末光眞希 (Maki Suemitsu) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学電気通信研究所情報デバイス研究部門固体電子工学研究室教授

学位: 工学博士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901018510169110
researchmap会員ID: 1000005613

外部リンク: http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/9c4e281152d391d104350f462d63976b.html

研究キーワード

研究分野

委員歴

2014年4月 - 2016年3月

応用物理学会, 東北支部長
2014年4月 - 2016年3月

応用物理学会, 東北支部長
2012年4月 - 2013年3月

応用物理学会人財育成委員会, 委員長
2012年4月 - 2013年3月

応用物理学会人財育成委員会, 委員長
2011年4月 - 2013年3月

応用物理学会, 理事
2011年4月 - 2013年3月

応用物理学会, 理事
2011年3月 - 2012年4月

応用物理学会人財育成委員会, 副委員長
2011年3月 - 2012年4月

応用物理学会人財育成委員会, 副委員長
2006年4月 - 2012年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAP編集運営委員
2006年4月 - 2012年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAP編集運営委員
2010年6月 - 2011年7月

Japanese Journal of Applied Physics, Special Issue, Guest Chief Editor
2010年6月 - 2011年7月

Japanese Journal of Applied Physics, Special Issue, Guest Chief Editor
2006年8月 - 2007年11月

第34回アモルファスセミナー, 組織委員長
2006年8月 - 2007年11月

第34回アモルファスセミナー, 組織委員長
2005年4月 - 2006年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAPヘッドエディター
2005年4月 - 2006年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAPヘッドエディター
2001年4月 - 2005年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAP編集委員
2001年4月 - 2005年3月

日本応用物理学会・JJAP編集委員会, JJAP編集委員

受賞

2017年9月

応物フェロー, 応用物理学会
2016年8月

IAAMメダル, IAAM
2011年11月

平成23年度日本表面科学会論文賞, 日本表面科学会

Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Atsushi Konno, Yuzuru Narita, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Takashi Ito, Kanji Yasui, Hideki Nakazawa, Tetsuo Endoh
2011年3月

2011年度APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会欧文誌刊行委員会
2005年11月

第３０回熊谷記念真空科学論文賞, Si（１００）上ゲルマン吸着に伴う水素移動とGe/Si原子交換の観察, 日本真空協会

村田威史, 末光眞希

論文

299

Overcoming the efficiency limit of organic light-emitting diodes using ultra-thin and transparent graphene electrodes

Jin-Wook Shin, Hyunsu Cho, Jonghee Lee, Jaehyun Moon, Jun-Han Han, Kisoo Kim, Seungmin Cho, Jeong-Ik Lee, Byoung-Hwa Kwon, Doo-Hee Cho …

Optics Express 26(2) 617-626 2018年1月22日査読有り
Display process compatible accurate graphene patterning for OLED applications

Jin-Wook Shin, Jun-Han Han, Hyunsu Cho, Jaehyun Moon, Byoung-Hwa Kwon, Seungmin Cho, Taeshik Yoon, Taek-Soo Kim, Maki Suemitsu, Jeong-Ik Lee …

2D Materials 5(1) 2017年12月13日査読有り
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon

Maki Suemitsu

ISEG-2017 2017年11月25日招待有り
Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu

ISEG-2017 2017年11月23日
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

H. Fukidome, K. Omika, Y. Tateno, T. Kouchi, T. Komatani, N. Nagamura, S. Konno, Y. Takahashi, M. Kotsugi, K. Horiba …

ISSS-8 2017 2017年10月26日
Temperature Dependence of the Conductivity in a Dual Gate Graphene Field Effect Transistor

K. Sugawara, T. Watanabe, D. Yadav, T. Komiyama, Y. Fuse, M. Ryzhii, V. Ryzhii, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

RJUSE 2017 2017年10月3日
Fabrication of multi-layer Bi2Se3 devices and observation of anomalous electrical transport behaviors

Venugopal Gunasekaran, Goon-Ho Park, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 68 128-132 2017年9月査読有り
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Carbon 2017 2017年7月24日
Gas-Source Epitaxial Growth of 3C-Sic on Si Substrates and Formation of Epitaxial Graphene Thereon in Search for the Electronic and Photonic Device Applications

Maki Suemitsu

ICMAT 2017 2017年6月21日招待有り
Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

Japanese Journal of Applied Physics 56 06GF09-1-06GF09-5 2017年5月9日査読有り
Adsorption of CO2 on Graphene: A Combined TPD, XPS, and vdW-DF Study

Kaori Takeuchi, Susumu Yamamoto, Yuji Hamamoto, Yuichiro Shiozawa, Keiichiro Tashima, Hirokazu Fukidome, Takanori Koitaya, Kozo Mukai, Shinya Yoshimoto, Maki Suemitsu …

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 121(5) 2807-2814 2017年2月査読有り
Making and revealing stacking structure of high quality graphenegrown on SiC(000-1) substrate

