室田淳一 (Junichi Murota) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学マイクロシステム融合研究開発センター名誉教授

学位: 工学博士(北海道大学)

J-GLOBAL ID: 200901049819929243
researchmap会員ID: 1000006220

研究キーワード

研究分野

経歴

1995年2月 - 2012年3月

東北大学, 電気通信研究所, 教授
1985年3月 - 1995年2月

東北大学, 電気通信研究所, 助教授
1983年4月 - 1985年3月

日本電信電話公社厚木電気通信研究所, 研究員
1972年4月 - 1983年3月

日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所, 研究員

学歴

- 1972年3月

北海道大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻
- 1970年3月

北海道大学, 工学部, 電子工学科

委員歴

2012年10月 - 現在

The Electrochemical Society(ECS), ECS Fellow
2009年9月 - 現在

Japan Society of Applied Physics(JSAP), JSAP Fellow
2005年5月 - 現在

International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Organizing committee chair, Program committee chair, etc.
2005年5月 - 現在

The Electrochemical Society, Electronics and Photonics Division, Chair etc.
2003年1月 - 現在

International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM), Advisory committee member, Conference chair, etc.
1999年9月 - 現在

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI), Advisory committee member, Conference chair, etc.
2008年4月 - 2013年3月

154th Committee on Semiconductor Interfaces and Their Applications, University-Industry Cooperative Research Committees, The Japan Society for the Promotion of Science(JSPS)., Chairperson
2002年2月 - 2010年1月

Investigating R&D Committee for SiGe Related Devices and Materials, in Technical Committee on Electronic Materials, The Institute of Electrical Engineers of Japan., Chairperson

受賞

論文

379

Langmuir-Type Formulation for Atomic-Oder Surface Reactions of Reactant Gases on Group IV Semiconductor (100) Surface

J. Murota

ECS Transactions 112(1) 3-11 2023年10月査読有り招待有り
Langmuir-Type Expressions for In-Situ Co-Doping of C with B or P in Si1–xGex Epitaxial Growth by Chemical Vapor Deposition

Junichi Murota, Hiromu Ishii

ECS Journal of Solid State Science and Technology 10(6) 064004-064004 2021年6月1日
Langmuir-Type Mechanism for In-Situ Doping in CVD Si and Si1−xGex Epitaxial Growth

Junichi Murota, Hiromu Ishii

ECS Journal of Solid State Science and Technology 10(2) 024005-024005 2021年2月1日
Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Si and Ge Epitaxial Growth

J. Murota, Y. Yamamoto, I. Costina, B. Tillack, V. Le Thanh, R. Loo, M. Caymax

ECS Journal of Solid State Science and Technology 7(6) P305-P310 2018年査読有り
Dopant Segregation and Diffusion in CVD Epitaxial Grown Germanium (Invited Paper)

J. Murota, Y. Yamamoto, I. Costina, F. Bärwolf, B. Tillack, V. Le Thanh, R. Loo, B. Douhard, M. Ayyad, M. Caymax

Proc. 6th Int. Workshop on Nanotechnology and Application-IWNA 2017, Phan Thiet, Vietnam, Nov. 8-11, 2017 37-41 2017年11月査読有り招待有り
Photoluminescence of phosphorus atomic layer doped Ge grown on Si

Yuji Yamamoto, Li-Wei Nien, Giovanni Capellini, Michele Virgilio, Ioan Costina, Markus Andreas Schubert, Winfried Seifert, Ashwyn Srinivasan, Roger Loo, Giordano Scappucci …

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 32(10) 104005-6pp 2017年10月査読有り
Abrupt SiGe and Si Profile Fabrication by Introducing Carbon Delta Layer

Yuji Yamamoto, Peter Zaumseil, Markus Andreas Schubert, Anne Hesse, Junichi Murota, Bernd Tillack

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 6(8) P531-P534 2017年査読有り
Atomically controlled processing for dopant segregation in CVD silicon and germanium epitaxial growth

