田島道夫 (Michio Tajima) - マイポータル

基本情報

所属: 明治大学研究・知財戦略機構特任教授

J-GLOBAL ID: 200901075225986868
researchmap会員ID: 1000144528

委員歴

2017年10月 - 現在

日本学術振興会結晶加工と評価第145委員会, 委員
2016年6月 - 現在

半導体サプライチェーン材料規格研究会, 委員長
2006年3月 - 現在

日本学術会議, 連携会員
2007年10月 - 2017年9月

日本学術振興会結晶加工と評価第145委員会, 委員長
2004年4月 - 2006年3月

応用物理学会, 副会長
1998年4月 - 2000年3月

応用物理学会, JJAP編集委員長
1996年4月 - 1998年3月

応用物理学会, 会誌編集委員長

受賞

2012年11月

第12回山﨑貞一賞（計測評価部門）
2009年9月

応用物理学会論文賞「JJAP論文賞」
2007年8月

応用物理学会フェロー
1994年12月

Best Poster Award in IEEE First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
1992年8月

応用物理学会固体素子材料コンファレンス賞（SSDM Award）
1980年11月

半導体研究振興協会渡辺記念研究奨励賞

論文

Origin of room-temperature photoluminescence around C-line in electron-irradiated Si and its applicability for quantification of carbon

Michio Tajima, Yoichiro Ishikawa, Hirotatsu Kiuchi, Atsushi Ogura

Appl. Phys. Express 11 041301-1-041301-5 2018年2月査読有り
H. Kiuchi, M. Tajima, F. Higuchi, A. Ogura, N. Iida, S. Tachibana, I. Masada and E. Nishijima

Jpn. J. Appl. Phys. 56(7) 070305-1-070305-3 2017年7月査読有り
Photoluminescence Due to Early Stage of Oxygen Precipitates in Multicrystalline Si for Solar CellsFumito Higuchi, Michio Tajima and Atsushi Ogura

Fumito Higuchi, Michio Tajima, Atsushi Ogura

Jpn. J. Appl. Phys. 56(6) 070308-1-070308-3 2017年6月査読有り
Quantification of C in Si by photoluminescence at liquid N temperature after electron irradiation

Michio Tajima, Hirotatsu Kiuchi, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

Appl. Phys. Express 4(4) 046602-1-046602-3 2017年3月査読有り
Recent Advances in Quantitative Impurity Analysis by Photoluminescence Technique: High Concentration of Dopant Impurities and Low Concentration of Carbon

Michio Tajima, Kei Nakagawa, Hirotastu Kiuchi, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

Proc. 7th Int. Symp. Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium) 185-189 2016年11月招待有り
Photoluminescence due to impurity cluster bound exciton in highly doped and highly compensated Si

Michio Tajima, Koji Tanaka, Sébastien Dubois, Jordi Veirman, Kei Nakagawa, Atsushi Ogura

Jpn. J. Appl. Phys. 54(10) 111304-1-111304-5 2015年10月査読有り
シリコン結晶その現状と将来展望

田島道夫, 干川圭吾, 宝来正隆, 鹿島一日兒, 山本秀和

応用物理 84(5) 444-451 2015年5月査読有り招待有り
太陽電池用Siにおける深い準位のフォトルミネッセンス

4(6) 1452-1458 2014年11月査読有り招待有り
Characterization of Dislocations and Oxygen Precipitates in Photovoltaic Si by Deep-Level Photoluminescence

M. Tajima, G. Kato, Y. Iwata, K. Komatsu, H. Toyota, A. Ogura

Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6), November 23-27, 2014, Kyoto, Japan 551-554 2014年11月招待有り
Quantitative Analysis of Donor and Acceptor Impurities in Photovoltaic Si by Photoluminescence Spectroscopy

Proc. 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, Oct. 19-22, 2014, Hamamatsu, Japan 266-273 2014年10月招待有り
Polarized photoluminescence imaging analysis around small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells

Gen Kato, Michio Tajima, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(8) 080303-1-080303-3 2014年8月査読有り
Photoluminescence Analysis of Oxygen Precipitation around Small-Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon Wafers

G. Kato, M. Tajima, F. Okayama, S. Tokumaru, R. Sato, H. Toyota, A. Ogura

ACTA PHYSICA POLONICA A 125(4) 1010-1012 2014年4月査読有り
Polarized Photoluminescence from Partial Dislocations in 4H-SiC

Rii Hirano, Michio Tajima, Hidekazu Tsuchida, Kohei M. Itoh, Koji Maeda

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 319-+ 2014年
Revisiting Donor and Acceptor Levels in Highly Doped and Highly Compensated Si from the Viewpoint of Donor-Acceptor Pair Luminescence

Maxime Forster, Koji Tanaka, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC7) 123-128 2013年10月
Quantification of Nitrogen in Silicon by Luminescence Activation Using Aluminum Ion Implantation

Michio Tajima, Yohei Kamata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 2013年8月
Pair luminescence originating from P and As donors and B, Al and Ga acceptors in highly doped and highly compensated Si

Koji Tanaka, Maxime Forster, Kevin Lauer, Til Bartel, Fritz Kirscht, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

23rd Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes 152-158 2013年7月
Electronic states of donor and acceptor impurities in highly doped and highly compensated Si

Maxime Forster, Koji Tanaka, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

23rd Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes 159-163 2013年7月
Donor-acceptor pair luminescence in B and P compensated Si co-doped with Ga

Michio Tajima, Koji Tanaka, Maxime Forster, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

Journal of Applied Physics 113(24) 243701 2013年6月28日
Polarization of Photoluminescence from Partial Dislocations in 4H-SiC

