高桑 雄二

J-GLOBALへ         更新日: 19/01/28 15:44
 
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研究者氏名
高桑 雄二
 
タカクワ ユウジ
eメール
takakuwatagen.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/6de7b3bc02ad1b10966fc57c65f65f33.html
所属
東北大学
部署
多元物質科学研究所 計測研究部門 表面物理プロセス研究分野
職名
教授

研究分野

 
 

経歴

 
2009年4月
   
 
東北大学多元物質科学研究所 教授
 
1993年4月
 - 
2009年3月
東北大学 助教授
 
1982年4月
 - 
1993年3月
東北大学 助手 助手
 

学歴

 
 
 - 
1977年3月
東北大学 理学部 物理学科
 

論文

 
Shuichi Ogawa, Rintaro Sugimoto, Nobuhisa Kamata, Yuji Takakuwa
Surface and Coatings Technology   350 863-867   2018年9月   [査読有り]
S. Ogawa and Y. Takakuwa
AIP Advances   8(7) 075119/1-9   2018年7月   [査読有り]
Y. Horio, R. Yamazaki, J. Yuhara, Y. Takakuwa, and M. Yoshimura
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   16 88-92   2018年4月   [査読有り]
Y. Horio, J. Yuhara, Y. Takakuwa, S. Ogawa,a nd K. Abe
Japanese Journal of Applied Physics   57(4) 045701/1-4   2018年4月   [査読有り]
S. Takabayashi, H. Hayashi, M. Yang, R. Sugimoto, S. Ogawa, Y. Takakuwa
Diamond and Related Materials   81 16-26   2017年11月   [査読有り]
9189

Misc

 
高桑 雄二, 小川 修一
精密工学会誌   80(5) 429-432   2014年5月
T. Masuzawa, I. Saito, T. Yamada, M. Onishi, H. Yamaguchi, Y. Suzuki, K. Oonuki, N. Kato, S. Ogawa, Y. Takakuwa, A. T. T. Koh, D. H. C. Chua, Y. Mori, T. Shimosawa, K. Okano
Sensors   13 13744-13778   2013年10月
小川 修一, 山田 貴壽, 石塚 眞治, 渡辺 大輝, 吉越 章隆, 長谷川 雅孝, 寺岡 有殿, 高桑 雄二
表面科学   33(8) 449-454   2012年8月
表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開
高桑雄二, 虻川匡司, 小川修一
マテリアル インテグレーション   24(04,05) 147-154   2011年6月
光電子制御プラズマを用いた表面ナノプロセス
高桑雄二
M&E   36(2) 116-121   2009年2月

書籍等出版物

 
グラフェンが拓く材料の新領域 -物性・作製法から実用化まで-
高桑雄二, 小川修一 (担当:共著, 範囲:第3編グラフェンの作製法と評価 第1章グラフェン作製技術の現状と課題 第3節CVD法, pp.51-64)
エヌ・ティー・エス   2012年6月   
表面物性工学ハンドブック第2版
高桑雄二 (担当:共著, 範囲:第23章第4節 酸化膜・窒化膜の形成, pp.857-863)
丸善   2007年1月   
まなびの杜 〈東北大学〉知的探検のススメ
高桑雄二 (担当:共著, 範囲:ダイヤモンドを光でつくる,pp.176-177)
東北大学出版会   2002年4月   
極限状態を見る放射光アナリシス(日本分光学会測定法シリーズ; 40)
高桑雄二
学会出版センター   2002年4月   
放射光・自由電子レーザプロセス技術調査委員会編「放射光・自由電子レーザプロセス技術」電気学会技術報告 第828号
高桑雄二 (担当:共著, 範囲:第3章 基礎過程 3.2 表面,pp.15-26)
電気学会   2001年4月   

講演・口頭発表等

 
Flattening of Cu Surfaces with 26-eV Xe+ ion from Rq = 2.9 to 1.3 nm
Saijian Ajia, Shuichi Ogawa, and Yuji Takakuwa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures   2018年10月21日   
Synthesis of Nitrogen-doped Graphite by Photoemission-assisted PECVD
Susumu Hashimoto, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures   2018年10月21日   
Interaction of DC Discharge Ar Plasma with Photoelectrons from UV-irradiated Au surface
N. Kamata, S. Ajia, S. Ogawa, Y. Takakuwa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures   2018年10月21日   
Band Alignment of Bulk h-BN/Graphene Measured by PEEM
Shuichi Ogawa, Takatoshi Yamada, Ryo Kadowaki, Takashi Taniguchi,Tadashi Abukawa,Yuji Takakuwa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures   2018年10月21日   
Behavior of Ni Vacancy during Oxidation on Ni(111) Surfaces
Binguo Zhang, Shuichi Ogawa, Yuji Takakuwa
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures   2018年10月21日   

競争的資金等の研究課題

 
シリコン表面上での化学反応の素過程:結晶成長,エッチング,酸化
研究期間: 1982年4月 - 現在
ダイヤモンド単結晶薄膜の成長
研究期間: 2000年4月 - 現在
高温シリコン表面の結晶構造のその場観察
研究期間: 1987年4月 - 現在