MISC

1991年

Crystal structure of Si1-xCx films by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 700℃(共著)

Journal of Applied Physics

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開始ページ
7945
終了ページ
7947
DOI
10.1063/1.347490

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DOI
https://doi.org/10.1063/1.347490
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/30015823957
ID情報
  • DOI : 10.1063/1.347490
  • ISSN : 0021-8979
  • CiNii Articles ID : 30015823957

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