植杉克弘 (Uesugi Katsuhiro) - マイポータル

基本情報

所属: 室蘭工業大学もの創造系領域電気電子工学ユニット

研究者番号: 70261352
J-GLOBAL ID: 200901046847734696
researchmap会員ID: 1000181515

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研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

論文

125

Annealing dependence on structural and electrical characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 transparent heterojunction diode

Muhammad Hafiz Abu Bakar, Lam Mui Li, Khairul Anuar Mohamad, Fouziah Md. Yassin, Chee Fuei Pien, Afishah Alias, Katsuhiro Uesugi

Advanced Science Letters 23(11) 11564-11566 2017年11月1日査読有り
Annealing dependence on structural and electrical characteristic of n-ZnO/p-CuGaO2 transparent heterojunction diode

Muhammad Hafiz Abu Bakar, Lam Mui Li, Khairul Anuar Mohamad, Fouziah Md. Yassin, Chee Fuei Pien, Afishah Alias, Katsuhiro Uesugi

Advanced Science Letters 23(11) 11564-11566 2017年11月1日査読有り
Annealing dependence on flexible p-CuGaO2/n-ZnO heterojunction diode deposited by RF sputtering method

Mui Li Lam, Muhammad Hafiz Abu Bakar, Wai Yip Lam, Afishah Alias, Abu Bakar Abd Rahman, Khairul Anuar Mohamad, Katsuhiro Uesugi

EPJ Web of Conferences 162 2017年11月22日査読有り
Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

Yuki Shimomura, Yosuke Igarashi, Shinji Kimura, Yuhei Suzuki, Yoshihiro Tada, Hisashi Fukuda, Katsuhiro Uesugi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 2016年8月査読有り
液相中への縦波放射を利用したレイリー型表面弾性波センサーの開発

小川健吾, 鳥越俊彦, 澤田研, 岩佐達郎, 永野宏治, 柴山義行, 夛田芳広, 植杉克弘, 福田永

電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部門誌） 135(12) 490-495 2015年12月査読有り
Fabrication and Characterization of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-Pentacene Active Semiconductor Thin Films Prepared by Flow-Coating Method

Khairul Anuar Mohamad, Fara Naila Rusnan, Dzulfahmi Mohd Husin Seria, Ismail Saad, Afishah Alias, Uesugi Katsuhiro, Fukuda Hisashi

PHYSICS AND MATERIALS SYMPOSIUM: INTERNATIONAL CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES AND INDUSTRIAL TECHNOLOGY (ICASIT2015) 1674 020003 2015年査読有り
縦波表面弾性波を用いた液相系センサーの動作特性

小川健吾, 山田真也, 鳥越俊彦, 澤田研, 岩佐達郎, 杉山史一, 夛田芳広, 植杉克弘, 福田永

表面科学 35(6) 319-323 2014年6月査読有り
Mixed P3HT/PCBM Organic Thin-Film Transistors: Relation between Morphology and Electrical Characteristics

Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

J. Chem. Chem. Eng. 8 476-323 2014年5月査読有り
Effect of [6,6]-Phenyl-C-61 Butyric Acid Methyl Ester (PCBM) Agglomerated Nanostructure on Device Performance in Organic Thin-Film Transistors

Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

2013 IEEE REGIONAL SYMPOSIUM ON MICRO AND NANOELECTRONICS (RSM 2013) 179-182 2013年査読有り
Electrical and Structural Characterization of Zn Doped CuGaO2 Films

Afishah Alias, Khairul Anuar Mohamad, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

2013 IEEE REGIONAL SYMPOSIUM ON MICRO AND NANOELECTRONICS (RSM 2013) 183-185 2013年査読有り
Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element

Mohamad, K.A, Alias, A, Saad, I, Uesugi, K, Fukuda, H

International Journal of Simulation-Systems, Science and Technology 13(3C) 42-47 2012年6月査読有り
Growth of CuO and CuGaO2 Thin Films by Spin-coating Method

Afishah Alias, Masato Sakamoto, Katsuhiro Uesugi

TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES AND APPLICATIONS 1315 35-38 2011年査読有り
Temperature Dependence of CuGaO2 Films Fabricated by Sol-Gel Method

Afishah Alias, Masato Sakamoto, Teppei Kimura, Katsuhiro Uesugi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(3) 035503 2012年3月査読有り
Characterization of CuGaO2 films prepared by sol-gel methods

