佐藤祐一 (Yuichi Sato) - マイポータル

基本情報

所属: 秋田大学大学院理工学研究科数理・電気電子情報学専攻電気電子工学コース准教授

学位: 博士(工学)(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901052122338620
researchmap会員ID: 1000006808

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研究分野

論文

Characterization of GaN-Based Nanopillar Light-Emitting Diodes on Multicrystalline Si Substrates: Insights into Emitting-Color Distribution Characteristics

Houyao Xue, Shingo Taniguchi, Tsubasa Saito, Yuichi Sato

Physica Status Solidi (B) Basic Research 261(11) 2024年11月
Growth and characterization of Mg-doped GaN and InGaN nanopillar-crystals based on steering-crystal-formed multi-crystalline Si substrates

Houyao Xue, Shingo Taniguchi, Naoyuki Oridate, Tsubasa Saito, Yuichi Sato

Japanese Journal of Applied Physics 63(1) 2024年1月1日
Optical-Emission Properties of GaN-Based Nanopillar Light-Emitting Diodes Prepared on Non-Polished and Non-Single-Crystalline Substrates

Yuichi Sato, Houyao Xue, Shingo Taniguchi, Sora Saito, Atomu Fujiwara, Tsubasa Saito

Key Engineering Materials 967 57-61 2023年
Growth and characterization of InN nanopillar-crystals on steering-crystal-formed multi-crystalline Si substrates

Houyao Xue, Koki Shiraishi, Yosuke Izuka, Sora Saito, Shingo Taniguchi, Tsubasa Saito, Yuichi Sato

Journal of Crystal Growth 573 2021年11月1日
GaN-nanopillar-based light-emitting diodes directly grown on multi-crystalline Si substrates

Yuichi Sato, Shingo Taniguchi, Sora Saito, Houyao Xue, Tsubasa Saito

AIP Advances 11(7) 2021年7月1日
Vertical alignment of InN- and GaN-based nanopillar crystals grown on a multicrystalline Si substrate

Yuichi Sato, Sora Saito, Koki Shiraishi, Shingo Taniguchi, Yosuke Izuka, Tsubasa Saito

Journal of Crystal Growth 537 2020年5月1日
Structure dependence of GaN-based nanopillar-shaped crystals grown on a quartz glass substrate on their growth conditions

Y. Sato, A. Fujiwara, K. Shimomura

Applied Physics A: Materials Science and Processing 125(2) 87-1-87-6 2019年2月1日査読有り
TEM study of GaN-based nanopillar-shaped-crystals grown on a multicrystalline Si substrate

Yuichi Sato, Kaichi Saito, Katsuhiko Sato, Sora Saito, Atomu Fujiwara, Tsubasa Saito

Japanese Journal of Applied Physics 58(6) 2019年
Properties of GaN-based nanopillar-shaped crystals grown on a multicrystalline Si substrate

Atomu Fujiwara, Yuichi Sato

AIP Advances 8(1) 015004-1-015004-5 2018年1月1日査読有り
Differences in morphologies of gan-based nanocrystals grown on metal-foils and multi-crystalline si substrates

Yuichi Sato, Atomu Fujiwara, Nguyen Duc Trung, Sora Saito

Materials Science Forum 941 MSF 2109-2114 2018年12月査読有り
Morphologies and photoluminescence properties of GaN-based thin films grown on non-single-crystalline substrates

Yuichi Sato, Atomu Fujiwara, Shota Ishizaki, Shun Nakane, Yoshifumi Murakami

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 14(1-2) 1600151-1-1600151-6 2017年1月1日査読有り
GaN thin-film-depositions on glass and amorphous-SiO<inf>2</inf>-layer-deposited Si single-crystalline substrates

Yuichi Sato

Materials Science Forum 879 1703-1708 2017年査読有り
Zr-Content Dependence of Electrical Properties in Heat-Trated In2O3:Zr Thin Films Grown on a Sapphire Substrate by Sputtering

Yuichi Sato, Minoru Hatakeyama, Yuhei Muraki, Kazuki Sonoda, Yoshifumi Murakami

International Journal of Advanced Applied Physics Research 3 1-4 2016年6月査読有り
Variations in Photoluminescence Properties of GaN-based Thin Films Directly Grown on an Amorphous Quartz Glass Substrate

