山田陽一 (Yoichi Yamada) - マイポータル

基本情報

所属: 山口大学大学院創成科学研究科工学系学域電気電子工学分野大学院担当教授

学位: 博士（理学）(筑波大学)
工学修士(大阪大学)

研究者番号: 00251033
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-6395-7876
J-GLOBAL ID: 200901050248837794
researchmap会員ID: 1000185775

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年4月 - 現在

山口大学大学院創成科学研究科長
2022年4月 - 現在

山口大学工学部長
2016年4月 - 現在

山口大学, 大学院創成科学研究科（工学）, 大学院担当教授
2018年4月 - 2020年3月

山口大学工学部附属工学教育研究センターセンター長
2018年4月 - 2020年3月

山口大学教育研究評議会評議員
2016年4月 - 2018年3月

山口大学工学部副学部長
2010年4月 - 2016年3月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 大学院担当教授
2007年4月 - 2010年3月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 大学院担当准教授
2006年4月 - 2007年3月

京都大学化学研究所附属元素科学国際研究センター, 客員助教授
2006年4月 - 2007年3月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 助教授
1997年4月 - 2006年3月

山口大学, 工学部, 助教授
1995年4月 - 1997年3月

山口大学, 工学部, 助手
1993年4月 - 1995年3月

筑波大学物理学系, 助手
1992年4月 - 1993年3月

日本学術振興会特別研究員DC

学歴

1990年4月 - 1993年3月

筑波大学, 大学院物理学研究科, 物理学専攻
1988年4月 - 1990年3月

大阪大学, 大学院工学研究科, 電気工学専攻
1984年4月 - 1988年3月

大阪大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

2022年2月 - 現在

応用物理学会, 代議員
2021年4月 - 現在

ワイドギャップ半導体学会, 学界委員
2019年 - 現在

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14), 出版委員会
2012年4月 - 現在

応用物理学会中国四国支部, 幹事
2009年4月 - 2024年3月

日本学術振興会光電相互変換第125委員会, 委員
2021年 - 2022年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN2022), プログラム委員会委員
2011年4月 - 2021年3月

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会, 企画委員
2019年 - 2019年

The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019), プログラム委員会委員
2018年 - 2018年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), プログラム委員会副委員長
2017年 - 2017年

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017), プログラム委員会委員
2016年 - 2016年

17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN-17), プログラム委員会委員
2015年 - 2015年

The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), プログラム委員会委員、編集委員会委員
2013年 - 2013年

第40回化合物半導体国際シンポジウム, プログラム委員会委員
2012年 - 2012年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), プログラム委員会委員、編集委員会委員
2011年 - 2011年

Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2011), プログラム委員会委員
2008年 - 2008年

The 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), プログラム委員会委員
2006年 - 2006年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006), プログラム委員会委員
2003年 - 2003年

The Fifth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), プログラム委員会委員
2000年 - 2000年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2000 (IWN2000), プログラム委員会委員
1999年 - 1999年

The Ninth International Conference on II-VI Compounds (II-VI '99), プログラム委員会幹事、インフォーマルセッションオーガナイザー

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受賞

2014年6月

第54回学術奨励賞, 宇部興産学術振興財団

山田陽一
1999年8月

ICL'99 Young Researcher Award, 1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter

Yoichi Yamada
1993年5月

第49回電気学術振興賞論文賞, 社団法人電気学会

山田陽一

論文

184

Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm

Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月7日査読有り
Temperature‐ and Excitation Power Density‐Resolved Photoluminescence of AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220–260 nm

Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月1日査読有り
Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates

Minagi Miyamoto, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 62(SN) SN1016-SN1016 2023年10月9日査読有り
Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N‐polar AlGaN/AlN FETs

Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2023年7月15日査読有り
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日査読有り
Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates

Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

AIP Advances 13(4) 045319-1-045319-7 2023年4月24日査読有り
Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells

Hideaki Murotani, Keigo Nakatsuru, Satoshi Kurai, Narihito OKADA, Yoshiki Yano, Shuichi Koseki, Piao Guanxi, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 62 031001-1-031001-6 2023年4月3日査読有り
Long wavelength red to green emissions from {11 2¯ 2} semipolar multi-quantum wells on fully relaxed InGaN underlayer

Yuya Tawarazako, Naoya Nishi, Atsuto Nakata, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SA) SA1019-1-SA1019-8 2022年11月14日査読有り
Growth and characterization of nitrogen-polar AlGaN/AlN and demonstration of field effect transistor