Junichi Murota, Yuji Yamamoto, Ioan Costina, Bernd Tillack, Vinh Le Thanh, Roger Loo, Matty Caymax

ECS Transactions 79(1) 33-42 2017年査読有り
C and Si delta doping in Ge by CH3SiH3 using reduced pressure chemical vapor deposition

Yuji Yamamoto, Naofumi Ueno, Masao Sakuraba, Junichi Murota, Andreas Mai, Bernd Tillack

THIN SOLID FILMS 602 24-28 2016年3月査読有り
Atomically Controlled Processing for Si and Ge CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota, Yuji Yamamoto, Ioan Costina, Bernd Tillack, Vinh Le Thanh, Roger Loo, Matty Caymax

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 7: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING 72(2) 71-82 2016年査読有り
Atomically Controlled Processing for Si and Ge CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota, Yuji Yamamoto, Ioan Costina, Bernd Tillack, Vinh Le Thanh, Roger Loo, Matty Caymax

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 7: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING 72(2) 71-82 2016年査読有り招待有り
Atomically controlled processing for Ge CVD epitaxial growth

Junichi Murota, Yuji Yamamoto, Ioan Costina, Bernd Tillack, Vinh Le Thanh, Roger Loo, Matty Caymax

2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016 - Proceedings 317-320 2016年査読有り
Abrupt SiGe and Si profile fabrication by introducing C delta layer

Y. Yamamoto, A. Hesse, P. Zaumseil, J. Murota, B. Tillack

ECS Transactions 75(8) 339-346 2016年査読有り
Arsenic atomic layer doping in Si using AsH3

Yuji Yamamoto, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack

SOLID-STATE ELECTRONICS 110 29-34 2015年8月査読有り
Low-temperature reduction of Ge oxide by Si and SiH4 in low-pressure H-2 and Ar environment

Kaichiro Minami, Atsushi Moriya, Kazuhiro Yuasa, Kiyohiko Maeda, Masayuki Yamada, Yasuo Kunii, Michio Niwano, Junichi Murota

SOLID-STATE ELECTRONICS 110 40-43 2015年8月査読有り
Atomic-order thermal nitridation of group IV semiconductors for ultra-large-scale integration

Junichi Murota, Vinh Le Thanh

ADVANCES IN NATURAL SCIENCES-NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 6(1) 2015年3月査読有り
Atomic-order thermal nitridation of group IV semiconductors for ultra-large-scale integration

Junichi Murota, Vinh Le Thanh

Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology 6(1) 2015年3月1日査読有り
Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by chemical vapor deposition

A. A. Shklyaev, V. I. Vdovin, V. A. Volodin, D. V. Gulyaev, A. S. Kozhukhov, M. Sakuraba, J. Murota

THIN SOLID FILMS 579 131-135 2015年3月査読有り
Atomically controlled processing for germanium-based CVD epitaxial growth

Junichi Murota, Yuji Yamamoto, Bernd Tillack

ECS Transactions 67(1) 135-144 2015年査読有り招待有り
Advanced germanium epitaxy for photonics application

Y. Yamamoto, S. Lischke, L. Zimmermann, D. Knoll, J. Murota, B. Tillack

ECS Transactions 67(1) 123-134 2015年査読有り

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MISC

(Invited) In-Situ Co-Doping in CVD Si1-xGex Epitaxial Growth Based on the Langmuir-Type Mechanism

Junichi Murota, Hiromu Ishii

ECS Meeting Abstracts MA2020-01(15) 1036-1036 2020年5月1日招待有り
Langmuir-Type Mechanism for in-situ Co-Doping of Boron and Carbon in Silicon-Germanium Epitaxial Growth

J. Murota, H. Ishii

Proc. The 7th International Workshop on Nanotechnology and Application IWNA 2019 FON-005-I 2019年11月招待有り
Papers from the 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, USA, 15-17 May 2006) (ISTDM 2006)

J. Sturm, E. Fitzgerald, S. Koester, J. Kolodzey, J. Murota, D. Paul, B. Tillack, S. Zaima, B. Ghyselen, S. Takagi

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 22(1) 2007年1月
Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) Awaji Island, Hyogo, Japan - Preface

