2013年4月 - 2016年3月
光熱変換技術を用いた結晶成長方向に組成の異なる半導体薄膜の光吸収スペクトル測定
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
- 配分額
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- (総額)
- 3,000,000円
- (直接経費)
- 2,100,000円
- (間接経費)
- 900,000円
- 資金種別
- 競争的資金
この研究では、高感度PPTS法(光熱変換分光法)を用いて光励起キャリアの非発光緩和過程を実験的に調べ、結晶成長方向(膜厚方向)に組成、即ちエネルギーギャップが変化する薄膜半導体光デバイス材料の光吸収スペクトルを厚さ方向の関数として測定解析する新しい実験手法を開発する。