hp32以降に要求される駆動力の向上・ゲート制御性の向上・特性ばらつきの抑制等に対し大きな効果が期待できる縦型MOSFET技術にて、その要求を実現するために新規に必要とされる材料・プロセス(プロセスインテグレーション、装置コンセプトを含む)・評価分析・デバイス・回路・TCADの各技術を、従来のバルクMOSFET技術との整合性・融合性に留意しながら構築する。この技術は、FINFETやTri-Gate等の立体チャネルMOSFETにも広く展開できる。