J Murota, S Zaima, M Miyao

THIN SOLID FILMS 508(1-2) XI-XII 2006年6月
Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003) - From materials and process technology to device and circuit technology - 15-17 January, 2003 - Nagoya University Symposion, Nagoya, Japan - Preface

J Murota, B Tillack, M Caymax, J Sturm, Y Yasuda, S Zaima

APPLIED SURFACE SCIENCE 224(1-4) 1-2 2004年3月
特別記事 SiGe技術の最新研究動向

財満鎭明, 櫻庭政夫, 室田淳一

電子材料 42(6) 97-103 2003年6月
SiGe技術の最新研究動向

財満鎭明, 櫻庭政夫, 室田淳一

電子材料 6 28-38 2003年6月
CVD Si_1-x-yGe_xC_yエピタキシャル成長とドーピング

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝, 高澤裕真, 森谷敦, 野田孝暁, 国井泰夫

日立国際電気技報 1 2-10 2001年1月
Si-Ge系ヘテロデバイスの開発動向

室田淳一, 鷲尾勝由, 高木信一

電子材料 1(1) 28-38 2001年1月
Interdiffusion in Si/strained Si0.3Ge0.7/Si(100) single quantum wells studied by Raman scattering

SAKAMOTO K, USHIODA S, MUROTA J, MAEDA T, GOTO K, ONO S

FOURTEENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY 366-367 1994年査読有り
CVDプロセスの高清浄化によるSi-Ge系の低温選択成長

室田淳一, 小野昭一

超精密 2 145-152 1992年2月
Correct reaction neural network and its implementation

K. Nakajima, Y. Hayakawa, S. Sato, T. Nishimura, J. Murota, Y. Sawada

Proceedings. IJCNN - International Joint Conference on Neural Networks 894 1992年1月1日
Implementation of a class of asymmetrical neural networks with application to an a‐d converter

Shigeo Sato, Toshihiko Nishimura, Junichi Murota, Koji Nakajima, Yasuji Sawada

Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 75 92-102 1992年1月1日
CVDプロセスの高清浄化と高品質薄膜形成に関する研究

室田淳一, 加藤学, 御子柴宣夫, 小野昭一, 前田孝浩, 中村直人, 佐藤武敏, 古野誠, 池田文秀

国際電気技報 19 1-11 1992年
側壁の保護に吸着原子を使う異方性エッチング技術を開発－クリーン化したCl₂にN₂を添加，SiN層を形成

室田淳一, 御子柴宣夫, 松浦孝, 植竹宏明, 大見忠弘

日経マイクロデバイス，No.58，4月号 88-94 1990年4月
CVD技術－雰囲気とウェーハ表面をクリーン化 650℃の低温でエピ成長

室田淳一, 御子柴宣夫, 大見忠弘

日経マイクロデバイス別冊，No.2: “pptへの挑戦超クリーン化技術” 208-215 1988年

書籍等出版物

“Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication-Materials, Techniques, and New Opportunities” (Edited by S. Deleonibus)

Junichi Murota (担当:共著, 範囲:Chapter5: “Nanometer-Scale Epitaxial Growth of Group IV Semiconductors”, pp.181-213)

Pan Stanford Publishing Pte. Ltd. 2017年9月
“Photonics and Electronics with Germanium” (Edited by K. Wada and L. C. Kimerling)

室田淳一 (担当:共著, 範囲:Chapter 4: “Heavy Doping in Si1−xGex Epitaxial Growth by Chemical Vapor Deposition”, pp.77-99)

Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. Germany 2015年7月
“Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics” (Edited by Y. Shiraki and N. Usami)

Bernd Tillack, Junichi Murota (担当:共著, 範囲:Chapter 6: "Silicon-Germanium (SiGe) Crystal Growth Using Chemical Vapour Deposition", pp.117-146)