K. Tashima, R. Suto, H. Fukidome, M. Suemitsu, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, T. Ohkochi

ICSPM23 2016年12月10日
Solution-Based Formation of High Quality Gate Dielectrics on Graphene Using Microwave-Assisted Annealing

K.S. Kim, G.H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC 2016 2016年11月10日
Solution-processed Al2O3 gate dielectrics for graphene field-effect transistors

Goon-Ho Park, Kwan-Soo Kim, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Won-Ju Cho, Maki Suemitsu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(9) 091502-1-091502-5 2016年9月査読有り
Inhomogeneous longitudinal distribution of Ni atoms on graphene induced by layer-number-dependent internal diffusion

M. Hasegawa, K. Tashima, M. Kotsugi, T. Ohkochi, M. Suemitsu, H. Fukidome

APPLIED PHYSICS LETTERS 109(11) 111604-1-111604-5 2016年9月査読有り
Formation of graphene on Si substrates

Maki Suemitsu

Global Graphene Forum 2016年8月24日招待有り
Graphene on C-terminated face of 4H-SiC observed by noncontact scanning nonlinear dielectric potentiometry

Kohei Yamasue, Hirokazu Fukidome, Keiichiro Tashima, Maki Suemitsu, Yasuo Cho

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 08NB02-1-08NB02-5 2016年8月査読有り
Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)

Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 67 51-53 2016年8月査読有り
Recent progress in the exitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si substrates

Maki Suemitsu

ISGD-5 2016年7月招待有り
Observation of insulating and metallic-type behavior in Bi₂Se₃ transistor at room temperature

V. Gunasekaran, G.H. Park, K.S. Kim, M. Suemitsu, H. Fukidome

NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS, 2016 7(3) 565-568 2016年7月査読有り

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MISC

窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの開発研究

末光眞希

工業材料 61(7) 43-46 2013年7月
グラフェンの形成と機能

末光眞希

第13回薄膜基礎講座 2010年10月7日
グラフェン・オン・シリコン技術

末光眞希

日本真空協会 53(2) 80-84 2010年2月
Synthesis and Applications of Molybdenum Oxide Nanotubes

Maki Suemitsu, Toshimi Abe

INORGANIC AND METALLIC NANOTUBULAR MATERIALS: RECENT TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS 117 83-96 2010年
3C-SiC上エピタキシャルグラフェン形成とSi上デバイス応用

末光眞希

応用電子物性分科会研究会予稿 2009年7月
二酸化モリブデン(MoO2)ナノチューブ研究の現状

半田浩之, 阿部俊三, 末光眞希

機械の研究 60(12) 1241-1245 2008年12月
四角い断面をもった金属酸化物ナノチューブ

末光眞希, 半田浩之, 阿部俊三

応用物理 77(10) 1235-1239 2008年10月
パルス電界常圧プラズマ化学気相成長法によるSi薄膜堆積

松本光正, 豊島安健, 中嶋節男, 末光眞希

JOURNAL OF THE VACUUMU SOCIETY OF JAPAN 51(10) 653-656 2008年
常圧プラズマCVDによるSi系薄膜堆積

Maki Suemitsu, Mitsutaka Matsumoto, YasutakeToyoshima

2007年7月
MoO2方形断面ナノチューブ

末光眞希, 及川大治, 半田浩之, 阿部俊三

応用物理学会応用電子物性分科会誌 13 2007年1月

書籍等出版物

グラフェンの機能と応用展望（普及版）

末光眞希

シーエムシー出版 2015年9月8日 (ISBN: 9784781310305)
グラフェンの最先端技術と拡がる応用

末光眞希 (担当:共著, 範囲:第3章グラフェンの合成技術と応用展開６．SiC基板上のエピタキシャルグラフェン成長)

（株）フロンティア出版 2012年7月25日 (ISBN: 9784902410242)
グラフェンが拓く材料の新領域

末光眞希 (担当:共著, 範囲:第一章第4節エピタキシャルグラフェン法)

株式会社エヌ・ティー・エス 2012年6月12日 (ISBN: 9784864690355)
Graphene: Synthesis and Applications

Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu, Akira Satou, Maki Suemitsu, Eiichi Sano, Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii (担当:共著, 範囲:Electronic and Photonic Applications for Ultrahigh-Frequency Graphene-Based Devices)

CRCPress 2011年10月11日 (ISBN: 9781439861875)
Silicon-germanium(SiGe) nanostructures: Production, properties and applications in electronics

M Suemitsu, S N Filimonov (担当:共著, 範囲:Part2 Formation of Nanostructures Understanding crystal growth mechanisms in silicon-germanium(SiGe))

Woodhead Publishing Limited 2011年4月28日
Topics in Applied Phtsics Volume117 Inorganic and Metallic Nanotubular Meterials

Maki Suemitsu, Toshimi Abe (担当:共著, 範囲:Ｃｈａｐter7 Synthesis and Applications of Molybdenum Oxide Nanotubes)

Springer 2010年8月12日 (ISBN: 9783642036200)
量子力学基礎

末光眞希, 枝松圭一 (担当:共著, 範囲:第１～第５章)

