズマを用い、フィルムディスプレイ駆動用薄膜トランジスタの基礎プロセスを構築する。
2006年9月   超低消費電力小型SiCガスセンサの開発
SiCを用いた超低消費電力の小型ガスセンサを開発する。