石田 修一

Si:Sbのデルタドープ層とバルクとの弱局在領域の磁気抵抗の比較 

302-303 7 2001年  

Comparison of Magnetoconductance of δ-doped layer and bulk Si : Sb in the Weak-Localization Regime 

Physica 302/303 7-11 2001年  

Si:Sbの上部ハバードバンド輸送現象の弱局在による解析 

218(1) 177 2000年  

ポリSi MOS反転層のゲート電圧によるホッピングから拡散伝導へのクロスオーバー 

European Conference on Physics of Magnetism 2002 218(1) 89-92 2000年  

Localization Analysis for the Upper-Hubbard Band transport in Si : Sb 

physica status solidi(b) 218(1) 177 2000年  

ポリSi MOS反転層のホッピング領域へのクロスオーバー近傍の弱局在 

8(Special Issue) 105 1999年  

SbをドープしたSiの磁場誘起金属-非金属転移 

8(Special Issue) 69 1999年  

高移動度ポリシリコンTFTのゲート電圧による半導体-金属転移と負の磁気抵抗 

電子情報通信学会 信学技報 ED99-15(4) 29 1999年  

Weak Localization near the Crossover to Hopping Regime in Poly-Si MOS Inversion Layer 

Annalen der Physik 8(Special Issue) 105 1999年  

Metal-Insulator Transition Induced by Magnetic Tuning in Sb Doped Si 

Annalen der Physik 8(Special Issue) 69 1999年  

Semicoductor-Metal Transition and Negative Magnetoresistance Varying Gate Voltage in High-Mobility Poly-si TFT 

THE INSTITUTE OF ELECTRONICS, INFORMATION AND COMMUNICATION ENGINEERS TECHNICAL REPORT OF IEICE. ED99-15(4) 29 1999年  

SbをドープしたSiの電子温度下昇による磁気抵抗の著しい変化 

210 263 1998年  

Poly-Si TFTの拡散伝導へのクロスオーバー近傍における負のホッピング磁気抵抗 

205 1612 1998年  

The Drastic Change of Magnetoresistance by the Rise of Electron Temperature in Sb Doped Si 

Physica status solidi(b) 210 263 1998年  

Negative Hopping Magenetoresistance Near the Crossover to Diffusive Transport in Poly-Si Thin Film Transistors 

Phisica status solidi(b) 205 1612 1998年  

高移動度Poly-Si TFTのバンドテイル・ホッピング伝導 

113-114 685 1997年  

Hopping Transport in Band-Tail of Grain Boundaries in High-Mobility Poly-Si TFTs 

Applied Surface Science 113/114 685-688 1997年