Woodhead Publishing Ltd., Cambridge, UK 2011年2月
薄膜ハンドブック（第2版，日本学術振興会薄膜第131委員会編）

室田淳一, 宮崎誠一 (担当:共著, 範囲:1章薄膜作製法，1.3節 CVD，1.3.2項「CVDの基本原理と基礎理論」, pp.83-94)

オーム社 2008年3月25日 (ISBN: 9784274205194)
新訂版・表面科学の基礎と応用

室田淳一, 櫻庭政夫 (担当:共著, 範囲:第2編基盤技術編，第2章表面・界面の作製技術，第3節薄膜・ナノ構造形成技術，第4項「化学気相成長法（熱CVD）」，pp.467-473)

エヌ・ティ－・エス社 2004年 (ISBN: 4860430514)
21世紀版・薄膜作製応用ハンドブック

室田淳一, 櫻庭政夫 (担当:共著, 範囲:第2編薄膜の作製と加工，第3章 CVD法，第1節熱CVD法，第2項「シリコン系半導体膜」，pp.346-349)

エヌ・ティ－・エス社 2003年 (ISBN: 9784860430191)
Semiconductors and Semimetals (Vol.72, Edited by D. Crippa, D.L. Rode and M. Masi)

Junichi Murota (担当:共著, 範囲:Chapter 4 in “Silicon Epitaxy”, "Epitaxial Growth Techniques: Low-Temperature Epitaxy", pp.127-149)

Academic Press 2001年 (ISBN: 012752181X)
半導体結晶成長，大野英男編著

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝

コロナ社 1999年 (ISBN: 9784339007046)
ウェーハ表面完全性の創成・評価技術

室田淳一, 松浦孝, 櫻庭政夫 (担当:共著, 範囲:第4章，第3節，「CVD薄膜形成における表面吸着水素の効果」，pp.160-167)

サイエンスフォーラム社 1998年 (ISBN: 9784916164148)
薄膜作製応用ハンドブック

室田淳一 (担当:共著, 範囲:第2編，第3章，第2節，第1項，「半導体シリコン・ゲルマニウム膜」，pp.388-393)

エヌ・ティ－・エス社 1995年 (ISBN: 9784900830066)
洗浄における清浄度の分析・評価技術，技術情報協会

室田淳一, 小野昭一 (担当:共著, 範囲:第3章，第2節，第1項，「CVDプロセスの高清浄化」，pp.279-290)

1994年
超高純度ガスの科学，半導体基盤技術研究会編

松浦孝, 室田淳一, 大見忠弘, 小野昭一 (担当:共著, 範囲:第一分冊，第3編，第7章，「高清浄ECRプラズマによる完全選択異方性エッチング技術」, pp.247-258)

Realize Inc.社 1993年1月
超高純度ガスの科学，半導体基盤技術研究会編

室田淳一, 小野昭一 (担当:共著, 範囲:第一分冊，第3編，第7章，「ウルトラクリーンCVD技術」, pp.195-209)

Realize Inc.社 1993年
湿度・水分計測と環境のモニタ，機械学会編

室田淳一, 小野昭一 (担当:共著, 範囲:第2編，第2章，第2.4項，「半導体産業における問題点」，pp.261-267)

技報堂出版社 1992年
次世代超LSIプロセス技術（基礎編）

中山諭, 室田淳一 (担当:共著, 範囲:第2章，第5節，第1項，「SiH₄系ガスの表面反応」，pp.141-148)

Realize Inc.社 1988年
半導体研究，第21巻，西澤潤一編

室田淳一, 中山諭, 遠田均 (担当:共著, 範囲:第7章，「CVD法による薄膜の高速成長および選択成長」，pp.167-186)

工業調査会 1985年 (ISBN: 9784769310433)
LSIハンドブック，電子通信学会編

室田淳一 (担当:共著, 範囲:第4編，第2章，第5節，「CVD技術」，pp.307-318)

オーム社 1984年
JARECT (Japan Annual Reviews in Electronics,Computers and Telecommunications), Vol.13, Semiconductor Technologies, Edited by J. Nishizawa

