共同研究・競争的資金等の研究課題

2006年4月 - 2010年3月

光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長

日本学術振興会  科学研究費助成事業  18360155 基盤研究(B)

課題番号
18360155
体系的課題番号
JP18360155
担当区分
連携研究者
配分額
(総額)
0円
(直接経費)
17,000,000円
(間接経費)
0円
資金種別
競争的資金

良好な光素子の実現が可能な無転位ナイトライド系材料をSi基板上に成長すること、成長した無転位領域を利用して、ナイトライド系材料による光素子を作製することを目的とする。

そのため、(1) 有機金属原料を使用できるよう分子線結晶成長装置を改造し、(2) 低温での選択成長条件を導出し、(3) 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなう。

リンク情報
KAKEN
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360155
ID情報
  • 課題番号 : 18360155
  • 体系的課題番号 : JP18360155