Lu You, Wataru Matsumura, Kazuya Ataka, Shunsuke Matsuda, Daisuke Inahara, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Taketo Kowaki, Yongzhao YAO, Yukari Ishikawa …

Japanese Journal of Applied Physics 62(SA) SA1018-1-SA1018-6 2022年11月14日査読有り
Excitonic optical properties of deep-UV luminescent AlGaN

Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Hideki Hirayama

JSAP Review 2022 220405-1-220405-6 2022年9月14日査読有り招待有り
Highly Transparent p‐AlGaN‐Based (326–341 nm)‐Band Ultraviolet‐A Light‐Emitting Diodes on AlN Templates: Recent Advances and Perspectives

Muhammad Ajmal Khan, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Yoichi Yamada, Hideki Hirayama

physica status solidi (a) 219(7) 2100605-1-2100605-19 2022年2月査読有り
Achieving 9.6% efficiency in 304 nm p-AlGaN UVB LED via increasing the holes injection and light reflectance

M. Ajmal Khan, Noritoshi Maeda, Joosun Yun, Masafumi Jo, Yoichi Yamada, Hideki Hirayama

Scientific Reports 12(1) 2591 2022年2月査読有り
Evaluation of internal quantum efficiency and stimulated emission characteristics in AlGaN-based multiple quantum wells

Yoichi Yamada, Hideaki Murotani, Noritoshi Maeda, M. Ajmal Khan, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

Japanese Journal of Applied Physics 60(12) 120503-1-120503-13 2021年12月査読有り
Extremely high internal quantum efficiency of AlGaN-based quantum wells on face-to-face annealed sputter-deposited AlN templates

Hideaki Murotani, Atsushi Fujii, Ryota Oshimura, Takafumi Kusaba, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

Applied Physics Express 14(12) 122004-1-122004-4 2021年11月査読有り
Study on higher-energy emission observed locally around V-pits on InGaN/GaN quantum wells grown on moderate-temperature GaN

Satoshi Kurai, Junji Gao, Ryoga Makio, Naoya Hayashi, Shota Yuasa, Ryutaro Yamamoto, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoichi Yamada

Journal of Applied Physics 130(5) 053103-1-053103-9 2021年8月査読有り
High internal quantum efficiency and optically pumped stimulated emission in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells

Hideaki Murotani, Ryohei Tanabe, Keisuke Hisanaga, Akira Hamada, Kanta Beppu, Noritoshi Maeda, M. Ajmal Khan, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

Applied Physics Letters 117(16) 162106-1-162106-5 2020年10月査読有り
Correlation between excitons recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells

Hideaki Murotani, Hiroyuki Miyoshi, Ryohei Takeda, Hiroki Nakao, M. Ajmal Khan, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

Journal of Applied Physics 128(10) 105704-1-105704-7 2020年9月査読有り
External Quantum Efficiency of 6.5% at 300 nm Emission and 4.7% at 310 nm Emission on Bare Wafer of AlGaN-Based UVB LEDs

M. Ajmal Khan, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Yoichi Yamada, Hideki Hirayama

ACS Applied Electronic Materials 2(7) 1892-1907 2020年7月査読有り
Beyond 53% internal quantum efficiency in a AlGaN quantum well at 326 nm UVA emission and single-peak operation of UVA LED

M. Ajmal Khan, Ryohei Takeda, Yoichi Yamada, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama

Optics Letters 45(2) 495-498 2020年1月査読有り
Temperature-dependent cathodoluminescence mapping of InGaN epitaxial layers with different In compositions

S. Kurai, A. Wakamatsu, Y. Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCB13-1-SCCB13-6 2019年5月査読有り

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主要なMISC

103

AlGaN系量子井戸構造における励起子利得

山田陽一

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第262回研究会資料 2022年12月招待有り
深紫外発光AlGaNの励起子光物性

室谷英彰, 山田陽一, 平山秀樹

応用物理 91(7) 416-420 2022年7月1日査読有り招待有り
AlGaN深紫外LDの実現へ向けた最近の進展

平山秀樹, 前田哲利, 定昌史, M. Ajmal Khan, 只友一行, 岡田成仁, 山田陽一

レーザー研究 47(4) 196-203 2019年
AlGaN混晶半導体の励起子光物性と光機能性

山田陽一

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第102回研究会・光電相互変換第125委員会第235回研究会資料 18-26 2017年招待有り
AlGaN混晶局在系の励起子光物性

山田陽一

日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第137回研究会資料 19-24 2014年招待有り
InGaN系LEDにおける内部量子効率の評価法