J. Murota (担当:共著, 範囲:“Deposition Mechanism and Electrical Characteristics of CVD Polysilicon”, pp.21-35)

Ohmusha, Ltd. （オーム社） 1984年 (ISBN: 9780444875044)
半導体研究，第20巻，西澤潤一編

室田淳一, 安田和光 (担当:共著, 範囲:第4章，「CVD法による多結晶シリコンおよびモリブデン薄膜の形成」，pp.99-122)

工業調査会 1983年 (ISBN: 9784769310327)

講演・口頭発表等

Dopant Segregation and Diffusion in CVD Epitaxial Grown Germanium

Junichi Murota

The 6th International Workshop on Nanotechnology and Application-IWNA 2017, Phan Thiet, Vietnam, Nov. 8-11, 2017, Abs.Code. NFT-003-I. 2017年11月8日 Institute of Nanotechnology, Vietnum National University 招待有り
Atomically Controlled Processing for In-Situ Doping in CVD Si and Ge Epitaxial Growth

Junichi Murota

The First International Semiconductor Conference for Gloval Challenges (ISCGC2017) Nanjing, China, July 16-19, 2017. p.30 . 2017年7月16日 The Electrochemical Society (ECS, USA) and the Chinese Physical Society (CPS) 招待有り
Atomically Controlled Processing for Dopant Segregation in CVD Silicon and Germanium Epitaxial Growth

Junichi Murota

Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 6); Schloss Hernstein, Austria, May 21-25, 2017. 2017年5月21日 Engineering Conferences International (ECI) 招待有り
Dopant Segregation in Si and Ge CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

The 8th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN2016), Ha Long City, Vietnam, Nov. 8-12, 2016, No. NMD-122, pp.33-34. 2016年11月8日 Vietnam Materials Research Society 招待有り
Atomically Controlled Processing for Ge CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

2016IEEE13th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2016), Hangzhou, China, Oct. 25-28. No.S20-2 2016年10月25日 IEEE 招待有り
Atomically Controlled Processing for Si and Ge CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

Int. Symp. on Dielectrics for Nanosystems 7 : Materials Science, Processing, Reliability and Manufacturing-and-Solid State Topics General Session The Electrochem. Soc. 229th Meeting, San Diego, CA, May 29 - Jun. 2, 2016, Abs.No.988. 2016年5月29日 The Electrochemical Society and The Electrochemical Society of Japan 招待有り
EI4GroupIV: Excellence Initiative for New Group IV Semiconductor Materials & Processing

Junichi Murota

The 12 International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC 12), imec Leuven, Belgium, May 10-12, 2016. 2016年5月9日 imec
Atomically Controlled Processing for Germanium-Based CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

2015 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V (ULSIC vs. TFT 5), Lake Tahoe, California, USA, June 14-18, 2015. 2015年6月14日 Engineering Conferences International (ECI) 招待有り
Atomic-Oder Thermal Nitridation of Group IV Semiconductors for Ultralarge Scale Integration

Junichi Murota

The 7th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (IWAMSN2014), HaLong, Vietnam, Nov. 2-6, No. NMD11-I25, p.29. 2014年11月2日招待有り
Atomically Controlled Processing for Nitrogen Doping of Group IV Semiconductors

Junichi Murota

2014IEEE12th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2014), Guilin, China, Oct.28-31, 2014, No. O12_01. 2014年10月29日 IEEE 招待有り
Atomic-Order Thermal Nitridation of Si, Si1-xGex and Ge by NH3

Junichi Murota

Int. Symp. on Dielectrics for Nanosystems 6: Materials Science, Processing, Reliability and Manufacturing, The Electrochem. Soc. 225th Meeting, Orlando, FL, May 11-15, 2014, Abs.No.1359. 2014年5月11日 The Electrochemical Society 招待有り
Surface Reaction Controlled Chemical Processing of Group IV Semiconductors for Advanced Electronics Technologies

