MISC

2018年10月28日

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE

CRYSTENGCOMM
  • Avit Geoffrey
  • ,
  • Zeghouane Mohammed
  • ,
  • Andre Yamina
  • ,
  • Castelluci Dominique
  • ,
  • Gil Evelyne
  • ,
  • Bae Si-Young
  • ,
  • Amano Hiroshi
  • ,
  • Trassoudaine Agnes

20
40
開始ページ
6207-6213
終了ページ
記述言語
英語
掲載種別
速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)
DOI
10.1039/c8ce01177j

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1039/c8ce01177j
ID情報
  • DOI : 10.1039/c8ce01177j
  • ISSN : 1466-8033

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