渡辺正裕 (Masahiro Watanabe) - マイポータル

基本情報

所属: 東京科学大学工学院准教授

学位: 工学博士(東京工業大学)

研究者番号: 00251637
J-GLOBAL ID: 200901051619704110
researchmap会員ID: 1000161767

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2024年10月 - 現在

東京科学大学, 工学院, 准教授
1995年

-:
1995年

-:東京工業大学助教授
1993年

-:
1993年

-:東京工業大学助手

学歴

1988年4月 - 1993年3月

東京工業大学, 理工学研究科, 電子物理工学専攻
- 1993年

東京工業大学
1984年4月 - 1988年3月

東京工業大学, 工学部, 電気電子工学

委員歴

2016年7月 - 現在

一般財団法人電気技術者試験センター, 第一種・第二種電気主任技術者試験員
2005年4月 - 2006年3月

応用物理学会, 機関誌編集委員
電子情報通信学会, 和文論文誌編集委員

受賞

2006年4月

文部科学大臣表彰科学技術賞理解増進部門, 文部科学省

末松良一, 浅田雅洋, 渡辺正裕, 山内健治, 大井文高
2004年

平成16年度「東工大挑戦的研究賞」, 東京工業大学
2002年

丸文研究奨励賞, 財団法人丸文研究交流財団
1994年

丹羽保次郎記念論文賞, 東京電機大学

渡辺正裕

論文

Electroluminescence of 1.65 μm near-infrared wavelength quantum cascade lasers using Si/CaF₂ heterostructures

Zhiyuan Fan, Haibo Wang, Hyuma Suzuki, Masahiro Watanabe

Journal of Luminescence 293 121786-121786 2026年5月査読有り最終著者
Electroluminescence of 1.27 μm near-infrared quantum cascade lasers using Si/CaF ₂ heterostructures on SOI substrate

Zhiyuan Fan, Hyuma Suzuki, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月12日査読有り最終著者責任著者
Design and analysis of Si/CaF ₂ near-infrared ( λ ∼ 1.05 μm) DFB quantum cascade laser with wide transition layer

Zhiyuan Fan, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 65(5) 05SP19-05SP19 2026年3月6日査読有り最終著者責任著者
Near-infrared (λ ∼ 1.2 μm) intersubband electroluminescence in Si/CaF₂ quantum cascade structures

Gensai Tei, Yohei Koyanagi, Long Liu, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 62(7) 072004-072004 2023年7月1日査読有り最終著者
Design and Analysis of Si/CaF₂ Near-Infrared (λ∼1.7µm) DFB Quantum Cascade Laser for Silicon Photonics

Gensai TEI, Long LIU, Masahiro WATANABE

IEICE Transactions on Electronics E106.C(5) 157-164 2023年5月1日査読有り最終著者
Design, Fabrication, and Evaluation of Waveguide Structure Using Si/CaF₂ Heterostructure for Near- and Mid- Infrared Silicon Photonics

Long LIU, Gensai TEI, Masahiro WATANABE

IEICE Transactions on Electronics E106.C(1) 1-6 2023年1月1日査読有り最終著者
Room temperature near-infrared electroluminescence of Si/CaF₂ quantum cascade laser structures grown on an SOI substrate

Gensai Tei, Long Liu, Yohei Koyanagi, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBE03-SBBE03 2021年3月16日査読有り最終著者
Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii …

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 33(2) 159-165 2020年5月査読有り
Negative differential resistance of CaF₂/Si double barrier resonant tunneling diodes fabricated using plasma etching mesa isolation process

Yoshiro Kumagai, Satoshi Fukuyama, Hiroki Tonegawa, Kizashi Mikami, Kodai Hirose, Kanta Tomizawa, Kensuke Ichikawa, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 59(SI) SIIE03-SIIE03 2020年4月14日査読有り最終著者
Vertical Bipolar Transistor Test Structure for Measuring Minority Carrier Lifetime in IGBTs