Rii Hirano, Hidekazu Tsuchida, Michio Tajima, Kohei M. Itoh, Koji Maeda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6(1) 011301 2013年1月
Quantification of Donor and Acceptor Impurities in Photovoltaic Si by Photoluminescence Spectroscopy

The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Nov. 19-23, 2012, Kona, Hawaii, USA 207-210 2012年11月

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書籍等出版物

シリコン結晶技術

(担当:監修)

日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 2015年3月
「太陽電池技術ハンドブック」小長井誠・植田譲共編

オーム社 2013年5月
半導体SiC技術と応用第2版

編者, 松波弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝 (担当:共著)

日刊工業新聞社 2011年9月
太陽電池の基礎と応用

小長井誠, 名, 監修, 日本学術振, 委員会 (担当:共著)

培風館 2010年7月
太陽エネルギー有効利用最前線

杉本広紀 (担当:共著)

株式会社エヌ・ティー・エス 2008年6月

講演・口頭発表等

Quantification of low-level carbon in Si by photoluminescence at liquid nitrogen temperature and higher after electron irradiation

Michio Tajima, Yoichiro Ishikawa, Hirotatsu Kiuchi, Atsushi Ogura

10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10) 2018年4月11日招待有り
電子線照射Si結晶の室温フォトルミネッセンスで観測されるC-line近傍発光の起源

田島道夫, 木内広達, 石川陽一郎, 小椋厚志

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月18日応用物理学会
電子線照射Si結晶の室温フォトルミネッセンスで観測されるC-line近傍発光を利用した炭素評価

石川陽一郎, 田島道夫, 木内広達, 三好一智, 小椋厚志

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月11日応用物理学会
Determination of carbon concentration in phosphorus-doped n-type Czochralski-grown Si crystals by liquid-nitrogen-temperature photoluminescence after electron irradiation

Y. Ishikawa, M. Tajima, H. Kiuchi, A. Ogura, K. Miyamura, H. Harada, K. Kakimoto

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27) 2017年11月13日
Systematic Variation of Photoluminescence with Dopant Impurities in Highly Doped and Highly Compensated Si

M. Tajima, K. Nakagawa, H. Kiuchi, A. Ogura, T. Bartel, F. Kirscht

17th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII) 2017年10月11日
Determination of Low Carbon Concentration in Czochralski-Grown Si for Solar Cells by Liquid-Nitrogen-Temperature Photoluminescence after Electron Irradiation

H. Kiuchi, M. Tajima, F. Higuchi, Y. Ishikawa, A. Ogura

17th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII) 2017年10月11日
電子線照射発光活性化液体窒素温度PL法によるP添加n型CZ-Si結晶の炭素定量

石川陽一郎, 田島道夫, 木内広達, 小椋厚志, 宮村佳児, 原田博文, 柿本浩一

第78 回応用物理学会秋季学術講演会予稿 2017年9月6日
Liquid-Nitrogen-Temperature Photoluminescence of Radiation-Induced C- and G-lines for Quantification of Low-Level Carbon in Si

Michio Tajima, Hirotatsu Kiuchi, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

29th International Conference on Defects in Semiconductors 2017年8月1日
高濃度・高補償比Si 結晶で形成される不純物帯のPL 解析

田中香次, 田島道夫, 豊田裕之, 小椋厚志

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月19日応用物理学会
太陽電池用多結晶 Si 中における小角粒界の偏光 PL イメージング解析

加藤言, 田島道夫, 豊田裕之, 小椋厚志

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月19日応用物理学会
高濃度・高補償比Si結晶中のドナー・アクセプタ不純物の振舞

田中香次, 田島道夫, Maxime Forster, 豊田裕之, 小椋厚志

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月16日応用物理学会
Relation between Deep-Level Photoluminescence and Structure of Small-Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Si

F. Okayama, M. Tajima, N. Miyazaki, R. Hirano, H. Toyota, A. Ogura

15th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XV), Warsaw, Poland, September 15-19 2013年9月15日 Institute of Electron Technology, Warsaw University of Technology
Photoluminescence Analysis of Oxygen Precipitation around Small-Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon Wafers

G. Kato, F. Okayama, S. Tokumaru, R. Sato, M. Tajima, H. Toyota, A. Ogura

15th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XV), Warsaw, Poland, September 15-19 2013年9月15日 Institute of Electron Technology, Warsaw University of Technology
第12回「山﨑貞一賞」受賞記念講演：フォトルミネッセンスによる半導体結晶計測評価法の開発と標準化

学振結晶加工と評価技術第145委員会第134回研究会資料（2013.6.14） 2013年6月14日日本学術振興会
高補償比B, P, Ga添加Si結晶のフォトルミネッセンス解析

田中香次, 田島道夫, Maxime Forster, 豊田裕之, 小椋厚志

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月30日応用物理学会
太陽電池用多結晶Siにおける小角粒界のフォトルミネッセンス解析

加藤言, 岡山太, 徳丸慎司, 佐藤力樹, 豊田裕之, 田島道夫, 小椋厚志

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月30日応用物理学会
多結晶Siウエハー中の小角粒界のフォトルミネッセンス解析

岡山太, 宮崎直人, 平野梨伊, 田島道夫, 豊田裕之, 小椋厚志

第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年3月30日応用物理学会
Photoluminescence techniques for materials characterization: From electronic to photovoltaic Si

E-MRS 2012 Spring Meeting, Symposium A 2012年5月
Siにおけるドナー･アクセプタ対発光の微細構造

第71回応用物理学会学術講演会 2010年9月
Defect analysis in solar cell silicon by photoluminescence spectroscopy and topography

216th ECS Meeting 2009年10月