小山 裕

橋梁・道路などのコンクリート構造物欠陥のテラヘルツ波による欠陥探傷を行う。

絶縁被覆電線素線の断線や腐食状態を、非破壊で高効率に人体に安全に停電せずに定量的に誰でも検査するための基盤技術を確立する。テラヘルツ波は絶縁被覆等の樹脂には高い透過性を有し、金属表面では反射される。しかも、反射特性は金属表面の腐食状態に極めて敏感である。加えてこれまでの電磁波より格段に高周波であるから波長が短く、ミリメーター以下の断線も高分解能で撮像できる。この技術が開発されれば、これまでの経験による破壊的・定性的な検査方法から、非破壊・定量的で高効率な検査が可能となるとともに、テラヘルツ波の特徴を十二分に活かしたキラーアプリケーションの一つとなる。

絶縁被覆電線素線の断線や腐食状態を、非破壊で高効率に人体に安全に停電せずに定量的に誰でも検査するための基盤技術を確立する。テラヘルツ波は絶縁被覆等の樹脂には高い透過性を有し、金属表面では反射される。しかも、反射特性は金属表面の腐食状態に極めて敏感である。加えてこれまでの電磁波より格段に高周波であるから波長が短く、ミリメーター以下の断線も高分解能で撮像できる。この技術が開発されれば、これまでの経験による破壊的・定性的な検査方法から、非破壊・定量的で高効率な検査が可能となるとともに、テラヘルツ波の特徴を十二分に活かしたキラーアプリケーションの一つとなる。

現在、既存技術として有効な検査技術が確立していない、エクストラドーズド橋のポリエチレ ン被覆された外ケーブル等の内部鋼線の腐食・破断状況を、外装被覆を除去する事無く、誰で も容易に、経験に基づく事無く、定量的に検査する事が出来る手法を確立する。これには、外 装ポリエチレン等は極めて良く透過し、内部鋼線等の金属表面では高い反射を起こし、加えて 金属表面の腐食状態に敏感に反射率が変化する特徴を持つ、我々独自のサブテラヘルツ光源技 術を適用する。我々の光源技術は半導体光源であるから極めて小型軽量かつ安定に室温で動作 し、低消費電力である事が特徴である。

道路建造物内部の欠陥を非破壊で検出する新規な手法を開発する事が目的である。そのため、これまで殆ど使われなかった透過性が高く人体に安全な新しい光である独自の超高周波電磁波（テラヘルツ波）を用いて、現場で特別な養生無く使える安心・安全で高精度な構造物欠陥検出方法の実用化を目指す。

道路建造物内部の欠陥を非破壊で検出する新規な手法を開発する事が目的である。そのため、これまで殆ど使われなかった透過性が高く人体に安全な新しい光である独自の超高周波電磁波（テラヘルツ波）を用いて、現場で特別な養生無く使える安心・安全で高精度な構造物欠陥検出方法の実用化を目指す。

近赤外半導体レーザーを用いた差周波混合によるテラヘルツ波発生原理に基づき、特殊な半導体結晶を用いることで、広帯域に連続周波数可変なテラヘルツ光源を実現するための調査研究を行なう。

道路建造物内部の欠陥を非破壊で検出する新規な手法を開発する事が目的である。そのため、これまで殆ど使われなかった透過性が高く人体に安全な新しい光である独自の超高周波電磁波（テラヘルツ波）を用いて、現場で特別な養生無く使える安心・安全で高精度な構造物欠陥検出方法の実用化を目指す。

車載化が可能となるような超小型テラヘルツ発振デバイスの開発を目的として、車載化を目指した小型THz光源の開発とドライバー生体センシング用ATRセンサーの開発を行なう。

テラヘルツ分光技術の有機物などの分析への応用を目的として、テラヘルツ装置による、試料のスペクトル測定、及び測定装置の取扱指導を行なう。

光半導体デバイスの特性・歩留まり向上を目的として、その主要な原因となる欠陥の性質を解明するため、必要に応じて光学的・電気的測定を実施し、その内容について検討を行なう。

ＭＬＥ法による不純物の高効率ドーピング、低転位密度化等の高品質化、ヘテロ接合形成用混晶の形成、特性向上のための欠陥等の評価解析

分子層エピタキシャル成長法によるナイトライド系半導体の単分子層成長を目指した研究

パルスパワー電源を用いたプラズマ処理によってダイオキシン類除去装置の開発に係り、その最も高効率なパルスパワー電源デバイスとして４５００V級高耐圧静電誘導サイリスタのプロセスに起因するディープレベル欠陥をフォトキャパシタンス法によって計測した。

次世代の高効率・高速ダイオードの最も有力な候補であるシリコン静電誘導ダイオードの開発を行い、そのデバイスプロセスに起因するディープレベル欠陥をフォトキャパシタンス法で評価し、プロセスに対する点欠陥の影響と、デバイス特性に対するディープレベル欠陥の影響と効果を明らかにした。

分子層金属堆積法により、超高真空中で極めて清浄で原子的平坦な界面を形成してその界面をTEMやTOF-SIMSによって解析し、世界最高性能の低抵抗金属半導体接触を得た。

分子層エピタキシャル成長法をデバイス構造に適用して、低雑音・低駆動電圧ＴＨｚ帯発振素子に最も重要な極薄トンネル注入層p n 接合形成条件を調査し、0.2THｚ帯域タンネットダイオード発振を実現した。