2018年10月
Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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- 巻
- 57
- 号
- 10
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）
- DOI
- 10.7567/JJAP.57.105501
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.7567/JJAP.57.105501
- ISSN : 0021-4922
- eISSN : 1347-4065
- SCOPUS ID : 85055269831