佐道泰造 (Taizoh Sadoh) - マイポータル

基本情報

所属: 九州大学大学院システム情報科学研究院准教授

学位: 博士(工学)(九州大学)

J-GLOBAL ID: 200901038469485841
researchmap会員ID: 1000184584

外部リンク: http://nano.ed.kyushu-u.ac.jp/~sadoh_lab/

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

1994年

電気学会論文発表賞

論文

223

Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation

Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh

Materials Science in Semiconductor Processing 165 2023年10月
Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing

Keita Katayama, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 160 2023年6月
Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget

Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh

30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings 159-160 2023年
Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °c) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator

Gao, H., Sadoh, T.

Applied Physics Letters 117(17) 2020年
Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating

Imokawa, K., Kurashige, T., Suwa, A., Nakamura, D., Sadoh, T., Goto, T., Ikenoue, H.

IEEE Journal of the Electron Devices Society 8(1) 27-32 2020年査読有り
Low-temperature and low-cost excimer laser doping for poly-Si thin-film transistor fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

LASER-BASED MICRO- AND NANOPROCESSING XIII 10906 2019年
Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≤50nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization

Xu, C., Gong, X., Miyao, M., Sadoh, T.

Applied Physics Letters 115(4) 2019年
Low-temperature (∼250°C) gold-induced lateral growth of Sn-doped Ge on insulator enhanced by layer-exchange reaction

Sadoh, T., Sakai, T., Matsumura, R.

ECS Journal of Solid State Science and Technology 8(10) P609-P614 2019年
High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing

Koswaththage, C.J., Higashizako, T., Okada, T., Sadoh, T., Furuta, M., Bae, B.S., Noguchi, T.

AIP Advances 9(4) 2019年
リン酸塗布方式エキシマレーザードーピングを施した低温多結晶Si薄膜の電気特性

妹川要, 田中希, 諏訪輝, 中村大輔, 佐道泰造, 後藤哲也, 池上浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 2899-2899 2018年9月5日
Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月15日
Retraction: Nucleation-controlled low-temperature solid-phase crystallization for Sn-doped polycrystalline-Ge film on insulator with high carrier mobility (∼550 cm2/V s) (Applied Physics Letters (2018) 112 (242103) DOI: 10.1063/1.5024307)

Chang Xu, Hongmiao Gao, Takayuki Sugino, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

Applied Physics Letters 113(2) 2018年7月9日
Nucleation-controlled low-temperature solid-phase crystallization for Sn-doped polycrystalline-Ge film on insulator with high carrier mobility (∼550 cm2/V s)

Chang Xu, Hongmiao Gao, Takayuki Sugino, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

Applied Physics Letters 112(24) 2018年6月11日査読有り
Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (～400 ℃) Si-seeded-pulse-laser annealing

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

Materials Science in Semiconductor Processing 70 8-11 2017年11月査読有り
Low-Temperature formation of n-Type Ge/Insulator by Sb-Induced layer exchange crystallization

Hongmiao Gao, Rikuta Aoki, Masaya Sasaki, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

AM-FPD 2017 - 24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 239-240 2017年8月8日
Thickness-dependent substitutional-Sn-Concentration in GeSn-on-Insulator by weak-laser-irradiation-enhanced solid-phase crystallization at low-Temperature (180°C)

Takayuki Sugino, Kenta Moto, Hiroshi Ikenoue, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

AM-FPD 2017 - 24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 241-243 2017年8月8日
Low-temperature (< 200 degrees C) solid-phase crystallization of high substitutional Sn concentration (similar to 10%) GeSn on insulator enhanced by weak laser irradiation

Kenta Moto, Takayuki Sugino, Ryo Matsumura, Hiroshi Ikenoue, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

AIP ADVANCES 7(7) 2017年7月査読有り
Weak-laser-irradiation-enhanced solid-phase crystallization of GeSn-on-insulator at low-temperature (180°C) - Thickness-dependent high substitutional-Sn-concentration

Takayuki Sugino, Kenta Moto, Hiroshi Ikenoue, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 19-20 2017年6月30日査読有り
Formation of n-type Ge on insulator by low-temperature Sb-induced layer exchange crystallization

Hongmiao Gao, Rikuta Aoki, Masaya Sasaki, Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 21-22 2017年6月30日査読有り
Novel growth techniques of group-IV based semiconductors on insulator for next-generation electronics

Masanobu Miyao, Taizoh Sadoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 2017年5月査読有り

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MISC

170

MgO/SiO₂薄膜上における非晶質Ge薄膜の固相結晶化

光永尚人, 江崎遥紀, 山田晴己, 淵脇悠史, 高倉健一郎, 佐道泰造, 角田功

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
エキシマレーザードーピングによる超高濃度p⁺n接合の形成

青木蓮, 片山慶太, 中村大輔, 薮田久人, 池上浩, 佐道泰造

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics (vol 55, 03CB01, 2016)

Taizoh Sadoh, Jong-Hyeok Park, Rikuta Aoki, Masanobu Miyao

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(12) 2017年12月
Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization

Sakai Takatsugu, Matsumura Ryo, Sadoh Taizoh, Miyao Masanobu

Meeting Abstracts (33) 2130 2016年査読有り
フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (有機エレクトロニクス)

朴鍾爀, 宮尾正信, 佐道泰造

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(2) 17-20 2014年4月10日
Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure (有機エレクトロニクス)

