王吉豊 (Jifeng Wang) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属東北大学多元物質科学研究所多元設計研究部門准教授

J-GLOBAL ID: 200901011500277327
researchmap会員ID: 1000183845

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

MISC

109

Visible luminescence of nanocrystalline AlN : Er thin film by co-deposition of AlN, Er, and SiO2

J. -W. Lim, W. Takayama, Y. F. Zhu, J. W. Bae, J. F. Wang, S. Y. Ji, K. Mimura, J. H. Yoo, M. Isshiki

CURRENT APPLIED PHYSICS 7(3) 236-239 2007年3月
Behaviors of group Va elements in ZnSe

J. F. Wang, C. B. Oh, M. Isshiki

Journal of Crystal Growth 297(1) 95-99 2006年12月15日
Behaviors of group Va elements in ZnSe

J. F. Wang, C. B. Oh, M. Isshiki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 297(1) 95-99 2006年12月
Growth process of β-FeSi2 epitaxial film on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy

S. Y. Ji, J. F. Wang, J. W. Lim, M. Isshiki

Applied Surface Science 253(2) 444-448 2006年11月15日
Growth Process of β-FeSi2 Epitaxial Film on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy

JI S.y, WANG J.f, LIM J.-w, ISSHIKI M

Applied Surface Science 253(2) 444-448 2006年11月
Growth process of beta-FeSi2 epitaxial film on Si(111) by molecular beam epitaxy

S. Y. Ji, J. F. Wang, J. -W. Lim, M. Isshiki

APPLIED SURFACE SCIENCE 253(2) 444-448 2006年11月
Growth conditions of β-FeSi2 single crystals by chemical vapor transporｔ

WANG J.f, SAITOU S, JI S.y, ISSHIKI M

Journal of Crystal Growth 295(2) 129-132 2006年10月1日
Growth conditions of beta-FeSi2 single crystals by chemical vapor transport

J. F. Wang, S. Saitou, S. Y. Ji, M. Isshiki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 295(2) 129-132 2006年10月
Two-step growth of Cd0.96Zn0.04Te/Si(111) epilayers by HWE

Georgi M. Lalev, Jifeng Wang, Jae-Won Lim, Seishi Abe, Katashi Masumoto, Minoru Isshiki

Materials Letters 60(9-10) 1198-1203 2006年5月
Two-step growth of Cd0.96Zn0.04Te/Si(111) epilayers by HWE

GM Lalev, JF Wang, JW Lim, S Abe, K Masumoto, M Isshiki

MATERIALS LETTERS 60(9-10) 1198-1203 2006年5月
Behavior of antimony in ZnSe grown by a closed Bridgman method

JF Wang, M Isshiki

APPLIED PHYSICS LETTERS 88(13) 132105-132107 2006年3月
Preparation of AlN:Er thin films by simultaneous deposition using AlN, Er, and SiO2 targets

Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasma and 23rd Symposium on Plasma Processing ,673-674 2006年
Behaviors of group Va elements in ZnSe

WANG J.f, OH C.b, ISSHIKI M

Journal of Crystal Growth 297(1) 95-99 2006年
Behaviors of group Va elements in ZnSe

WANG J.f, OH C.b, ISSHIKI M

J. Cryst. Growth 297(1) 95-99 2006年
Effect of Substrate Rotation on Growing β-FeSi2 Epitaxial Film by MBE

JI S.y, LIM J.-w, WANG J.f, SAITOU S, MIMURA K, LALEV G.m, ISSHIKI M

Vacuum 81(3) 353-359 2006年
Growth conditions of β-FeSi2 single crystals by chemical vapor transporｔ

WANG J.f, SAITOU S, JI S.y, ISSHIKI M

J. Cryst. Growth 295(2) 129-132 2006年
Improved reproducibility in zinc oxide single crystal growth using chemical vapor transport

MIKAMI Makoto, SATO Takashi, WANG Jifeng, MASA Yoshihiko, ISSHIKI Minoru

J. Cryst. Growth 286(2) 213-217 2006年
Behavior of antimony in ZnSe grown by a closed Bridgman method

Appl. Phys. Lett. 88 132105-132107 2006年
Preparation of AlN:Er thin films by simultaneous deposition using AlN, Er, and SiO2 targets

Proceedings of the 6th International Conference on Reactive Plasma and 23rd Symposium on Plasma Processing ,673-674 2006年
Effect of Substrate Rotation on Growing β-FeSi2 Epitaxial Film by MBE

Vacuum 81(3) 353-359 2006年

もっとみる

書籍等出版物

Widebandgap II-VI Semiconductor: Growth and properties. In Handbook of Electronic Materials

Edited by Safa Kasap and Peter Capper. Springer 2006年
II-VI Semiconductors for Optoelectronics: CdS, CdSe, CdTe. In Handbook of Electronic Materials

Edited by Safa Kasap and Peter Capper. Springer 2006年
Widebandgap II-VI Semiconductor: Growth and properties. In Handbook of Electronic Materials

Edited by Safa Kasap and Peter Capper. Springer 2006年
II-VI Semiconductors for Optoelectronics: CdS, CdSe, CdTe. In Handbook of Electronic Materials

Edited by Safa Kasap and Peter Capper. Springer 2006年
Crystal Growth of Wide-gap II-VIs

Edited by Peter Capper. Published by John Wiley & Sons 2005年
Bulk crystal growth of electronic, optical and optoelectrinic materilas

John Wiley & Sons, Ltd 2005年
Crystal Growth of Wide-gap II-VIs

Edited by Peter Capper. Published by John Wiley & Sons 2005年
Bulk crystal growth of electronic, optical and optoelectrinic materilas

John Wiley & Sons, Ltd 2005年
半導体結晶成長

コロナ社 1999年
Semiconductor Crystal Growth

Corona Publishing Co. Ltd. 1999年

所属学協会

Works(作品等)

II-VI族化合物半導体の評価

2000年 - 2003年
Evaluation of II-VI compoud semiconductors

2000年 - 2003年
ブリッジマン法によるZnSe単結晶の成長と欠陥制御

1999年 - 2000年
Growth of ZnSe single crystals by Bridgman and control of defects

1999年 - 2000年
ＭＢＥ法によるZnSeホモエピタキシャル膜の成長と評価

1998年 - 1999年
Growth and evaluation of ZnSe/ZnSe grown by MBE

1998年 - 1999年
フォトルミネッセンスによる化合物半導体中の欠陥および不純物の挙動に関する研究

1997年 - 1998年
Behavior of impurities in compound semiconductors

1997年 - 1998年

共同研究・競争的資金等の研究課題

β-FeSi2単結晶の作製

科学研究費補助金 2001年 - 2004年
Bridgman法によるZnSe単結晶の育成

科学研究費補助金 2001年 - 2004年
Preparation of β-FeSi2 single crystals

Grant-in-Aid for Scientific Research 2001年 - 2004年
Bridgman growth of ZnSe crystals

Grant-in-Aid for Scientific Research 2001年 - 2004年