朝倉書店 2007年1月
フッ素化学が拓くプロセスイノベーション

末光眞希

1995年
半導体評価事典

末光眞希

1994年

講演・口頭発表等

386

GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 永村直佳, 河内剛志, 八重樫誠司, 駒谷務, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回 2018年1月19日
SiC基板上エピタキシャルグラフェンの大面積化とその評価

岩田大地, 末光眞希, 吹留博一

第72回応用物理学会東北支部学術講演会 2017年11月30日
Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Takashi Someya, Takushi Iimori, Fumio Komori, Iwao Matsuda, Maki Suemitsu

ISEG-2017 2017年11月22日
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon

末光眞希

ISEG-2017 2017年11月22日
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

H. Fukidome, K. Omika, Y. Tateno, T. Kouchi, T. Komatani, N. Nagamura, S. Konno, Y. Takahashi, M. Kotsugi, K. Horiba, M. Suemitsu, M. Oshima

ISSS-8 2017 2017年10月22日
Temperature Dependence of the Conductivity in a Dual Gate Graphene Field Effect Transistor

K. Sugawara, T. Watanabe, D. Yadav, T. Komiyama, Y. Fuse, M. Ryzhii, V. Ryzhii, H. Fukidome, M. Suemitsu, T. Otsuji

RJUSE2017 2017年10月1日
結晶方位回転成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜表面粗さのエピグラフェン成長への影響

高橋謙介, Filimonov Sergey, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
ハイブリッドSiC基板を用いたグラフェンデバイス応用

遠藤典史, 秋山昌次, 田島圭一郎, 末光眞希, 小西繁, 茂木弘, 川合信, 久保田芳宏, 堀場弘司, 組頭広志, 吹留博一

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
Terahertz light emitting graphene-channel transistor operating under current-injection pumping

TWHM 2017 2017年8月28日
二次元電子系デバイス動作の表面準位による劣化機構のオペランド顕微Ｘ線分光を用いた定量的解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 河内剛志, 末光眞希, 吹留博一

2017年真空・表面科学合同講演会 2017年8月17日
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing

Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Maki Suemitsu

Carbon 2017 2017年7月23日
Gas-Source Epitaxial Growth of 3C-Sic on Si Substrates and Formation of Epitaxial Graphene Thereon in Search for the Electronic and Photonic Device Applications

Maki Suemitsu

ICMAT 2017 2017年6月18日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
Growth of SiC thin film on Si substrates and formation of epitaxial graphene thereon

末光眞希

基礎科学セミナー 2017年3月2日
Si基板上エピタキシャルグラフェン技術

末光眞希

東北大学電気通信研究所－早稲田大学ナノ・ライフ創新研究機構研究会 2016年12月15日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象に関する研究

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第36回表面科学学術講演会 2016年11月29日
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構と最適化

高橋謙介, 横山大, Sergey N. Filimonov, 長澤弘幸, 吹留博一, 末光眞希

先進パワー半導体分科会第3回講演会 2016年11月8日
Solution-Based Formation of High Quality Gate Dielectrics on Graphene Using Microwave-Assisted Annealing

K.S. Kim, G.H. Park, H. Fukidome, T. Suemitsu, T. Otsuji, M. Suemitsu

MNC 2016 2016年11月8日
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明

大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 永村直佳, 今野隼, 高橋良暢, 小嗣真人, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
Formation of high quality Al₂O₃ gate dielectrics on epitaxial graphene using microwave-assisted annealing

KwanSoo Kim, GoonHo Park, Fukidome Hirokazu, Suemitsu Tetsuya, Otsuji Taiichi, Suemitsu Maki

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

Si基板上グラフェンとデバイス

その他の研究制度 2007年10月 - 現在
Si系半導体薄膜のガスソース分子線エピタキシー法による成長

その他の研究制度 1985年4月 - 現在

産業財産権

2356229 Method for fabricating a SiC film and a method for fabricating a SiC multi-layered film structure

社会貢献活動

シリコン基板上に「グラフェン」薄膜

その他

河北新報 2008年7月24日
四角い極細チューブ物質発見ナノデバイスへの応用も東北大と東北工大

その他

朝日新聞 2005年4月16日
四角い断面極小チューブ東北大グループ、金属酸化物を合成

その他

河北新報 2005年3月29日

その他

フィルムディスプレイ用途多結晶Ｓｉ薄膜の大気圧プラズマＣＶＤに関する研究

2007年10月 - 2007年10月

大気圧プラズマを用い、フィルムディスプレイ駆動用薄膜トランジスタの基礎プロセスを構築する。
グラフェン・オン・シリコン革新材料プロセスデバイス技術の開拓

2007年10月 - 2007年10月

超高速電子材料として注目を集めるグラフェンをシリコン基板上に形成し、その革新性を実証する。
超低消費電力小型SiCガスセンサの開発

2006年9月 - 2006年9月

SiCを用いた超低消費電力の小型ガスセンサを開発する。