Atomu Fujiwara, Shota Ishizaki, Shun Nakane, Yoshifumi Murakami, Yuichi Sato

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り
Ⅲ族窒化物太陽電池における下部透明電極用In2O3系薄膜のスパッタリング法による作製及び諸特性

村木佑平, 佐藤祐一

電子情報通信学会論文誌 C J98-C(11) 1-7 2015年11月査読有り
Some Properties of Group-Ⅲ Nitride Thin Films Directly Grown on Non-Single-Crystalline Substrates by Using a Molecular Beam Epitaxy Apparatus

Yuichi Sato, Shota Ishizaki, Yoshifumi Murakami, Mohamad Idham, Nur Ain, Tatsuya Matsunaga

Journal of Modern Physics 6 1289-1297 2015年8月査読有り
Effects of two-step heat treatment on properties of In<inf>2</inf>O<inf>3</inf>:Zr thin film epitaxially grown on c-face sapphire substrate

Yuichi Sato, Tadahiko Aoshima, Yuhei Muraki

Japanese Journal of Applied Physics 54(8) 08KC09-1-08KC09-5 2015年8月1日査読有り
Growth of high-indium-content InGaN:Mg thin films by MBE method with dual RF nitrogen plasma cells

Yuichi Sato, Tatsuya Matsunaga, Hiroki Takemoto, Yoshifumi Murakami, Yuhei Muraki, Syota Ishizaki

Japanese Journal of Applied Physics 53(11) 11RC04-1-11RC04-5 2014年11月1日査読有り
Properties of GaN-related epitaxial thin films grown on sapphire substrates as transparent conducting electrodes

Yuichi Sato, Tatsuya Matsunaga

Materials Science Forum 783-786 1652-1657 2014年査読有り
Variation of growth rate in InN molecular-beam-epitaxy growth using multiple radio-frequency plasma cells

Yuichi Sato, Kosuke Funaki

Japanese Journal of Applied Physics 52(8 PART 2) 08JD08-1-08JD08-3 2013年8月査読有り

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MISC

Appearance and Relaxation of Unusual Values in the van der Pauw Measurements of the Inhomogeneous Semiconductors by the FEM Simulation

Toru Matsumura, Yuichi Sato

The IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition) J93-C(8) 256-263 2010年
A FEM Simulation of Effects of Inhomogeneous Regions on the van der Pauw Measurements of Semiconductors

Toru Matsumura, Yuichi Sato

Materials Science and Technology 47(1) 36-41 2010年
Thin Film Depositions of CdTe Semiconductors on Amorphous and Single Crystal Substrates and Comparisons of their Properties

Yuichi Sato, Tatsushi Kodate, Manabu Arai

THERMEC 2009, PTS 1-4 638-642 2909-2914 2010年
Investigation of ZnO based Thin Films as Resistance Materials with Small Temperature Coeffficients

Advances in Science and Thchnology 45 2376-2381 2006年
Improvements of crystal orientations of wurtzite-type GaN thin films grown on metal surfaces

Y Sato, T Hishinuma, S Sato

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E86C(6) 1002-1006 2003年6月
Growth of InGaN thin films on polycrystalline metal-foil substrates and their photoluminescence properties

Y Sato, T Hishinuma, S Sato

INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS 0 (1), 120-123 120-123 2002年
A method of preparing thin-film micro-PTC thermistors based on BaTiO3 using YAG-laser irradiation

Y Sato, T Kawamura, S Sato

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 85(11) 25-31 2002年
GaN系マイクロUV-LEDアレイ励起型蛍光ディスプレイにおける発光特性のモンテカルロシミュレーション

佐藤祐一, 佐藤進

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ 99(597) 53-58 2000年1月27日
Preparations of Thin-Film Micro-PTC-Thermistors Based on BaTiO₃ by a YAG Laser Irradiation Method

The transactions of the institute of electronics information and communication engineers C 583-C(4) 294-299 2000年
YAGレーザプロセッシングによるBa-Ti系薄膜PTC素子の作製