Afishah Alias, Masato Sakamoto, Teppei Kimura, Katsuhiro Uesugi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2 9(2) 198-201 2012年査読有り
All-polymer organic field-effect transistors with memory element

K. A. Mohamad, A. Alias, I. Saad, K. Uesugi, H. Fukuda

Proceedings - 3rd International Conference on Intelligent Systems Modelling and Simulation, ISMS 2012 743-746 2012年査読有り
Organic Field-Effect Transistors for Nonvolatile Memory Devices using Charge-Acceptor Layers

Khairul Anuar Mohamad, Afishah Alias, Ismail Saad, Bablu Kumar Gosh, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

2012 10TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR ELECTRONICS (ICSE) 750-754 2012年査読有り
Fabrication of CuGaO2 Films by Sol-gel Method for UV Detector Application

Afishah Alias, Khairul Anuar Mohamad, Bablu Kumar Gosh, Masato Sakamoto, Katsuhiro Uesugi

2012 10TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR ELECTRONICS (ICSE) 763-765 2012年査読有り
Optical responses and optically program-electrically erase memory in organic transistors

K. A. Mohamad, I. Saad, K. Uesugi, H. Fukuda

Conference Proceedings - 2011 IEEE 2nd International Conference on Photonics, ICP 2011 6106825 2011年査読有り
n-Channel Organic Thin-Film Transistors based on Naphthalene-Bis(dicarboximide) Polymer for Organic Transistor Memory Using Hole-Acceptor Layer

Khairul Anuar Mohamad, Kakuta Yousuke, Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(9) 091603 2011年9月査読有り
Fabrication of ZnO Thin-Film Transistors by Chemical Vapor Deposition Method using Zinc Acetate Solution

Afishah Alias, Kouta Hazawa, Nobuaki Kawashima, Hisashi Fukuda, Katsuhiro Uesugi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(1) 01BG05 2011年1月査読有り

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MISC

原子層堆積法を用いた三次元微細構造の作製

植杉克弘

真空と表面 61(12) 815-815 2018年12月査読有り
ペロプスカイト太陽電池の高効率化

植杉克弘

表面科学 38(1) 47-47 2017年1月査読有り
次世代高性能シリコン薄膜デバイス製造に向けた低温シリコン膜の研究開発

福田永, 植杉克弘, 城尚志

室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (24) 1-3 2014年2月
次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発

福田永, 植杉克弘, 城尚志

室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (24) 4-6 2014年2月
次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究

植杉克弘, 小川健吾, 福田永

室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (21) 21-23 2012年2月
GaSb系量子ドットの生成とこれを用いた量子光源の共同研究

植杉克弘, 末宗幾夫, 臼井強志, 弓貴成

2010年物質・デバイス領域共同研究拠点研究成果報告書 10-11 2011年3月
高密度プラズマ発生装置の開発と次世代薄膜形成への応用に関する研究

福田永, 平尾孝, 佐藤孝紀, 植杉克弘

室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (20) 6-10 2010年2月
ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用

夛田芳広, 山田真也, 植杉克弘, 福田永

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 108(178) 23-26 2008年4月
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用

福田永, 植杉克弘

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 108(178) 19-22 2008年4月
GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製

植杉克弘, 末宗幾夫

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 104(265) 49-53 2007年8月19日
ZnO透明導電膜の低温成膜プロセス技術の開発

植杉克弘, 古川雅一, 鈴木摂

室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (18) 43-44 2007年2月
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用

福田永, 小島崇, 植杉克弘

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 106(132) 39-44 2006年6月
Structural and luminescence properties of InAs quantum dots: Effect of nitrogen exposure on dot surfaces

G Sasikala, Suemune, I, P Thilakan, H Kumano, K Uesugi, Y Nabetani, T Matsumoto, H Machida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44(50-52) L1512-L1515 2005年
GaAsNSe混晶を用いた長波長広帯域発光ダイオードの作製

植杉克弘, 末宗幾夫

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 104(265) 49-53 2004年8月
高温超伝導薄膜細線への磁束侵入とSQUIDのノイズ特性

川口洋平, 栗眞也, 植杉克弘, 徳本洋志, 三上春樹, 松田端史

電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス 103(367) 21-26 2003年10月
GaNAs系混晶半導体の結晶成長とその物価評価

植杉克弘, 長谷川達生

電子科学研究 7 35-38 1999年7月
SEM/AFM複合ナノリソグラフィによる半導体選択成長用マスクの作製

アブラメスクアドリアン, 上田章雄, 植杉克弘, 末宗幾夫

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(184) 9-14 1998年7月
GaNA_s混晶半導体の成長と物性評価

