遠藤 哲郎

J-GLOBALへ         更新日: 18/02/16 19:42
 
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研究者氏名
遠藤 哲郎
 
エンドウ テツオ
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/7bfd1a761b9b29b63a19132e6e26c725.html
所属
東北大学
部署
大学院工学研究科・工学部 電気エネルギーシステム専攻 エネルギーデバイス工学講座 グリーンパワーエレクトロニクス分野
職名
教授
学位
博士(工学)(東北大学)
その他の所属
東北大学

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
2012年10月
 - 
現在
東北大学 国際共同大学院 教授
 
2012年10月
 - 
現在
東北大学 スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長、 教授
 
2012年10月
 - 
現在
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長、 教授
 
2012年4月
 - 
現在
東北大学 大学院 工学研究科 教授 教授
 
2010年3月
 - 
現在
東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 副センター長・教授 副センター長・教授
 

学歴

 
 
 - 
1987年3月
東京大学 理学部 物理学科表面物性
 

委員歴

 
2016年5月
 - 
現在
International Technology Roadmap for Device and System  Emerging Research Materials/Emerging Research Devices&System 委員
 
2010年6月
 - 
現在
仙台市  仙台市国際産学連携フェロー
 
2010年6月
 - 
現在
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構  省エネデバイス技術委員会委員(民生部門:副委員長)
 
2010年5月
 - 
現在
International Technology Roadmap for Semiconductors  Emerging Research Materials/Emerging Research Devices (ITRS ERM/ERD) 委員
 
2010年4月
 - 
現在
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構  パワーエレクトロニクス技術委員会委員
 

受賞

 
2017年6月
公益社団法人発明協会 平成 29 年度全国発明表彰「21 世紀発明奨励賞」 ボディーチャネル型MOSFETによる3次元集積化メモリー高度化の発明
受賞者: 遠藤哲郎・国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長工学研究科 教授
 
2016年8月
内閣府 第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」 高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び、国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築
受賞者: 遠藤哲郎・国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長工学研究科 教授
 
2012年9月
応用物理学会、IEEE 2012 SSDM Paper Award Studies on Static Noise Margin and Scalability for Low-Power and High-Density Nonvolatile SRAM using Spin-Transfer-Torque (STT) MTJsに対する論文賞
 
2012年9月
応用物理学会 第6回応用物理学会フェロー 不揮発性メモリの実用研究と立体構造メモリ・ロジックの先導研究
 
2011年9月
日本表面科学会 平成23年度日本表面科学会論文賞 Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrateに対する論文賞
受賞者: Yu Miyamoto, Hiroyuki Handa, Eiji Saito, Atsushi Konno, Yuzuru Narita, Maki Suemitsu, Hirokazu Fukidome, Takashi Ito, Kanji Yasui, Hideki Nakazawa and Tetsuo Endoh
 

論文

 
Novel Ultrahigh-Density Flash Memory With a Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) Structured Cell
Tetsuo Endoh, Kazushi Kinoshita, Takuji Tanigami, Yoshihisa Wada, Kota Sato, Kazuya Yamada, Takashi Yokoyama, Noboru Takeuchi, Kenichi Tanaka, Nobuyoshi Awaya, Keizou Sakiyama, and Fujio Masuoka
IEEE Transactions on Electron Devices   Vol.50(No.4) 945-951   2003年4月   [査読有り]
An On-Chip 96.5% Current Efficiency CMOS Linear Regulator Using a Flexible Control Technique of Output Current
Tetsuo Endoh, Kazuhisa Sunaga, Hiroshi Sakuraba, and Fujio Masuoka
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS   36(1) 34-39   2001年1月   [査読有り]
Study of Self-Heating in Si Nano Structure for Floating Body-Surround Gate Transistor with High-k Dielectric Films
Tetsuo Endoh and Kousuke Tanaka
Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 46(No. 5B) 3189-3192   2007年4月   [査読有り]
High Performance STT-MRAM and 3D NAND Memory with Vertical MOSFET Technology
Tetsuo Endoh
Communications Microsystems Optoelectronics Sensors Emerging Technologies Research 2017 (CMOSETR2017)      2017年5月   [招待有り]
Innovative Integrated Systems for IoT/AI
Tetsuo Endoh
Indiana University-Purdue University Indianapolis Nanotechnology Workshop      2017年5月   [招待有り]

Misc

 
遠藤 哲郎
科学技術振興機構(JST)「サイエンスポータル」コラムインタビュー記事      2017年12月
遠藤 哲郎
日刊工業新聞1面      2017年11月
遠藤 哲郎
日経エレクトロニクス 2016年12月号      2017年11月
遠藤 哲郎
科学技術振興機構(JST)「サイエンスポータル」コラムインタビュー記事      2017年1月

