志村 史夫

レーザ/マイクロ波光導電法によるチヨクラルスキーシリコンウエーハ中の成長導入欠陥の非接触評価 

応用物理レター(アメリカ) 63(21) 2914 1993年  

誘電体膜に被われたシリコンウエーハの再結合ライフタイムに及ぼす紫外光照射の影響 

応用物理レター(アメリカ) 63(9) 1246 1993年  

シリコン中の光導電少数キャリアライフタイムと表面光起電力拡散距離 

電気化学協会誌(アメリカ) 140(11) 3240 1993年  

PCD法によるシリコン基板上の窒化膜中の電子移動過程の測定 

応用物理学誌(アメリカ) 74(12) 7311 1993年  

Noncontact characterization for grown in defects in Czochralski Silicon wafers with a laser/microwave photoconductance urethod 

Applied Physics Letters 63(21) 2914-2916 1993年  

Effect of ultraviolet irradiation upon the recounbination lifetime of silicon covered with a dielectric filun 

Applied Physics Letters 63(9) 1246-1248 1993年  

Photoconductance minority carrier lifetime us. Scerface photovoltage differsion length in Silicon 

Journal of Electrochemical Society 140(11) 3240-3245 1993年  

チヨクラルスキーシリコン結晶中の不均一分布熱処理誘起積層欠陥 

応用物理学誌(アメリカ) 72(4) 1642 1992年  

ライフタイムのシリコンウエーハ中の銅及び鉄表面濃度依存性 

応用物理レター(アメリカ) 61(9) 1078 1992年  

接合SOIウエーハの電気的特性に及ぼす接合界面の影響 

応用物理学誌(アメリカ) 72(8) 3610 1992年  

水素雰囲気中で育成されたシリコン結晶中の水素関連ドナー 

応用物理(ドイツ) 55,313 1992年  

The effect of bouded interface on electrical properties of bonded Silicon-on-insulator waters 

Journal of Applied Physics 72(8) 3610-3616 1992年  

Hydrogen-related donor in silicon crystals grown in a hydrogen citwosphere 

Applied Physics A 55,313 1992年