山口雅史 (Masahito Yamaguchi) - マイポータル

基本情報

学位: 博士(工学)(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901055084466791
researchmap会員ID: 1000182618

外部リンク: http://www.echo.nuee.nagoya-u.ac.jp/~yamaguti/

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研究分野

経歴

名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻大学院工学研究科・工学部電子情報システム専攻, 准教授

学歴

委員歴

MISC

188

Spin polarized electron transmission into GaAs quantum well across Fe3O4: Optical spin orientation analysis

E. Wada, Y. Shirahata, T. Naito, M. Itoh, M. Yamaguchi, T. Taniyama

APPLIED PHYSICS LETTERS 97(17) 172509 2010年10月
Structural and optical properties of a catalyst-free GaAs/AlGaAs core–shell nano/microwire grown on (111)Si substrate

Physica E 42(10) 2722-2726 2010年9月
Structural and optical properties of a catalyst-free GaAs/AlGaAs core-shell nano/microwire grown on (1 1 1)Si substrate

J. H. Paek, T. Nishiwaki, M. Yamaguchi, N. Sawaki

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 42(10) 2722-2726 2010年9月
Efficient spin injection into GaAs quantum well across Fe3O4 spin filter

E. Wada, K. Watanabe, Y. Shirahata, M. Itoh, M. Yamaguchi, T. Taniyama

APPLIED PHYSICS LETTERS 96(10) 102510 2010年3月
Inversion of Spin Photocurrent due to Resonant Transmission

Phys. Rev. Lett. 105(4) 156601 2010年
HVPE growth of a-plane GaN on a GaN template (110)Si substrate

Tomoyuki Tanikawa, Noriyuki Suzuki, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8 7(7-8) 1760-1763 2010年
Inversion of Spin Photocurrent due to Resonant Transmission

Phys. Rev. Lett. 105(4) 156601 2010年
Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate

Nobuhiko Sawaki, Toshiki Hikosaka, Norikatsu Koide, Shigeyasu Tanaka, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2867-2874 2009年5月
HVPE growth of semi-polar (11(2)over-bar2)GaN on GaN template (113)Si substrate

N. Suzuki, T. Uchida, T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2875-2878 2009年5月
Reduction of dislocations in a (11(2)over-bar2)GaN grown by selective MOVPE on (113)Si

T. Tanikawa, Y. Kagohashi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2879-2882 2009年5月
MOVPE growth and properties of GaN on (111)Si using an AlInN intermediate layer

M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2891-2894 2009年5月
Maskless selective growth of semi-polar (11(2)over-bar2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

Min Yang, Hyung Soo Ahn, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2914-2918 2009年5月
Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1-xN/AlN/GaN heterostructures

Xiuxun Han, Yoshio Honda, Tetsuo Narita, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsushiro Nishio

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 42(4) 045112 2009年2月
Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates

YANG Min, AHN Hyung Soo, TANIKAWA Tomoyuki, HONDA Yoshio, YAMAGUCHI Masahito, SAWAKI Nobuhiko

J. Korean Phys. Soc. 54(6) 2363-2366 2009年
Spin polarization of electrons injected from Fe into GaAs quantum well characterized using oblique Hanle effect

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1183 1183-FF06-05 2009年
Formation Mechanism of AlGaAs/GaAs Stripe Structure Made of (11n)A Facets in Selective Molecular-Beam Epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys. 48(7) 071102<SUB>1-071102</SUB>8 2009年
DAP emission band in a carbon doped (1-101)GaN grown on (001)Si substrate

Yoshio Honda, Toshiki Hikosaka, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki, Galia Pozina, Fredrik Karlsson, Vanya Darakchieva, Plamen Paskov, Bo Monemar

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6(S2) S772-S775 2009年
Influence of a SiO2 Mask on the Growth of Semi-Polar (11-22) GaN on Patterned Si (311) Substrates

J. Korean Phys. Soc. 54(6) 2363-2366 2009年
Spin polarization of electrons injected from Fe into GaAs quantum well characterized using oblique Hanle effect

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1183 1183-FF06-05 2009年
Formation Mechanism of AlGaAs/GaAs Stripe Structure Made of (11n)A Facets in Selective Molecular-Beam Epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys. 48(7) 071102<SUB>1-071102</SUB>8 2009年

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書籍等出版物

作って、遊んで、理科がわかる！身近な素材で楽しむ工作教室

日本評論社 2009年
新インターユニバーシティ「半導体工学」11章，12章

オーム社 2009年
新インターユニバーシティ「固体電子物性」8章，9章

オーム社 2009年
Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation / Nonlinear Optical Spectra in Triply Coupled GaAs/AlGaAs Quantum Wells

IPAP Books 2005年
Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation / Nonlinear Optical Spectra in Triply Coupled GaAs/AlGaAs Quantum Wells

IPAP Books 2005年

所属学協会

Works(作品等)

架橋GaNナノワイヤによる高効率LED構造の開発

2010年 - 2011年
Si基板上化合物半導体ナノワイヤを用いた熱電変換素子開発

2009年 - 2010年
MBE-VLS法によるシリコン基板上GaAs系ナノワイヤ構造の作製と評価

2007年 - 2009年
シリコン基板上窒化物系半導体を用いたフィールドエミッタに関する研究

2003年 - 2005年
GaN field emitter on Si substrate

2003年 - 2005年
電子線露光法を用いた極微細平面・立体量子構造の作製と光・電子演算素子に関する研究

2002年 - 2005年
Fabrication of coupled nano structures for opto-electronic device

2002年 - 2005年

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