書籍等出版物

 
MEMS/NEMS工学大全
遠藤 哲郎 (担当:共著, 範囲:半導体パラメトリック技術とその応用)
㈱テクノシステム   2008年10月   
【最新】携帯電話 技術全集
遠藤 哲郎 (担当:共著, 範囲:第5章 大容量化・高性能化に向けたメモリ)
2008年5月   
フラッシュメモリ技術ハンドブック
遠藤哲郎 (担当:編者)
1993年8月   

講演・口頭発表等

 
High Performance STT-MRAM and 3D NAND Memory with Vertical MOSFET Technology
Tetsuo Endoh
Communications Microsystems Optoelectronics Sensors Emerging Technologies Research 2017 (CMOSETR2017)   2017年5月29日   
Innovative Integrated Systems for IoT/AI
Tetsuo Endoh
Indiana University-Purdue University Indianapolis Nanotechnology Workshop   2017年5月9日   
Embedded Nonvolatile Memory with STT-MRAMs and its Application for Nonvolatile Brain-Inspired VLSIs
Tetsuo Endoh
2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)   2017年4月24日   
STT-MRAM and its Application for Nonvolatile Brain-Inspired VLSIs
Tetsuo Endoh
SEMICON CHINA   2017年3月12日   
IoT/AIチップの革新的集積システム開発プラットフォーム
遠藤哲郎
CRDSシンポジウム   2017年3月7日   

競争的資金等の研究課題

 
パワーデバイスを含む省エネ半導体デバイスに関する研究, 5.省エネのためのパワーマネージメント回路システムに関する研究
共同研究
研究期間: 2012年4月 - 現在
ナノ構造による新機能材料とその応用に関する研究
共同研究
研究期間: 1995年4月 - 現在
3次元構造デバイスとその回路アーキテクチャーに関する研究
国際共同研究(0078)
研究期間: 1995年4月 - 現在
半導体集積回路におけるデバイス・システムの研究
共同研究
研究期間: 1995年4月 - 現在

社会貢献活動

 
第4回 集積エレクトロニクス技術・事業化検討会 「産学連携による集積エレクトロニクス及び次世代カーエレクトロニクスの事業化展望」
【その他】  2017年2月27日
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センタ-(CIES)として、次世代カーエレクトロニクスに関する最新技術動向及び事業化に関する検討会を主催した。
経済産業省東北経済産業局 ものづくりイノベーションセミナー「IoTに求められる革新的エレクトロニクス技術~オープンイノベーション型産学地域連携の重要性~」
【その他】  2016年12月20日
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センタ-(CIES)として、経済産業省東北経済産業局が主催したモノづくりイノベーションセミナーにおいて、基調講演を行った。
SEMICON Japan 2016「国際産学共同研究による革新的省エネルギー集積エレクトロニクスの創出~材料・デバイスから回路・システムまで~」
【その他】  2016年12月14日 - 2016年12月16日
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センタ-(CIES)として、SEMICON Japan 2016に出展した。
投資家向けセミナー「スピントロニクスがもたらす可能性」
【その他】  2016年11月24日
投資家向けセミナーにおいてスピントロニクスがもたらす可能性について講演を行った
産学パートナーシップ創造展「高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び、国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築」
【その他】  2016年8月26日
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センタ-(CIES)として、東京ビックサイトで開催された産学パートナーシップ創造展に出展した。

その他

 
2016年10月   半導体集積デバイス向け二次元電子・スピン材料研究拠点
東北大学をハブ機関として、日本からは東京大学と筑波大学、英国からはケンブリッジ大学、フランスからはパリ南大学が参画し、二次元電子ガス中のスピン現象などの研究を推進し、将来の二次元電子やスピントロニクスの新規材料の探査研究を行う。
2016年10月   世界の知を呼び込むIT/輸送システム分野融合型エレクトロニクス技術の創出
IT分野の基盤技術とAIとパワーデバイスなどの技術を融合させて輸送システム領域へと展開を図る産学共同研究プログラム。
2015年10月   無充電で長時間使用できる究極のエコIT機器の実現
全ての階層で、不揮発性をベースとする最先端のスピントロニクス物理を駆使して、IT機器の電力使用量を劇的に減らし、充電ストレスのないエコ社会を実現する。
2014年4月   GaN双方向電力変換機器の研究開発「
GaNベースのパワーデバイスを用いて、双方向電力変換機器を開発する。
2014年4月   縦型BC-MOSFET による三次元集積工学と応用展開
CRESTで開発縦型トランジスターが持つ特徴を最大限生かし、ワーキングメモリーを中心にさまざまな集積回路への応用に向けた研究開発を行います。