岸本 茂

J-GLOBALへ         更新日: 14/05/23 03:03
 
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研究者氏名
岸本 茂
 
キシモト シゲル
所属
名古屋大学

研究分野

 
 

Misc

 
Quasi-normally-off AlGaN/GaN HEMTs fabricated by fluoride-based plasma treatment
H. Mizuno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani
phys. stat. sol. (c)   4(7) 2732-2735   2007年5月
AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO2 Gate Insulator
A. Kawano, S. Kishimoto, Y. Ohno, K. Maezawa, T. Mizutani, H. Ueno, T. Ueda, T. Tanaka
phys. stat. sol. (c)   4(7) 2700-2703   2007年5月
*Potential Profile Measurement of Carbon Nanotube FETs Based on the Electrostatic Force Detection
Y. Okigawa, T. Umesaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani
NANO: Brief Reports and Reviews   3(1) 51-54   2008年3月
*Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin InGaN cap layer
M. Ito, S. Kishimoto, F. Nakamura, T. Mizutani
phys. stat. sol. (c)   5(6) 1929-1931   2008年3月
Evaluation of deep levels in GaN grown by RF-MBE on GaN template by capacitance DLTS
T. Mitsunaga, Y. Yagishita, M. Kurouchi, S. Kishimoto, J. Osaka, T. Mizutani
phys. stat. sol. (c)   5(9) 3032-3034   2008年6月

講演・口頭発表等

 
PECVDを用いたCNT薄膜トランジスタの集積回路の実現
第58回応用物理学関係連合講演会   2011年   
PECVD成長CNTのPVAによるPEN基板への転写とTFT作製
第58回応用物理学関係連合講演会   2011年   
嫌気環境下CNT-FETの作製とその評価
第58回応用物理学関係連合講演会   2011年   
(NH4)2S処理によるAl2O3 AlGaN/GaN MOS FET特性の改善
第58回応用物理学関係連合講演会   2011年   

競争的資金等の研究課題

 
高品質カーボンナノチューブの生成
研究期間: 2003年 - 2010年
カーボンナノチューブFETの開発
研究期間: 2006年 - 2010年
高性能GaN HEMTの開発
研究期間: 2003年 - 2010年
量子ナノ構造形成技術の研究
研究期間: 2002年 - 2010年

特許

 
カーボンナノチューブの作製方法、及びカーボンナノチューブの作製装置
特開2005-187309
カーボンナノチューブの作製方法
特開2005-272284