2006年4月 - 2010年3月
光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
日本学術振興会 科学研究費助成事業 18360155 基盤研究(B)
良好な光素子の実現が可能な無転位ナイトライド系材料をSi基板上に成長すること、成長した無転位領域を利用して、ナイトライド系材料による光素子を作製することを目的とする。
そのため、(1) 有機金属原料を使用できるよう分子線結晶成長装置を改造し、(2) 低温での選択成長条件を導出し、(3) 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなう。
そのため、(1) 有機金属原料を使用できるよう分子線結晶成長装置を改造し、(2) 低温での選択成長条件を導出し、(3) 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなう。
- ID情報
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- 課題番号 : 18360155
- 体系的課題番号 : JP18360155