近年、情報通信データ量は飛躍的に増大しており、更なる超高速・大容量化が望まれる不揮発性半導体メモリに関する研究開発である。
現在使用されているNAND型フラッシュメモリーでは、更なる大容量データ書き込み時の速度対応が困難である。申請者らが開発した「多段縦型構造トランジスタ技術」と「Ｂ４ーHE(Back Bias assisted Band to Band tunneling induced Hot Electron)フラッシュメモリ技術」を融合し、低電力・高速書込み性能を有する三次元大容量半導体不揮発性メモリ技術を開発する。