植杉克弘, 末宗幾夫

電子科学研究 5 66-67 1997年7月
Scanning Microscopy Study of Solid Phase Epitaxy on the Si(001)-2x1 surface

T. Yao, T. Komura, K. Uesugi, M. Yoshimura

Advances in Understanding of Crystal Growth Mechanisms,North-Holland 323-336 1997年
ZnSe/MgS超格子の励起子発光特性

梨木裕之, 鈴木秀樹, 植杉克弘, 末宗幾夫

電子科学研究 4 83-86 1996年1月

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書籍等出版物

Dilute Nitride Semiconductors

I. Suemune, K. Uesugi, S. Ganapathy

Elsevier Ltd. 2004年12月
Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

T. Yao, T. Komura, K. Uesugi, M. Yoshimura

Elsevier Science B.V. 1997年3月
Growth and optical properties of wide-gap II-VI low dimensional semiconductors

T. Yao, M. Fujimoto, K. Uesugi, S. Kamiyama

Plenum Publishing Corporation 1989年8月

講演・口頭発表等

ナローバンドギャップCu2Oナノドット薄膜の作製

熊谷直哉, 植杉克弘

日本ゾル-ゲル学会第２１回討論会 2023年7月13日日本ゾル-ゲル学会
Growth of Nanosheet Structures on Gallium Oxide Hydroxide Gel Surfaces

Katsuhiro UESUGI, Naoya KUMAGAI, Ryuya MOMIYAMA, Keita SUZUKI, Yuto IKEDA, Yuxiao PANG

International Conference on Materials for Advance Technologies 2023年6月26日 Materials Research Society of Singapore
Effects of Annealing on Sol-gel Derived Cu2O Films

Katsuhiro UESUGI, Naoya KUMAGAI, Shinsuke SUZUKI, Yuxiao PANG

International Conference on Materials for Advance Technologies 2023年6月26日 Materials Research Society of Singapore
Characterization of GaOOH Films Prepared by Two-dimensional Sol-gel Process

Katsuhiro Uesugi, Naoya Kumagai, Yuxiao Pang

THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS IVC-22 2022年9月14日
横方向ゾル-ゲル化反応により形成したGaOOHゲル膜上でのナノシートの自己組織成長

熊谷直哉, 植杉克弘

日本ゾル-ゲル学会第２０回討論会 2022年7月15日日本ゾル-ゲル学会
ゾル-ゲル成膜Cu2O 表面微細構造の自己形成におけるアニーリングの効果

PANG YUXIAO, 大山琢未, 森田大夢, 村木智哉, 原田祥五, 植杉克弘

⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部学術講演会 2022年3月3日⽇本表⾯真空学会東北・北海道⽀部会
横方向ゾル-ゲル化反応を用いたGaOOH薄膜の作製

原田祥五, 木村匠之介, 森本裕貴, 篠崎雄太, 植杉克弘

日本ゾル-ゲル学会第１９回討論会 2021年9月13日日本ゾル-ゲル学会
紫外線照射処理によるゾル‐ゲル成膜Cu2O表面の構造制御

植杉克弘, 勝木俊介, 篠崎雄太, 長内亮太, 原田祥五

日本ゾル-ゲル学会第１９回討論会 2021年9月13日日本ゾル-ゲル学会
熱アニーリングによるゲル化成膜GaOOHの結晶成長過程の評価

原田祥五, 木村匠之助, 森本裕貴, 篠崎雄太, 植杉克弘

日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2021年3月4日
ゲル化成膜プロセスを用いたGaOOH成長過程の観察

木村匠之介, 原田祥五, 森本裕貴, 篠崎雄太, 植杉克弘

日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2021年3月4日
スピノーダル分解制御による高密度Cu2Oワイヤー構造の自己形成

勝木俊介, 篠崎雄太, 長内亮太, 原田祥五, 植杉克弘

日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2021年3月4日
窒素プラズマを用いたCuN/Cu2Oドット構造の作製

篠崎雄太, 渡辺隼, 片倉天斗, 原田祥五, 松本可菜美, 植杉克弘

日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会 2020年3月4日
Annealing temperature dependence of structural and optical properties of sol-gel derived copper gallium oxide films

