松下浩一 (Koichi Matsushita) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東北大学)
工学修士(東北大学)
工学士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901030696933116
researchmap会員ID: 1000007353

外部リンク: http://ea3pch.yz.yamagata-u.ac.jp/member/matsu/matsuH956.htm

研究キーワード

半導体表面表面張力接触角ぬれ性点字

研究分野

経歴

2001年4月 - 現在

山形大学, 電気電子工学科, 教授
1992年12月 - 2001年3月

山形大学, 工学部電気電子工学科, 助教授
1986年12月 - 1992年11月

山形大学, 工学部電気電子工学科, 講師
1978年4月 - 1986年11月

東北大学工学部電子工学科, 助手

学歴

- 1978年3月

東北大学, 工学研究科, 電子工学専攻
- 1976年3月

東北大学, 工学部, 電子工学科

委員歴

2003年4月 - 2005年3月

電気学会, 東北支部山形支所長
2002年4月 - 2003年3月

日本表面科学会, 日本表面科学会東北支部長

論文

Homoepitaxial growth of ZnO films on ZnO(112~0) substrates

Y.Kashiwaba, H.Kato, T.Kikuchi, I.Niikura, K.Matsushita, Y.Kashiwaba

Applied Surface Science 244 373-376 2005年1月1日査読有り
Properties of ZnO films prepared by MO-CVD under oxygen rich condition on sapphire substrate

Y.Kashiwaba, K.Haga, H.Watanabe, B.P.Zhang, Y.Segawa, K.Matsushita

physica status solidi (c) 1 (4) 912-915 2004年2月1日査読有り
Three-ports micro ER valve for ER suspension fabricated by photolithography

Masami Nakano, Teruo Katou, Akira Satou, Kaoru Miyata, Kouichi Matsushita

Journal of Intelligent Material Systems and Structures 13(7-8) 503-508 2002年査読有り
Characterization of Pure Water-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets

K.Matsushita, A.Fujisawa, N.Ando, H.Kobayashi, H.Naganuma, S.Okuyama, K.Okuyama

J.Electrochem.Soc. 148(8) G401-G405 2001年8月1日査読有り
高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察

松下浩一, 門原拓也, 中山健, 長沼博, 奥山澄雄, 奥山克郎

電子情報通信学会論文誌，C J84-C(.2) 136-143 2001年2月1日査読有り
In-situ observation of GaAs surface in high vacuum by contact angle measurement

K Matsushita, T Monbara, K Nakayama, H Naganuma, S Okuyama, K Okuyama

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 84(11) 51-59 2001年査読有り
Hydrogen Gas Sensing Using a Pd-Coated Cantilever

S.Okuyama, Y.Mitobe, K.Okuyama, K.Matsushita

Jpn. J. Appl. Phys. 39(6A) 3584-3590 2000年6月1日査読有り
Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement

K Matsushita, N Suzuki, S Okuyama, K Okuyama

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 145(4) 1381-1384 1998年4月査読有り
Hydrogen-induced light emission from an organic electroluminescent device

S Okuyama, Y Ito, T Sugawara, K Okuyama, K Matsushita, J Kido

APPLIED PHYSICS LETTERS 71(20) 2877-2879 1997年11月査読有り
Improved Response Time of Al/Al2O3-Pd Tunnel Diode Hydrogen Gas Sensor

S.Okuyama, H.Usami, K.Okuyama, H.Yamada, K.Matsushita

Jpn.J.Appl.Phys. 36(11) 6905-6908 1997年11月1日査読有り
Pd/Ni-Al2O3-Al Tunnel Diode as High-Concentration-Hydrogen Gas Sensor

S.Okuyama, K.Umemoto, K.Okuyama, S.Ohshima, K.Matsushita

Jpn.J.Appl.Phys. 36(3A) 1228-1232 1997年3月1日査読有り
Hydrofluoric-Treated GaAs Surfaces Analyzed by Contact Angle Measurement and Auger Electron Spectroscopy

K.Matsushita, N.Suzuki, S.Okuyama, Y.Kumagai

Jpn.J.Appl.Phys. 35(10) 5293-5296 1996年10月1日査読有り
Current vs Voltage Characteristics of Al-Al2O3-Pd Tunnel Junction Hydrogen Sensor

S.Okuyama, K.Okuyama, N.Takinami, K.Matsushita, Y.Kumagai

Jpn.J.Appl.Phys. 35(4A) 2266-2270 1996年4月1日査読有り
Electrochemical intercalation of organic molecules into layered oxides, MoO3

K Ara, H Tagaya, T Ogata, K Matsushita, J Kadokawa, M Karasu, K Chiba

MATERIALS RESEARCH BULLETIN 31(3) 283-294 1996年3月査読有り
POSITIVE-WORKING ALKALINE-DEVELOPABLE PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE PRECURSOR BASED ON POLYISOIMIDE USING DIAZONAPHTHOQUINONE AS A DISSOLUTION INHIBITOR

A MOCHIZUKI, T TERANISHI, M UEDA, K MATSUSHITA

POLYMER 36(11) 2153-2158 1995年5月査読有り
Observation of HCl-and HF-Treated GaAs Surfaces by Measuring Contact Angles of Water Droplets

K.Matsushita, S.Miyazaki, S.Okuyama, Y.Kumagai

Jpn.J.Appl.Phys. 33(8) 4576-4580 1994年8月1日査読有り
Electrochemical Intercalation of Organic Molecules into Thin Film of Layered Oxide MoO₃

H. Tagaya, K. Ara, T. Ogata, K. Matsushita, J. Kadokawa, M. Karasu, K. Chiba

Chemistry Letters 2439-2442 1994年4月1日査読有り
Positive-working photosensitive polyimide precursor based on polyisoimide using nifedipine as a dissolution inhibitor

Amane Mochizuki, Kazuo Yamada, Tadashi Teranishi, Koichi Matsushita, Mitsuru Ueda

High Performance Polymers 6(3) 225-233 1994年査読有り
Electrochemical Detection of Defects in Ge/GaAs Structures by an Anodic Dissolution Method under Illumination

K.Matsushita, R.Chiba, S.Okuyama, Y.Kumagai

J. Electrochem. Soc. 140(7) 2097-2100 1993年7月1日査読有り
SUPPRESSION OF INP SUBSTRATE DEGRADATION BY HYDROGEN PLASMA CAUSED BY THE PRESENCE OF PHOSPHORUS VAPOR

R SCHUTZ, K MATSUSHITA, HL HARTNAGEL, JY LONGERE, SK KRAWCZYK

ELECTRONICS LETTERS 26(9) 564-566 1990年4月査読有り

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書籍等出版物

Properties of Indium Phosphide

S.Adachi, K. Matsushita (担当:共著, 範囲:p335-357)

An Inspec publication 1991年4月1日
化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシー

松下浩一

博士論文 1986年7月1日

所属学協会

産業財産権

特願平4-117733 「マイクロ形状異方性素子」

宗像誠, 松下浩一, 大嶋重利, 小山清人, 高橋幸司, 上田充