山田陽一

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第77回研究会・光電相互変換第125委員会第215回研究会資料 28-35 2011年招待有り
深紫外窒化物混晶半導体の励起子系光物性

山田陽一

機能材料 31(5) 40-46 2011年
ワイドギャップ半導体における高密度励起子系の光物性評価

山田陽一

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第59回研究会資料 7-14 2008年招待有り
低次元系励起子分子とレーザ発振

山田陽一

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第177回研究会資料 12-17 2002年招待有り
Ⅱ-Ⅵ族半導体の励起子系光物性

山田陽一

応用物理 70(3) 317-321 2001年3月査読有り招待有り
Optical properties of bound excitons and biexcitons in GaN

Y Yamada, C Sasaki, Y Yoshida, S Kurai, T Taguchi, T Sugahara, K Nishino, S Sakai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E83C(4) 605-611 2000年4月招待有り
ワイドギャップ半導体における高密度励起子系の輻射再結合過程と光学利得

山田陽一

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第164回研究会・短波長光デバイス第162委員会第15回研究会資料 8-13 1999年招待有り
ZnS系量子井戸構造における局在励起子分子と光学利得

山田陽一

電子情報通信学会論文誌 C-II J81-C-II(1) 42-50 1998年1月招待有り
青色・紫外半導体レーザーの発振機構

山田陽一

レーザー研究 25(7) 493-497 1997年7月15日
ワイドギャップ半導体量子井戸構造における励起子分子とレ－ザ発振

山田陽一

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第156回研究会・短波長光デバイス第162委員会第5回研究会資料 19-24 1996年招待有り
青色・紫外半導体の光物性

山田陽一

応用物理学会中国四国支部主催応用物理学スク－ルテキスト 13-18 1995年招待有り
ZnSe系青色発光材料の光物性評価－バルク、量子井戸の励起子光物性－

山田陽一, 田口常正

日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第69回研究会資料 22-27 1995年招待有り
CdZnS-ZnS歪超格子のバンド構造と紫外レ－ザ発振

山田陽一, 舛本泰章, J.T.Mullins, 田口常正

日本学術振興会光電相互変換第125委員会第139回研究会資料 19(24) 1992年招待有り

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書籍等出版物

半導体工学（第3版）

高橋清, 山田陽一 (担当:共著)

森北出版株式会社 2013年10月31日
白色LED照明技術のすべて

山田陽一 (担当:共著, 範囲:第３章－３内部量子効率の評価法)

株式会社工業調査会 2009年4月30日
Wide Bandgap Semiconductors - Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices

Kiyoshi Takahashi (担当:共著, 範囲:2.2.1 Optical Properties)

Springer-Verlag GmbH 2007年 (ISBN: 3540472347)
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス

高橋清他 (担当:共著, 範囲:2.2.1 ワイドギャップ半導体の光学的性質)

森北出版株式会社 2006年3月31日 (ISBN: 4627773218)
白色LED照明システム技術の応用と将来展望

山田陽一 (担当:共著, 範囲:第３章白色LED光源の発光メカニズム)

株式会社シーエムシー出版 2003年6月30日 (ISBN: 4882314037)
Optical Properties of Low-Dimensional Materials

T. Ogawa, T. Nakayama, M. Nakayama, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, T. Ishihara, Y. Iwasa, Y. Nozue (担当:共著, 範囲:Chapter 4 (Ultraviolet laser emission from ZnS-based quantum wells))

World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 1995年9月 (ISBN: 9810222319)

講演・口頭発表等

680

Photoluminescence excitation spectroscopy of stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells

H. Murotani, A. Hamada, T. Fukuda, S. Kurai, N. Okada, N. Maeda, M. Ajmal Khan, M. Jo, H. Hirayama, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Temperature dependence of efficiency curves in AlGaN-based MQWs with emission wavelengths from 220 to 260 nm

H. Murotani, K. Inai, H. Himeno, K. Tani, H. Hayashi, S. Kurai, N. Okada, K. Uesugi, H. Miyake, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Well-Number-Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates

K. Inai, R. Oshimura, K. Himeno, M. Fujii, Y. Onishi, S. Kurai, N. Okada, K. Uesugi, H. Miyake, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Relationship between Internal Quantum Efficiency and Point Defects in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates

M. Fujii, Y. Onishi, K. Inai, R. Oshimura, S. Kurai, N. Okada, K. Uesugi, H. Miyake, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Vapor Phase Mass Transport of InGaN by Gap Face-to-Face Annealing with Ammonia