K. Takeuchi, M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, Y. Numasawa, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa …

2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 98-101 2019年3月
Verification of the Injection Enhancement Effect in IGBTs by Measuring the Electron and Hole Currents Separately

T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki …

2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 26-29 2018年9月
New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki …

2018 IEEE Symposium on VLSI Circuits 105-106 2018年6月
Resistance switching memory characteristics of CaF₂/Si/CaF₂ resonant-tunneling quantum-well heterostructures sandwiched by nanocrystalline Si secondary barrier layers

Yuya Kuwata, Keita Suda, Masahiro Watanabe

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(7) 2016年7月査読有り最終著者
Analysis of single- and double-barrier tunneling diode structures using ultrathin CaF₂/CdF₂/Si multilayered heterostructures grown on Si

Keita Suda, Yuya Kuwata, Masahiro Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 2015年4月査読有り最終著者
Resistance switching memory characteristics of Si/CaF₂/CdF₂/CaF₂/Si resonant-tunneling quantum-well structures

Junya Denda, Kazuya Uryu, Keita Suda, Masahiro Watanabe

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(4) 044103-1-044103-4 2014年4月査読有り最終著者
Resistance Switching Memory Characteristics of Si/CaF₂CdF₂ Quantum-Well Structures Grown on Metal (CoSi₂) Layer

Junya Denda, Kazuya Uryu, Masahiro Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(4) 04CJ07-1-04CJ07-4 2013年4月査読有り最終著者
Suppression of leakage current of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates by nanoarea local epitaxy

Tohru Kanazawa, Atsushi Morosawa, Ryo Fujii, Takafumi Wada, Yusuke Suzuki, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(6A) 3388-3390 2007年6月査読有り最終著者
Room temperature negative differential resistance of CdF₂/CaF₂ double-barrier resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates

Tohru Kanazawa, Ryo Fujii, Takafumi Wada, Yusuke Suzuki, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

APPLIED PHYSICS LETTERS 90(9) 092101 2007年2月査読有り最終著者
Improvement of electroluminescence from CdF₂/CaF₂ intersubband transition light-emitting structure by trench patterning and hydrogen annealing of Si substrate

Keisuke Jinen, Kaoru Uchida, Shinji Kodaira, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 3(23) 493-498 2006年12月査読有り最終著者
Room-temperature electroluminescence from single-period (CdF₂/CaF₂) inter-subband quantum cascade structure on si substrate

K Jinen, T Kikuchi, M Watanabe, M Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(4B) 3656-3658 2006年4月査読有り最終著者

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MISC

5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証—3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage—電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子 …

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2019(161-172) 61-65 2019年11月29日
招待講演トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション—Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs—シリコン材料・デバイス

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(273) 45-48 2019年11月
依頼講演 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作—3300V Scaled IGBT Switched by 5V Gate Drive—シリコン材料・デバイス

平本俊郎, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(161) 31-34 2019年8月
招待講演 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減—シリコン材料・デバイス

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(429) 39-44 2019年1月29日
トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫 …

電子情報通信学会技術研究報告 119(273(SDM2019 68-79)) 311-314 2019年
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Saraya, Takuya, Itou, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Tsukuda, Masanori, Numasawa, Yohichiroh, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko …

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 43-46 2019年
少数キャリアライフタイムによる半導体プロセスの評価手法の提案

角嶋邦之, 星井拓也, 渡辺正裕, 執行直之, 古川和由, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一 …

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM) 2018 2018年
ローカルエピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104(622) 7-10 2005年1月20日筆頭著者
Si(100) 基板上に形成されたCdF₂/CaF₂超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(631) 25-28 2004年1月23日筆頭著者
ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101(618) 65-70 2002年1月22日筆頭著者
金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス

渡辺正裕, 末益崇, 浅田雅洋

應用物理 63(2) 124-131 1994年2月10日

講演・口頭発表等

248

イオンビームエピタキシー法における加速電圧最適化によるSi/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減