松村亮, 佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(18) 17-23 2013年4月25日
Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si platform by SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth using RTA technique

Ichiro Mizushima, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013 30-31 2013年1月1日
軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 (シリコン材料・デバイス)

部家彰, 野々村勇希, 木野翔太, 松尾直人, 天野壮, 宮本修治, 神田一浩, 望月孝晏, 都甲薫, 佐道泰造 …

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(357) 71-76 2011年12月16日
Preface

Maeda Y, Terai Y, Homewood K, Takarabe K, Yamaguchi K, Suzuki M, Sadoh T, Nakamura Y

Thin Solid Films 519(24) 2011年
Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析

犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 池田賢一, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集 36 164 2010年11月27日
インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成

坂根尭, 都甲薫, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(15) 53-57 2010年4月16日
インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成

坂根尭, 都甲薫, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(16) 53-57 2010年4月16日
SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI (Ge on Insulator) 形成のシード基板面方位・成長方向依存性

大田康晴, 田中貴規, 佐道泰造, 宮尾正信

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(16) 49-52 2010年4月16日
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor

Sadoh T., Tanaka T., Ohta Y., TOKO K., MIYAO M.

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(98) 177-180 2009年6月17日
Effects of Si Layer Thickness on Solid-Phase Crystallization of Stacked Ge/Si/SiO2 Structures

Taizoh Sadoh, Hiroki Ohta, Masanobu Miyao

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(3) 2009年3月
Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate

Masashi Kurosawa, Yoshitaka Tsumura, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(3) 2009年3月
Position-Controlled Growth of SiGe Crystal Grains on Insulator by Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization

Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(3) 2009年3月
SiGeスピントロニクス素子を目指したFe₃Si/Ge構造の高品質形成

村上達彦, 上田公二, 安藤裕一郎, 笠原健司, 浜屋宏平, 浜屋宏平, 壬生攻, 佐道泰造, 宮尾正信

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th(2) 2009年
Site preference of atoms in heusler alloys Fe3Si and Fe 2MnSi grown on ge(111) toward realization of Ge channel spin transistors

Yoshihito Maeda, Yoshihito Maeda, Yusuke Hiraiwa, Kazumasa Narumi, Atsuo Kawasuso, Yosikazu Terai, Yuichiro Ando, Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Kohei Hamaya …

Materials Research Society Symposium Proceedings 1119 13-18 2008年12月1日
Epitaxial ferromagnetic Fe(3)Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces

K. Hamaya, K. Ueda, Y. Kishi, Y. Ando, T. Sadoh, M. Miyao

APPLIED PHYSICS LETTERS 93(13) 132117 2008年9月

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書籍等出版物

電気電子工学シリーズ5 電子デバイス工学

朝倉書店 2007年

担当経験のある科目(授業)

電子デバイス工学 (九州大学)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

高圧相変態を利用した新奇SiGeSn混晶の創製と環境親和型素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2024年6月 - 2027年3月

生駒嘉史, 佐道泰造, 河野正道
電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

仲村龍介, 石丸学, 佐道泰造
絶縁膜上における極薄半導体膜の高品位形成と三次元トランジスタへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

佐道泰造
電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

仲村龍介, 石丸学, 佐道泰造
絶縁膜上における高キャリア移動度半導体の非熱平衡プロセスと超高速集積回路への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2022年3月

佐道泰造
低コストな絶縁基板上における高キャリア移動度半導体成膜技術の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/トライアウト/トライアウト 2020年 - 2021年

佐道泰造
直接遷移型GeSnを用いた高性能トンネル型トランジスタの創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

佐道泰造
絶縁膜上におけるGeSn結晶の低温成長と三次元LSI超高速トランジスタへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

佐道泰造
Geバンド構造の直接遷移化による超高性能トンネル型トランジスタの創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

佐道泰造
Ｓｉプラットフォームにおける絶縁分離型ＧｅＳｎ結晶の非熱平衡固相成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

宮尾正信, 佐道泰造
多機能ハイブリッド集積回路を可能とする異種材料混載化技術の創出

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

宮尾正信, 佐道泰造
絶縁膜上における歪み単結晶Ｇｅの高品位形成と超高速トランジスタへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

佐道泰造, 宮尾正信
高効率フレキシブル太陽電池創出に向けたSiGe大粒径多結晶薄膜の低温形成

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/探索タイプ 2012年 - 2013年

佐道泰造
ハーフメタル強磁性体/Si界面の原子層制御による室温動作スピントランジスタの創出

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

宮尾正信, 佐道泰造
フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2009年 - 2011年

宮尾正信, 佐道泰造
ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2008年 - 2010年

佐道泰造, 権丈淳, 権丈淳, 佐道泰造
フレキシブル基板上におけるSiGe結晶の超高移動度化とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2007年 - 2009年

宮尾正信, 佐道泰造, 浜屋宏平
強磁性シリサイドの形成とソース/ドレインエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2009年

宮尾正信, 佐道泰造, 浜屋宏平, 権丈淳
ガラス上におけるSiGe結晶の高歪み化・方位制御とトランジスタの高速・高信頼化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2007年 - 2008年

佐道泰造
ナノインプリント・シーディングによる単結晶シリコン薄膜の形成に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

浅野種正, 佐道泰造, 権丈淳, 宮尾正信

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佐道泰造

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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