山崎誠 (Makoto Yamazaki) - マイポータル

基本情報

所属: 群馬工業高等専門学校校長

学位: 工学博士

J-GLOBAL ID: 200901012368961791
researchmap会員ID: 1000140799

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

学歴

論文

Effects of Ce Doping on Phosphor Caracteristics of CaGa2S4:Eu

Japanese Journal of Applied Physics:Supplement 36(1) 440-441 2000年
Molecular Modes in Vibration Spectra of CaGa2S4

Japanese Journal of Applied Physics:Supplement 36(1) 315-317 2000年
One-Phonon Spectra and Effective Phonon Density-of-States in CaGa2S4

Japanese Journal of Applied Physics:Supplement 36(1) 307-309 2000年
Dielectric Function Spectra and Intraband Density-of-States in TlSe

Japanese Journal of Applied Physics:Supplement 36(1) 305-306 2000年
電気工学科のコンピュータ教育を充実させるための実験教材の開発

高専教育 (18) 27 1995年

MISC

Effects of Ce Doping on Phosphor Caracteristics of CaGa2S4:Eu Japanese Journal of Applied Physics:Supplement

36(1) 440-441 2000年
Study on Photoacoustic Signals from Powdered Samples

Takefumi Oka, Kunihiko Tanaka, Taichi Tokunaga, Takashi Nakamura, Tomohiro Iiri, Makoto Yamazaki

Japanese Journal of Applied Physics 37(4A) 1919-1925 1998年
Exciton States in III-III-VI(2) Compounds with Incommensurate Phase

Crystal Research Technology 31 721-724 1996年
Temperature Behavior of Photoconductivity in TlGaSe2 Layered Compounds

Crystal Research Technology 31 189-192 1996年
A New Type of Practical Training Course for computer Education in the Department of Electrical Engineering

(18) 27 1995年
Optical and Electrical Characterization of CuGaS2 Grown by Vapor Phase Epitaxy

Makoto Morohashi, Yoshihide Ando, Nozomu Tsuboi, Tomoaki Terasako, Seishi Iida, Shoichi Okamoto

Japanese Journal of Applied Physics 32(3) 621-623 1994年
Optical and Electrical Characterization of CuGaS2 Grown by Vapor Phase Epitaxy

Makoto Morohashi, Yoshihide Ando, Nozomu Tsuboi, Tomoaki Terasako, Seishi Iida, Shoichi Okamoto

Japanese Journal of Applied Physics Supplement 32(32.3) 621-623 1994年
Resonant Raman Scattering and Free-Exciton Emission in CuGaS2 Crystals

Physica B 185,348 1993年
OPTICAL INVESTIGATIONS ON THE MOBILITY OF TWO-DIMENSIONAL EXCITONS IN GAAS/GA1-XALXAS QUANTUM WELLS

H HILLMER, A FORCHEL, S HANSMANN, M MOROHASHI, E LOPEZ, HP MEIER, K PLOOG

PHYSICAL REVIEW B 39(15) 10901-10912 1989年5月
TWO-DIMENSIONAL EXCITON TRANSPORT IN GAAS/GAALAS QUANTUM WELLS

H HILLMER, S HANSMANN, A FORCHEL, M MOROHASHI, E LOPEZ, HP MEIER, K PLOOG

APPLIED PHYSICS LETTERS 53(20) 1937-1939 1988年11月
光音響分光法の半導体材料への応用

長岡工業高等専門学校研究紀要 22(4) 1986年
交流光電流法による少数キャリヤの拡散係数・ライフタイムの測定

長岡工業高等専門学校研究紀要 21(2) 1985年
Measurement of Electron Mobility in p-Si by Time-of-Flight Technique

Japanese Journal of Applied Physics 24(6) 1985年
Electron Mobility and Drag Effect in p-Type Silicon

Japanese Journal of Applied Physics 24(6) 1985年
Photoacoustic Study of 280 nm Band of Acetone Vapor

Bulletin of the Chemical Society of Japan 61(1) 1983年
Measurement of Minority-Carrier Diffusion Coefficient in Silicon by AC Photo-Current Method

Japanese Journal of Applied Physics 22(2) 1983年
Hot Holes and Noise in Space Charge Limited Current Flow in p-Type Silicon

Journal de Physiaue 42 1982年

書籍等出版物

photovoltaic Effect in TlInS2-, TlGaSe2-, and TlGaS2-based Barrier Structure

Ternary and Multinary Compounds Institute of Physics Conference Series(Institute of Physics Publishing) 1998年
Design and Control of Interface Structure by Use of Nitrogen-Ion Imprantation

New Functionality Materials (Elsevier Science Pub. )Vol. C 1993年
高等専門学校用教材「新素材(]G0005[) 半導体材料編」

放送教育開発センター 1990年

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

III-V族希薄磁性半導体のSiヘテロエピタキシーとその制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2002年 - 2004年

内富直隆, 打木久雄, 山崎誠, 神保良夫
化合物半導体の光学的・電気的特性評価
Optical and Electrical Characterization of Compound Semiconductors