Junichi Murota

The 7th Sino-US Conferenceof Chemical Engineering, Beijing, China, Oct. 14-18, p.70. 2013年10月14日 The Chemical Industry and Engineering Society of China and American Institute of Chemical Engineers 招待有り
Atomically Controlled CVD Processing for Strain Engineering and Doping in Ultralarge Scale Integration

Junichi Murota

2013 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 4), Grenoble, France, July 7-12, 2013. 2013年7月7日 Engineering Conferences International (ECI) 招待有り
Atomically Controlled CVD Technology of Group IV Semiconductors for Ultralarge Scale Integration

Junichi Murota

2012IEEE11th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2012), Xi’an, China, Oct. 29-Nov.1, 2012, No. S17-1. 2012年10月31日 IEEE 招待有り
Strain Control of Si and Si1-x-yGexCy Layers in Si/Si1-x-yGexCy/Si Heterostructures by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition

Junichi Murota

5th Int. SiGe, Ge, & Related Compounds Symp., Joint Int. Meeting (PRiME 2012) of The Electrochem. Soc. 222th Meeting and The Electrochem. Soc. of Japan, Honolulu, Hawaii, Oct. 7-12, 2012, Abs.No.3126. 2012年10月7日 The Electrochemical Soiety and The Electrochemical Society of Japan 招待有り
Atomically Controlled Processing in Silicon-Based CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

18th Euro. Conf. Chemical Vapor Deposition (EUROCVD), Cork, Ireland, Sep. 4-9, 2011, p.88. 2011年9月4日 European CVD
Atomically Controlled CVD Processing for Doping in Future Si-Based Devices

Junichi Murota

2011 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT3), Hong Kong, China, June 26-July 1, 2011. 2011年6月26日 Engineering Conferences International (ECI) 招待有り
Atomically Controlled Processing in Strained Si-Based CVD Epitaxial Growth

Junichi Murota

2010IEEE10th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technol. (ICSICT 2010), Shanghai, China, Nov.1-4, 2010, No.I12_05. 2010年11月1日 IEEE 招待有り
Atomically Controlled CVD Processing for Doping of Si-Based Group IV Semiconductors

Junichi Murota

Int. Symp. ULSI Process Integration 6 in The Electrochem. Soc. 216th Meeting,Vienna, Austria, Oct. 4-9, 2009, Abs.No.2360. 2009年10月4日招待有り
Atomically Controlled Processing for Group-IV Semiconductors

Junichi Murota

2009 Int. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT2), Xi'an, China, July 5-10, 2009. 2009年7月5日 Engineering Conferences International (ECI) 招待有り

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

IV族半導体高度歪量子ヘテロ共鳴トンネル素子の高性能化プロセス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

櫻庭政夫, 室田淳一
CVD原子層積層による高キャリア濃度・高移動度IV族半導体人工結晶の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2007年 - 2009年

室田淳一, 櫻庭政夫
室温動作を可能にするIV族半導体量子デバイスの製作

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2007年 - 2009年

櫻庭政夫, 室田淳一
IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2009年

櫻庭政夫, 室田淳一
非古典的ナノヘテロデバイス実現のためのヘテロ界面に関する先駆的基盤研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

土屋敏章, 室田淳一, 櫻庭政夫, 竹廣忍, 三島誠史, 吉田啓一, 森祐樹, 室田淳一, 櫻庭政夫
IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2004年 - 2006年

櫻庭政夫, 室田淳一, 竹廣忍
IV族半導体原子層積層ヘテロ人工結晶の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2005年

室田淳一, 櫻庭政夫, 竹廣忍
サブ10ナノメータ級チャネル多層化新構造MOSFET/SOIの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2004年

酒井徹志, 大見俊一郎, 室田淳一
人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 1999年 - 2004年

白木靖寛, 安田幸夫, 室田淳一, 坂本統徳, 荒井英輔, 伊澤達夫
超高キャリア濃度半導体構造を用いた超低抵抗金属/半導体接合の形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2001年 - 2003年

室田淳一, 目黒敏靖, 松浦孝, 櫻庭政夫
人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 1999年 - 2003年