A. Nakata, A. Sasaki, S. Kurai, N. Okada, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Effect of twist crystallinity of N-polar AlN underlayer on electrical properties of GaN/AlN structure

T. Kowaki, K. Hanasaku, M. Miyamoto, D. Inahara, A. H, B. Zazuli, K. Fujii, T. Kimoto, R. Ninoki, S. Kurai, N. Okada, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Electrical properties of N-polar GaN/AlGaN/AlN HEMTs fabricated by MOVPE

D. Inahara, A. H. Zazuli, R. Ninoki, K. Hanasaku, T. Kowaki, M. Miyamoto, K. Fujii, T. Kimoto, S. Kurai, N. Okada, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Growth mechanism of N-polar Ga Non vicinal N-polar AlN templates in MOVPE

M. Miyamoto, K. Hanasaku, T. Kowaki, D. Inahara, A. H. Zazuli, K. Fujii, T. Kimoto, R. Ninoki, S. Kurai, N. Okada, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
Formation of 2-Dimensional Electron Gas in N-Polar GaN/AlN Grown by MOVPE

A. H. Zazuli, T. Kowaki, M. Miyamoto, K. Hanasaku, D. Inahara, K. Fujii, S. Kurai, N. Okada, Y. Yamada

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14) 2023年11月
220～260 nm発光帯AlGaN量子井戸構造における効率曲線の温度依存性

稲井滉介, 姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
UV-C発光帯AlGaN多重量子井戸構造におけるCL強度ラインプロファイルの電流依存性

大西悠太, 山口竜平, 武居俊宏, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
低転位AlNテンプレートを用いたAlGaN量子井戸構造における内部量子効率の量子井戸数依存性

稲井滉介, 押村遼太, 姫野邦夫, 藤井恵, 大西悠太, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
N極性面AlNの結晶品質がGaN/AlN構造の電気特性に及ぼす影響

小脇岳土, 花咲光基, 宮本弥凪, 稲原大輔, Z. A. Hiyama, 藤井開, 木本大星, 仁ノ木亮祐, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
N極性GaN/AlGaN/AlN構造の電気特性の関係

宮本弥凪, 花咲光基, 小脇岳土, 稲原大輔, ザズリアイナヒヤマ, 藤井開, 木本大星, ニノ木亮祐, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
アンモニアを用いたFace-to-faceアニールによるInGaNの気相マストランスポート

中田敦士, 佐々木彩乃, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月
深紫外線AlGaN系量子井戸構造における誘導放出光の励起スペクトル分光

谷海智, 姫野邦夫, 大河原颯, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, M. Ajmal Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023年7月
UV-C発光帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率の発光波長依存性

林拓誠, 姫野邦夫, 稲井滉介, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023年7月
活性層選択励起下における230 nm発光帯AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率評価

辻啓人, 姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 前田哲利, 平山秀樹, 山田陽一

2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023年7月
スパッタAlNテンプレート上に成長した量子井戸数の異なる230 nm帯AlGaN量子井戸構造のカソードルミネッセンス評価

山口竜平, 大西悠太, 藤井恵, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023年7月
Al極薄膜を用いたGaNの結晶成長と評価

河野真弥, 迫山卓哉, 富長彪雅, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一

2023年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2023年7月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

三宅秀人, 山田陽一, 上杉謙次郎, 寒川義裕
結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

山田陽一
深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

山田陽一
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

只友一行, 山田陽一, 酒井朗, 岡田成仁, 山根啓輔
窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2013年4月 - 2016年3月

山田陽一
深紫外混晶半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2009年 - 2010年

山田陽一
窒化アルミニウム系深紫外半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2007年 - 2008年

山田陽一
窒化物系紫外域混晶半導体における励起子分子の局在化と光機能性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2004年 - 2006年

山田陽一
ZnMgCdS系半導体量子構造における励起子分子の局在化の制御と光機能性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2000年 - 2002年

山田陽一
半導体低次元構造における励起子分子の局在化と光学利得の生成機構

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 1997年 - 1998年

山田陽一
低次元系の励起子分子を利用した短波長量子井戸レーザの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 1996年 - 1996年

山田陽一
II-VI族半導体量子井戸構造における光学利得の生成機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 奨励研究(A) 1994年 - 1994年

山田陽一
ワイドギャップ半導体歪超格子の基礎物性とその光機能性に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 1992年4月 - 1993年3月

山田陽一

産業財産権

特開2007-088389 半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法

山田陽一

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