舛岡富士雄 (Fujio Masuoka) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属東北大学電気通信研究所情報デバイス研究部門教授

学位: 工学博士(東北大学)
工学修士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901017084065453
researchmap会員ID: 1000183953

外部リンク: http://www-user.riec.tohoku.ac.jp/~masuoka/index.html

研究分野

1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

学歴

4

MISC

389

A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory

Takuya Ohba, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka

SOLID-STATE ELECTRONICS 50(6) 924-928 2006年6月
Decananometer surrounding gate transistor (SGT) scalability by using an intrinsically-doped body and gate work function engineering

Y Yamamoto, T Hidaka, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E89C(4) 560-567 2006年4月
Novel High Capacitive-Coupling Ratio Surrounding Gate Transistor (HICR-SGT) Flash Memory Cell with a Step-Like Silicon Pillar Structure

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,121-125 2006年
Fabrication Process of Floating Channel Type Surrounding Gate Transistor Flash Memory on an SOI Substrate

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,116-120 2006年
The new Shielded Bitline Sensing Method for FC-SGT Flash memory

64th Device Research Conference Digest ,57-58 2006年
Dependence of Coupling Ratio of High Capacitive-Coupling Ratio Surrounding Gate Transistor (HiCR-SGT) Flash Memory Cell on Structural Parameters

210th Meeting of The Electrochemical Society Meeting Abstracts ,Abstract.30 2006年
Silicon Pillar Fabricated for SGT with varying the content of O2 in Cl2/O2 gases by Using ECR plasma etching

210th Meeting of The Electrochemical Society Meeting Abstracts ,Abstract.987 2006年
Analysis of the ID-VG Characteristics of the Concave Diffusion Layer Type Surrounding Gate Transistor (CC-SGT) with 20nm Silicon Pillar for Suppressing Substrate Bias Effect

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,201-207 2006年
フィードバック技術を用いた新しいビットラインダイレクトセンス回路によるフラッシュメモリの高速化

電子情報通信学会論文誌C J89-C(1) 40-47 2006年
Novel High Capacitive-Coupling Ratio Surrounding Gate Transistor (HICR-SGT) Flash Memory Cell with a Step-Like Silicon Pillar Structure

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,121-125 2006年
Fabrication Process of Floating Channel Type Surrounding Gate Transistor Flash Memory on an SOI Substrate

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,116-120 2006年
The new Shielded Bitline Sensing Method for FC-SGT Flash memory

64th Device Research Conference Digest ,57-58 2006年
Dependence of Coupling Ratio of High Capacitive-Coupling Ratio Surrounding Gate Transistor (HiCR-SGT) Flash Memory Cell on Structural Parameters

210th Meeting of The Electrochemical Society Meeting Abstracts ,Abstract.30 2006年
Silicon Pillar Fabricated for SGT with varying the content of O2 in Cl2/O2 gases by Using ECR plasma etching

210th Meeting of The Electrochemical Society Meeting Abstracts ,Abstract.987 2006年
Analysis of the ID-VG Characteristics of the Concave Diffusion Layer Type Surrounding Gate Transistor (CC-SGT) with 20nm Silicon Pillar for Suppressing Substrate Bias Effect

Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006) ,201-207 2006年
Analysis of the subthreshold characteristics for the FC-SGT flash memory cell

Hiroaki Yamazaki, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 89(8) 34-41 2006年
A novel bit-line direct-sense circuit that uses a feedback system for high-speed flash memory

Takuya Kadowaki, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka

ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS 89(8) 1-8 2006年
Fabrication of nanometer silicon pillars for buried-gate-type surrounding gate transistor by silicon quasi-isotropic etching

T Kitagawa, T Hidaka, T Ohba, H Amikawa, T Izumida, S Ohtsu, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(1A) 54-56 2006年1月
Device design guidelines for FC-SGT DRAM cells with high soft-error immunity

F Matsuoka, H Sakuraba, F Masuoka

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 52(6) 1194-1199 2005年6月
NAND-type DRAM-on-SGT

H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 52(3) 427-429 2005年3月

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書籍等出版物

15

「メモリLSI」

1998年
"フラッシュメモリの高集積化技術"

1997年
"半導体メモリ"

1997年
"Flash Memory Technology"

1996年
"Flash Memory Technology"

1996年
「不揮発性半導体メモリに要求される酸化膜の信頼性」

1995年
「NAND型メモリ」

1994年
"フラッシュメモリ技術ハンドブック"(舛岡編)

1993年
「躍進するフラッシュメモリ」

1992年
"半導体メモリ",記録・記憶技術ハンドブック(小門宏編)

1992年
"不揮発性メモリ技術"

1992年
"薄い酸化膜がデバイスに与える影響"

1990年
"ROM"、超LSIプロセスデータハンドブック(赤坂,柏木,前田,吉見共編)

1990年
"記憶用ICの開発"

1986年
"MOSメモリ"

1978年

所属学協会

3

Works(作品等)

2

通信用超高速集積回路の研究

1996年 - 1997年
RESEARCH OF HIGH SPEED ULSI FOR FUTURE COMMUNICATION SYSTEM

1996年 - 1997年