室田淳一, 土屋敏章, 栗野浩之, 小柳光正, 杉山直治, 小野昭一, 松浦孝
サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2002年

酒井徹志, 室田淳一, 松尾誠太郎
Si-Ge-C-N系原子層積層による共鳴トンネルダイオードの製作

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2002年

櫻庭政夫, 目黒敏靖, 室田淳一, 松浦孝
SiGeとSOIを駆使した超低消費電力極微細Si系CMOSデバイス構成法の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2001年

土屋敏章, 松浦孝, 室田淳一
高集積通信システム製作のためのSiGe系MOS-HBT技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2001年

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝, 山本裕司
Si-Ge系エピタキシャル成長による超高濃度不純物半導体の形成とその物性

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1999年 - 2000年

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝
IV族半導体ヘテロ構造におけるホットキャリアの挙動に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1999年 - 1999年

土屋敏章, 室田淳一
IV族半導体極微細構造形成プロセスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 1998年 - 1998年

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝
Si系アモルファス絶縁薄膜の表面構造敏感エッチングと原子制御

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1998年 - 1998年

松浦孝, 櫻庭政夫, 室田淳一
次世代超LSI材料SiGeを拡散源としたSi中への不純物拡散の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1997年 - 1998年

御子柴宣夫, 小林信一, 室田淳一

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産業財産権

特許第4649604号半導体デバイス

櫻庭政夫, 山田敦史, 室田淳一
特許第3793808 電界効果トランジスタ及びその製造方法

酒井徹志, 室田淳一, 大見俊一郎, 櫻庭政夫
No. 6800544 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL-SEMICONDUCOR JUNCTION WITH A REDUCED CONTACT RESISTANCE

J. Murota, Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura
No. 6621145 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL-SEMICONDUCOR JUNCTION WITH A REDUCED CONTACT RESISTANCE

J. Murota, Y. Shimamune, M. Sakuraba, T. Matsuura
特開2002-237590 MOS型電界効果トランジスタ

室田淳一, 櫻庭政夫, 松浦孝, 土屋敏章
No. US20020109135 MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR COMPRISING LAYERED STRUCTURE INCLUDING Si LAYER AND SiGe LAYER OR SiGeC LAYER AS CHANNEL REGIONS

J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura, T. Tsuchiya
No. EP1231643 MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR COMPRISING LAYERED STRUCTURE INCLUDING Si LAYER AND SiGe LAYER OR SiGeC LAYER AS CHANNEL REGIONS

J. Murota, M. Sakuraba, T. Matsuura, T. Tsuchiya
特開2002-083781 半導体デバイス

室田淳一, 島宗洋介, 櫻庭政夫, 松浦孝
特開2002-043576 半導体装置

室田淳一, 土屋敏章, 松浦孝, 櫻庭政夫
No. EP1178532 NMOS and PMOS with strained channel layer

J. Murota, T. Tsuchiya, T. Matsuura, M. Sakuraba
No. US20020008289 MOSFET WITH STRAINED CHANNEL LAYER

J. Murota, T. Tsuchiya, T. Matsuura, M. Sakuraba
No. 311893 A VAPOUR DEPOSITING METHOD AND AN APPARATUS THEREFOR

J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda
特許第3163267号気相成長方法

室田淳一, 小野昭一, 櫻庭政夫, 御子柴宣夫, 黒河治重, 池田文秀
No. 5705224 VAPOR DEPOSITING METHOD

J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda
第2680202号気相成長方法及び装置

室田淳一, 小野昭一, 櫻庭政夫, 御子柴宣夫, 黒河治重, 池田文秀
No. EP0504886 A Vapour Depositing Method and an Apparatus Therefor

J. Murota, S. Ono, M. Sakuraba, N. Mikoshiba, H.Kurokawa, F. Ikeda

その他

超高速無線通信用SiベースⅣ族半導体極微細デバイスに関する研究

1998年4月 - 1998年4月

超高速無線通信用SiベースⅣ族半導体極微細デバイスに関する研究

室田淳一

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