遠田義晴 (Yoshiharu Enta) - マイポータル

基本情報

所属: 弘前大学大学院理工学研究科准教授

学位: 理学博士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901040320057841
researchmap会員ID: 1000005616

外部リンク: http://www.st.hirosaki-u.ac.jp/~enta

研究分野

経歴

1991年 - 1999年

東北大学助手
1991年 - 1999年

Tohoku University, Research Associate

学歴

論文

Improvement of the photovoltaic properties of B C/Si heterojunctions by annealing

Tatsuya Nishida, Yusuke Hayashi, Ryoya Katayama, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Thin Solid Films 140864-140864 2026年1月
Characterization and comparison of hydrogenated and unhydrogenated amorphous boron carbon nitride films deposited via radio frequency magnetron sputtering

Ryu Taniguchi, Yusuke Hayashi, Tatsuya Nishida, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Thin Solid Films 140624-140624 2025年2月
Photovoltaic and mechanical properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering

Tatsuya Nishida, Masayoshi Sato, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics 63(1) 01SP38-1-01SP38-12 2024年1月査読有り
Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Yuya Sasaki, Hiroya Osanai, Yusuke Ohtani, Yuta Murono, Masayoshi Sato, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Hideki Nakazawa

Diamond and Related Materials 108878-108878 2022年1月
Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa

Thin Solid Films 736 138923-138923 2021年10月査読有り
Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics 58(SI) 2019年査読有り
Effects of temperature and pressure in oxynitridation kinetics on Si(100) with N2O gas

Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, Takahiro Takami

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 63-67 2017年11月査読有り
Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Hideki Nakazawa, Kohei Magara, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki

THIN SOLID FILMS 636 177-182 2017年8月査読有り
Formation of graphene/SiC/AIN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates

S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 460 27-36 2017年2月査読有り
Activation energy of thermal desorption of silicon oxide layers on silicon substrates

Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Takahito Ogasawara

SURFACE SCIENCE 656 96-100 2017年2月査読有り
Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Hideki Nakazawa, Saori Okuno, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Soushi Miura, Yoshiharu Enta

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(12) 2016年12月査読有り
Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Masato Tsuchiya, Kazuki Murakami, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Kengo Tokuda, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(6) 2016年6月査読有り
Ring structures formed inside voids in SiO2 layer on Si(100) during thermal decomposition

Yoshiharu Enta, Shodai Osanai, Taichi Yoshida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(2) 2016年2月査読有り
希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性

中村和樹, 大橋遼, 横山大, 田島圭一郎, 遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 中澤日出樹

表面科学学術講演会要旨集 36 324-324 2016年
Decomposition kinetics of silicon oxide layers on silicon substrates during annealing in vacuum

Y. Enta, T. Nagai, T. Yoshida, N. Ujiie, H. Nakazawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114(11) 2013年9月査読有り
Void and Nanostructure Formations during Thermal Decomposition of 20-nm-Thick Silicon Oxide Layer on Si(100)

Yoshiharu Enta, Kano Ogawa, Takayuki Nagai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(3) 2013年3月査読有り
Precise control of epitaxy of graphene by microfabricating SiC substrate

H. Fukidome, Y. Kawai, F. Fromm, M. Kotsugi, H. Handa, T. Ide, T. Ohkouchi, H. Miyashita, Y. Enta, T. Kinoshita …

APPLIED PHYSICS LETTERS 101(4) 2012年7月査読有り
Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111) Thin Films on Microfabricated Si(111) Substrates

Takayuki Ide, Yusuke Kawai, Hiroyuki Handa, Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkochi, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(6) 2012年6月査読有り
Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications

Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Takuo Ohkouchi, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Yoshiharu Enta, Toyohiko Kinoshita, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu

2012 MRS Spring Meeting 2012年4月査読有り
微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価

井出隆之, 川合祐輔, 吹留博一, 宮下英俊, 小嗣真人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 堀場弘司, 永村直佳 …

表面科学学術講演会要旨集 32 19-19 2012年

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MISC

マグネトロンスパッタ法により作製した炭化ホウ素膜特性に及ぼす水素の効果

西田竜也, 谷口颯, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 吹留博一, 中澤日出樹

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果

谷口颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 120(217(CPM2020 11-21)) 2020年
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 (電子部品・材料)

長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(271) 9-14 2019年11月7日
ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 (電子部品・材料)

中澤日出樹, 中村和樹, 長内公哉, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(276) 99-104 2018年11月1日
Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 (電子部品・材料)

中村和樹, 大橋遼, 横山大, 田島圭一郎, 遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 小林康之, 鈴木裕史, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(179) 1-6 2018年8月9日
SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長

中澤日出樹, 成田舜基, 奈良友奎, 遠田義晴

電子情報通信学会技術研究報告 118(179(CPM2018 8-19)) 2018年
シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響 (電子部品・材料)

高見貴弘, 和田誠, 遠田義晴

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(179) 71-74 2015年8月10日
高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響

土屋政人, 村上和輝, 佐藤達人, 高見貴弘, 遠田義晴, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 115(179(CPM2015 31-45)) 2015年
基板微細加工によるエピグラフェンの構造・電子状態の制御

吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 川合祐輔, SEYLLER Thomas, 半田浩之, 井出隆之, 遠田義晴, 木下豊彦, 木下豊彦 …

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集 25th 2012年
微細構造Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜へのエピタキシャルグラフェン形成

井出隆之, 川合祐輔, 宮下英俊, 半田浩之, 吹留博一, 小嗣真人, 大河内拓雄, 遠田義晴, 木下豊彦, 末光眞希

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
SiC微細メサ構造上に形成したエピタキシャルグラフェンの電子状態の観察

井出隆之, 吹留博一, 半田浩之, 小嗣真人, SEYLLER Thomas, 川合祐輔, 大河内拓雄, HORN Karsten, 高橋良太, 今泉京 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2011年
SiGeナノ化合物の元素吸収端近傍における軟X線光電子顕微鏡観察

吹留博一, ALGUNO Arnold, 遠田義晴, 末光眞希, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 木下豊彦, 渡辺義夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th 2010年
6H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成

半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 川合祐輔, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞希, 小嗣真人, 大河内拓雄, 渡辺義夫 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2010年
3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED/PES解析

高橋良太, 半田浩之, 阿部峻佑, 今泉京, 齋藤英司, 吹留博一, 遠田義晴, 末光眞希, 末光眞希

表面科学学術講演会講演要旨集 30th 2010年
表面微細加工によるグラフェンのエピタキシャル成長の制御

吹留博一, 木下豊彦, 渡辺義夫, カーステンホルン, トーマスザイラー, 半田浩之, 高橋良太, 今泉京, 猪俣州哉, 末光眞希 …

表面科学学術講演会要旨集 30 345-345 2010年
原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化

遲澤遼一, 中澤日出樹, 奥崎知秀, 佐藤直之, 遠田義晴, 末光眞希

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(171) 19-24 2009年8月3日
N₂Oガス気相熱励起法によるシリコン酸窒化膜の形成

電子情報通信学会論文誌 J87-C巻 590-591頁 2004年
高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜の構造と熱的安定性

三上尊正, 中澤日出樹, 遠田義晴, 末光眞希, 真下正夫

表面科学第24巻 411-416頁(7) 411-416 2003年
Structure, Chemical Bonding and Thsese Thermal Stabilities of Diamond-Like Carbon (DLC) Films by RF Magnetron Sputtering

Japanese Journal of Applied Physics 42 L676-679. 2003年
Mode transition between growth and decomposition of oxides on Si(001): Kinetically determined critical coverage for oxidation

M Suemitsu, Y Enta, Y Takegawa, N Miyamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 77(20) 3179-3181 2000年11月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

複合励起分子を用いた炭化ケイ素表面絶縁膜のリアルタイム反応制御と高品質化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

遠田義晴
将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2024年3月

岡本浩, 遠田義晴
外部電子エネルギー注入による埋もれた界面への量子ドット構造形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

遠田義晴
半金属（金属）を媒介したⅣ族半導体ナノ構造の形成と次世代デバイス要素技術への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

岡本浩, 遠田義晴, 伊高健治
真空熱分解法によるシリコンナノ構造形成と反応制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

遠田義晴
リアルタイム観測によるナノオーダー極薄シリコン絶縁膜の形成機構

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2009年 - 2011年

遠田義晴, 匂坂康男, 加藤博雄, 手塚泰久
新奇量子構造SiGeナノハットおよびナノリングの自己組織的形成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2008年 - 2009年

末光眞希, 遠田義晴, 朝岡秀人
リアルタイム光電子分光法によるシリコン熱酸化過程の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1999年 - 2000年

遠田義晴
Siウェーハ表面汚染インライン赤外診断装置の開発研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1998年 - 2000年

庭野道夫, 鎌倉望, 木村康男, 庄子大生, 遠田義晴
Si上水素の表面化学とエピタキシー制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1997年 - 1999年

末光眞希, 遠田義晴
赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 1998年 - 1998年

庭野道夫, 遠田義晴, 三村秀典
リアルタイム光電子分光による半導体表面準位の新解析法

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1997年 - 1998年

遠田義晴
赤外反射分光法による半導体電極-溶液界面反応機構の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1997年 - 1997年

庭野道夫, 遠田義晴
光電子分光強度の振動測定による単原子層精度結晶成長のその場観察

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1995年 - 1996年

遠田義晴, 庭野道夫, 末光眞希
有機金属を用いた光触媒反応による層状超薄膜構造の形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1994年 - 1996年

庭野道夫, 遠田義晴, 宮本信雄
表面電子分光による半導体表面化学反応の放射光励起効果と反応機構の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1994年 - 1996年

末光眞希, 宮本信雄, 遠田義晴, 庭野道夫, 末光眞希
赤外反射分光法による半導体結晶表面の原子制御計測の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究(B) 1993年 - 1995年

庭野道夫, 遠田義晴, 宮本信雄
角度分解光電子強度の周期的振動による単原子層結晶成長制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1993年 - 1993年

遠田義晴
放射光励起ガスソースCVDによる高誘電体薄膜の低温形成

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1991年 - 1993年

庭野道夫, 遠田義晴, 宮本信雄, 高桑雄二
Si表面初期窒化過程

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遠田義晴

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経歴

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論文

MISC

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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