佐藤祐一, 川村俊明, 佐藤進

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 99(257) 39-44 1999年8月6日
Voltage-current characteristics of heterojunctions prepared from anodic-oxidized ZnO films and RF-sputtered Pr-Co-O thin films

Yuichi Sato, Tomohide Shindo, Hiroshi Iizuka, Haruo Taguchi, Tadashi Ogasawara, Susumu Sato

Journal of the Ceramic Society of Japan 106(2) 231-233 1998年2月
Van der Pauw法による測定値に対する有限要素シミュレーション

佐藤祐一, 松村透, 能勢敏明, 佐藤進

電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用 J81-C(]G0002[)(3) 363-365 1998年
Properties of Mn-Cu oxide thin-film microthermistors prepared using a YAG laser

Yuichi Sato, Hidekazu Kirita, Haruo Taguchi, Tadashi Ogasawara, Susumu Sato

Journal of the Ceramic Society of Japan 105(6) 522-525 1997年6月
ECRプラズマソースを用いて作製したInN薄膜の特性

佐藤祐一, 佐藤進

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 94(226) 19-24 1994年9月12日
InN-In_2O_3系薄膜の電気的光学的特性

佐藤祐一, 佐藤進

日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi 102(1184) 375-377 1994年
JUNCTIONS OF PR-CO-O THIN-FILMS AND SEMICONDUCTIVE BATIO3 AND THEIR ELECTRICAL-PROPERTIES

Y SATO, T KIYA, H TAGUCHI, S IWAYA, S SATO

NIPPON SERAMIKKUSU KYOKAI GAKUJUTSU RONBUNSHI-JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 101(12) 1374-1378 1993年12月
PREPARATIONS OF LEAD-BASED PEROVSKITE-TYPE THIN-FILMS BY AN ALTERNATE EVAPORATION METHOD

Y SATO, T ATSUKI, S SATO

NIPPON SERAMIKKUSU KYOKAI GAKUJUTSU RONBUNSHI-JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 101(7) 835-837 1993年7月
Preparation of Pb-Based Dielectric Thin Films by Electron Beam Evaporation Method

Scientific and Technical Reports of The Mining College, Akita University 13 1992年
Growth and Properties of GaN Films by Hydride Vapor-Phase-Epitaxy Method

Yuichi SATO, Taku YOMOGIDA, Susumu SATO

Journal of The Association of Materials Engineering for Resources 3(2) 32-38 1990年
Electrical and Optical Properties of InN Thin Films Prepared by Reactive Evaporatin Method

Journal of The Association of Materials Engineering for Resources 2(1) 1989年

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書籍等出版物

Transparent Conductive Materials: Materials, Synthesis, Characterization, Applications

Yuichi Sato, Toru Matsumura, David Levy, Erick Castellon E (担当:分担執筆)

Wiley-VCH 2018年11月
Advanced Materials in Electronics

Yuichi Sato, Susumu Sato, Guo (担当:分担執筆)

Research Signpost 2004年4月

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

佐藤祐一, 齋藤嘉一
非単結晶基板上のⅢ族窒化物ナノ柱状結晶形成と高性能大面積面状発光デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2025年3月

佐藤祐一, 齋藤嘉一
無機半導体及び非晶質基板を用いた大面積・高輝度面発光源の開発に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2020年3月

佐藤祐一, 齋藤嘉一
無機半導体を用いた新規高性能フレキシブル・フラットパネル・ディスプレイの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2013年4月 - 2017年3月

佐藤祐一, 齋藤嘉一
高導電率・高透過率下地層を用いたヒ素・量子ドットレス薄膜太陽電池の製造技術の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/復興促進プログラム/A-STEP/探索タイプ 2012年 - 2013年

佐藤祐一
ナノインプリント的手法による非単結晶基板上への連続単結晶テンプレート層作製と応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2008年4月 - 2010年

佐藤祐一
零温度特性を有する超精密薄膜抵抗材料の超高抵抗率化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2004年4月 - 2006年

佐藤祐一
GaN系UV-LED励起に基づく新規フルカラー・フラットパネルディスプレイの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 2000年4月 - 2001年

佐藤祐一
紫外線発光ダイオード励起型フルカラー蛍光ディスプレイの開発に関する基礎的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1995年4月 - 1995年

佐藤祐一

佐藤祐一

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