服部堅, 斎藤恵多, 猪狩秀, 小林隆弘, 石川友志, 渡辺正裕

第73回応用物理学会春季学術講演会, 17p-PA5-9 2026年3月17日
Si/CaF₂四重障壁共鳴トンネル構造を用いた不揮発性抵抗変化メモリの立ち上がり電圧制御

齋藤恵多, 服部堅, 猪狩秀, 小林隆弘, 山下怜央, 渡辺正裕

第73回応用物理学会春季学術講演会, 17p-PA5-8 2026年3月17日
Electroluminescence of 1.27μm Near-Infrared Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate

Zhiyuan Fan, Hyuma Suzuki, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

The 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials 2025年9月16日 The Japan Society of Applied Physics
Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

王海波, 范志遠, 祁樹堂, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-P12-1 2025年9月9日公益社団法人応用物理学会
反応性イオンエッチングによる微小孔中に形成したSi/CaF₂ n型二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

猪狩秀, 小林隆弘, 服部堅, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-P04-6 2025年9月8日公益社団法人応用物理学会
CaF₂埋め込み構造を用いたn型Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

小林隆弘, 宇佐見遼也, 村上寛太, 服部堅, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-P04-5 2025年9月8日公益社団法人応用物理学会
Analysis of 1.27μm Near-Infrared Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate

范志遠, 鈴木飛雄馬, 王海波, 渡辺正裕

第72回応用物理学会春季学術講演会, 16a-P08-1 2025年3月16日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ ヘテロ構造を用いたホール駆動型近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

鈴木飛雄馬, 范志遠, 王海波, 渡辺正裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P04-2 2024年9月18日公益社団法人応用物理学会
Analysis of 4.1μm Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate

范志遠, 鈴木飛雄馬, 王海波, 渡辺正裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P04-1 2024年9月18日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いたReRAMの電荷保持特性

星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 塩路冬弥, 渡辺正裕

第71回応用物理学会春季学術講演会, 25a-12K-9 2024年3月25日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ n型三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流密度向上

村上寛太, 宇佐見遼也, 星野麻衣子, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P09-2 2023年9月22日公益社団法人応用物理学会
CaF₂埋め込み構造を用いたp型 Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードのバレー電流低減

宇佐見遼也, 星野麻衣子, 村上寛太, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P09-3 2023年9月22日公益社団法人応用物理学会
CaF₂/Si ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの低電界化に向けた構造提案

杉山裕汰, 鈴木飛雄馬, 范志遠, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-P20-3 2023年9月21日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温パルス応答特性

星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-A301-15 2023年9月20日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温スイッチング特性

星野麻衣子, 伊藤滉悟, 鈴木優輔, 宇佐見遼也, 村上寛太, 鄭源宰, 渡辺正裕

第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-D411-4 2023年3月15日公益社団法人応用物理学会
Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた波長1.6 µm帯量子カスケードレーザの理論解析

鄭源宰, 劉龍, 齊藤雅高, 松浦耕洋, 杉山裕汰, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P05-1 2022年9月22日公益社団法人応用物理学会
CaF₂埋め込み構造によるSi/CaF₂ p型共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減

伊藤滉悟, 鈴木優輔, 星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P14-1 2022年9月22日公益社団法人応用物理学会
サーファクタントエピタキシー法により形成した Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

鈴木優輔, 伊藤滉悟, 齊藤雅高, 星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P14-2 2022年9月22日公益社団法人応用物理学会
CaF₂上に成膜したSi薄膜の表面平坦性に対するAs照射効果

齊藤雅高, 鄭源宰, 劉龍, 小柳陽平, 菅原大暉, 渡辺正裕

第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E103-9 2022年3月24日公益社団法人応用物理学会
p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(∆E_V)の評価

菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕

第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-P02-1 2022年3月22日公益社団法人応用物理学会

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