大山 英典

J-GLOBALへ         更新日: 11/08/05 00:00
 
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研究者氏名
大山 英典
 
オオヤマ ヒデノリ
所属
旧所属 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科
職名
教授
学位
工学博士

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
1992年
 - 
1992年
大学間電子工学研究センターの客員研究員
 

学歴

 
 
 - 
1983年
豊橋技術科学大学  電気電子工学専攻
 

Misc

 
npn Si トランジスタのhFEの劣化に及ぼすコレクタ領域内の格子欠陥の効果
107(1) 429-439   1988年
電子線照射npn Si トランジスタのコレクタ領域内の格子欠陥形成過程
110(2) 677-686   1988年
電子線照射npn Siトランジスタの通電における回復過程
27(11) 2179-2180   1988年
1-MeVの電子線照射によるSi1-xGexダイオードの導入欠陥とそれの電気的特性と及ぼす影響
32-33,247-252    1993年
ボロン注入されたSi1-xGexを持つ1-MeV電子線照射ダイオードの電気的特性
331-336    1993年

Works

 
先端半導体デバイスの放射線損傷
1995年

競争的資金等の研究課題

 
半導体デバイスの放射線損傷機構に関する研究