K. Uesugi, K. Matsumoto, W. Ikesugi, T. Endo, K. Obara

20th International Sol-Gel Conference 2019年8月25日 International Sol-Gel Society
Fabrication of High-Aspect-Ratio Cu2O Wire Structures on Surface through Sol-Gel Process

Kanami MATSUMOTO, Wataru IKESUGI, Yousuke NAKATA, Yoshiki HOSHIYAMA, Kentaro OBARA, Hisashi FUKUDA, Katsuhiro UESUGI

International Conference on Materials for Advanced Technologies 2019年6月23日 Materials Research Society Singapore
Fabrication of Microwire Arrays with Dot Structure on Sol-gel Derived Cu2O Surfaces by Thermal Annealing

Katsuhiro Uesugi, Kanami Matsumoto, Wataru Ikesugi, Yousuke Nakata, Yoshiki Hoshiyama, Kentaro Obara, Hisashi Fukuda

Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces 2018年12月2日 AVS
Self-assembled Growth of Cu2O Dot and Wire Structures by Sol-gel Method

Kanami Matsumoto, Wataru Ikesugi, Yousuke Nakata, Yoshiki Hoshiyama, Katsuhiro Uesugi

International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018年10月21日 JSAP
ゾル-ゲル法により成膜した銅ガリウム酸化物の結晶構造と相転移

植杉克弘, 金谷優輝, 遠藤琢真, 池杉海航, 小原健太郎

日本ゾルゲル学会第16回討論会 2018年8月6日日本ゾルゲル学会
Fabrication of GaSb Mesa Structures by Atomic Layer Etching using Trisdimethylaminoantimony

Katsuhiro Uesugi, Hisashi Fukuda

International Conference on Atomic Layer Deposition 2018年7月29日 AVS
GaAsNSe格子ひずみ緩和層を用いたSi(110)上GaAsのヘテロ成長

小澤貫, 大谷康之, 植杉克弘

平成29年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会 2018年3月8日日本表面科学会
ゾル-ゲル法によるスピネル型CuGa2O4薄膜の作製

金谷優輝, 遠藤琢真, 池杉海航, 植杉克弘

平成29年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会 2018年3月8日日本表面科学会

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

量子情報通信用のＩｎＧａＳｂ系正孔局在型量子ドット構造の開発

文部科学省科学研究費／挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2010年 - 2012年

植杉克弘
金属微小光共振器埋め込み量子ドットにおける電子.光子状態変換に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2009年 - 2011年

末宗幾夫, 熊野英和, 笹倉弘理, 植杉克弘
光ファイバー通信波長帯量子ドットを用いた高次機能光子源の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2005年 - 2008年

末宗幾夫, 井上修一郎, 植杉克弘, 熊野英和
ピラミッド微小光共振器を用いた量子ドット励起子状態のコヒーレント制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2004年 - 2008年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘, 植杉克弘
新しいGaNAsSe半導体混晶による波長1.5μm帯広帯域光通信用光源の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2003年 - 2005年

植杉克弘
半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2003年 - 2004年

末宗幾夫, 植杉克弘, 熊野英和
3次元微小光共振器における巨大プーセル効果の検証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2002年 - 2003年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2002年 - 2003年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 2001年 - 2001年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘
選択成長した半導体フォトニックドットによる自然放出光制御の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2001年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘, 田中悟
ナノ構造光デバイス作製のためのAFM・電子ビーム結合リソグラフィ技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1998年 - 2000年

末宗幾夫, 町田英明, 熊野英和, 植杉克弘
ワイドギャップ半導体光強閉じ込め系での励起子-フォトン相互作用の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1998年 - 1999年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘
可視発光量子細線・量子箱の作製と誘導放出機構の基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1997年 - 1999年

末宗幾夫, 植杉克弘
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 1998年 - 1998年

末宗幾夫, 熊野英和, 植杉克弘
MOVPE法によるZnSe/MgS量子井戸箱の試作研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1997年 - 1998年

植杉克弘
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1997年 - 1997年

末宗幾夫, 植杉克弘
室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1996年 - 1997年

末宗幾夫, 植杉克弘
MOCVD法による青色半導体レーザの試作研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1995年 - 1997年

末宗幾夫, 栗原恵, 植杉克弘, 沼居貴陽
ZnSe量子井戸箱の作製技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1996年 - 1996年

植杉克弘
新しいII-VI族半導体超格子におけるエキシトン光学遷移の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1995年 - 1996年

末宗幾夫, 植杉克弘

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